半導体素子

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発明の名称	半導体素子
技術分野	ナノテクノロジー
出願日	平成１６年８月３０日
出願番号	特願２００４－２４９４０８
公開番号	特開２００６－６５１３３
登録番号	特許第４４９６３６４号
出願人	国立大学法人電気通信大学,国立大学法人千葉大学,国立大学法人筑波大学
発明者	岡本紘坂東弘之奥野剛史,高橋了,吉野英生,舛本泰章
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概要	【請求項１】可飽和吸収特性を示す半導体薄膜を有する半導体素子であって、前記半導体薄膜を加圧する加圧手段を有することを特徴とする半導体素子。【請求項２】前記加圧手段は、前記半導体薄膜を０Ｐａより大きく、１ＧＰａより小さい圧力で加圧することを特徴とする請求項１記載の半導体素子。【請求項３】前記半導体薄膜は、Ｂｅ又はＣが１×１０１９ｃｍ－３以下の濃度で添加されていることを特徴とする請求項１記載の半導体素子。【請求項４】前記半導体薄膜は１００ｎｍ以上の厚さを有する請求項１記載の半導体素子。【請求項５】前記半導体薄膜は、砒化インジウムガリウムを含んでなることを特徴とする請求項１記載の半導体素子。【請求項６】前記半導体薄膜は、多重量子井戸型構造の薄膜であることを特徴とする請求項１記載の半導体薄膜。【請求項７】基板と、該基板上に配置される複数の光入力部と、該複数の光入力部から入力される光に基づいて光の透過、不透過を制御する可飽和吸収特性を示す半導体薄膜と、該半導体薄膜が光を透過した場合に光を外部に導く出力部と、該半導体薄膜を加圧する加圧手段と、を有することを特徴とする半導体素子。【請求項８】前記加圧手段は、前記半導体薄膜を０Ｐａより大きく、１ＧＰａより小さい圧力で加圧することを特徴とする請求項７記載の半導体素子。【請求項９】前記半導体薄膜は、Ｂｅ又はＣが１×１０１９ｃｍ－３以下の濃度で添加されていることを特徴とする請求項７記載の半導体素子。【請求項１０】前記半導体薄膜は１００ｎｍ以上の厚さを有する請求項７記載の半導体素子。【請求項１１】前記半導体薄膜は、砒化インジウムガリウムを含んでなることを特徴とする請求項７記載の半導体素子。【請求項１２】前記半導体薄膜は、多重量子井戸構造の薄膜であることを特徴とする請求項７記載の半導体素子。

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