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【特許請求の範囲】

【請求項１】
ＧａＡｓ基板の表面に、ＧａＡｓバッファ層を成長して形成し、
前記ＧａＡｓバッファ層の表面または前記ＧａＡｓバッファ層の上層に、ＧａＳｂｘＡｓ１－ｘ（ｘ＝１）層を０．２４～１．５２ＭＬ厚に成長して形成し、
前記ＧａＳｂｘＡｓ１－ｘ（ｘ＝１）層の表面に、ＩｎＡｓ量子ドットを成長して自己形成する
ことを特徴とする量子ドットの形成方法。

【請求項２】
前記ＧａＳｂｘＡｓ１－ｘ（ｘ＝１）層は、Ａｓ－Ｓｂ交換反応によって形成されることを特徴とする請求項１に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項３】
前記ＩｎＡｓ量子ドットは、１．１×１０11ｃｍ-2以上のドット密度で自己形成されることを特徴とする請求項１に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項４】
前記ＩｎＡｓ量子ドットの自己形成ステップにおいて、コアレッセンスの発生が抑制されることを特徴とする請求項１に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項５】
前記ＩｎＡｓ量子ドットは、その成長初期において、細線状の２次元島が形成されることを特徴とする請求項１に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項６】
ＧａＡｓ基板の表面に、ＧａＡｓバッファ層を成長して形成し、
前記ＧａＡｓバッファ層の表面に、ＧａＡｓＳｂ混晶バッファ層を成長して形成し、
前記ＧａＡｓＳｂ混晶バッファ層上にＧａＡｓ層を成長して形成し、
前記ＧａＡｓ層の表面にＩｎＡｓ量子ドットを、前記基板面内の所定の方向に、正方格子状に自己配列させて形成することを特徴とする量子ドットの形成方法。

【請求項７】
前記ＩｎＡｓ量子ドットは、（００１）基板面内上の＜０１０＞方向に沿って正方格子状に配列することを特徴とする請求項６に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項８】
前記ＩｎＡｓ量子ドットは、１×１０11ｃｍ-2以上のドット密度で正方格子状に自己配列することを特徴とする請求項６に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項９】
前記ＧａＡｓＳｂ混晶バッファ層を、Ａｓ4／Ｓｂ4 照射フラックス比３～９で形成することを特徴とする請求項６に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項１０】
ＧａＡｓ基板と、
前記ＧａＡｓ基板上の活性層と、
前記活性層に電流を注入する電極と
を備え、前記活性層は、
０．２４～１．５２ＭＬ厚のＧａＳｂ層と、
前記ＧａＳｂ層の表面に成長したＩｎＡｓ量子ドットと、
前記ＩｎＡｓ量子ドットを埋め込むＧａＡｓ埋め込み層と、
を含み、前記ＩｎＡｓ量子ドットは、１．１×１０11ｃｍ-2以上の密度で配置されることを特徴とする量子ドットレーザ。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に位置する第１の量子ドットと、
前記第１の量子ドットを埋め込む第１の半導体結晶層と、
前記第１の半導体結晶層上に位置するコンタクト用の第２の量子ドットと、
前記第２の量子ドットを埋め込む第２の半導体結晶層と、
前記第２の半導体結晶層において、前記第２の量子ドットに接続する自己形成ナノホール内に形成されるナノホール電極と
を有することを特徴とする量子半導体装置。

【請求項２】
前記ナノホール電極の直径は、２０～３０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の量子半導体装置。

【請求項３】
前記第２の半導体結晶層の膜厚は、８～１５ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の量子半導体装置。

【請求項４】
前記第１および第２の量子ドットはＩｎＡｓであり、前記第１および第２の半導体結晶層はＧａＡｓであることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の量子半導体装置。

【請求項５】
半導体基板上に、第１の量子ドットと、前記第１の量子ドットを埋め込む第１の半導体結晶層を形成するステップと、
前記第１の半導体結晶層上に、コンタクト用の第２の量子ドットと、第２の量子ドットを埋め込む第２の半導体結晶層を形成するステップと、
前記第２の半導体結晶層を所定の条件でアニールして、前記第２の量子ドットの直上にのみナノホールを自己形成するステップと、
前記ナノホールを導電体で埋め込むステップと
を含むことを特徴とする量子半導体装置の製造方法。

【請求項６】
前記アニールは、基板温度４５０～５５０℃で、３～１０分間行うことを特徴とする請求項５に記載の量子半導体装置の製造方法。

【請求項１】
可飽和吸収特性を示す半導体薄膜を有する半導体素子であって、前記半導体薄膜を加圧する加圧手段を有することを特徴とする半導体素子。

【請求項２】
前記加圧手段は、前記半導体薄膜を０Ｐａより大きく、１ＧＰａより小さい圧力で加圧することを特徴とする請求項１記載の半導体素子。

【請求項３】
前記半導体薄膜は、Ｂｅ又はＣが１×１０１９ｃｍ－３以下の濃度で添加されていることを特徴とする請求項１記載の半導体素子。

【請求項４】
前記半導体薄膜は１００ｎｍ以上の厚さを有する請求項１記載の半導体素子。

【請求項５】
前記半導体薄膜は、砒化インジウムガリウムを含んでなることを特徴とする請求項１記載の半導体素子。

【請求項６】
前記半導体薄膜は、多重量子井戸型構造の薄膜であることを特徴とする請求項１記載の半導体薄膜。

【請求項７】
基板と、該基板上に配置される複数の光入力部と、該複数の光入力部から入力される光に基づいて光の透過、不透過を制御する可飽和吸収特性を示す半導体薄膜と、該半導体薄膜が光を透過した場合に光を外部に導く出力部と、該半導体薄膜を加圧する加圧手段と、を有することを特徴とする半導体素子。

【請求項８】
前記加圧手段は、前記半導体薄膜を０Ｐａより大きく、１ＧＰａより小さい圧力で加圧することを特徴とする請求項７記載の半導体素子。

【請求項９】
前記半導体薄膜は、Ｂｅ又はＣが１×１０１９ｃｍ－３以下の濃度で添加されていることを特徴とする請求項７記載の半導体素子。

【請求項１０】
前記半導体薄膜は１００ｎｍ以上の厚さを有する請求項７記載の半導体素子。

【請求項１１】
前記半導体薄膜は、砒化インジウムガリウムを含んでなることを特徴とする請求項７記載の半導体素子。

【請求項１２】
前記半導体薄膜は、多重量子井戸構造の薄膜であることを特徴とする請求項７記載の半導体素子。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
単一縦モード波長を出力する、少なくとも２個以上の種光発生手段と、 前記種光発生手段から出力された種光を合成する合成手段と、 前記合成された種光を特定波長に同期させ、該種光毎に生成される周波数純度が良く且つ光強度の高いレーザー光を出力するレーザー光発生手段と、前記レーザー光を予め定める波長別に弁別する弁別手段と、弁別されたレーザー光を電気信号に変換し、予め設定された基準信号と比較して、該電気信号と該基準信号に差分が生じた場合には、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振器長のいずれかの値を基準とし、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振器長の各値が所定の関係になるように基準以外の値を補正値として求め、前記種光発生手段又は前記レーザー光発生手段に求めた補正値を出力して前記種光発生手段又は前記レーザー光発生手段の共振器長を駆動制御する駆動制御手段と、 を備えることを特徴とするレーザー光発生装置。

【請求項２】
単一縦モード波長を出力する少なくとも２個以上の種光発生手段と、 前記種光発生手段から出力された種光を合成する合成手段と、 前記合成された種光を特定波長に同期させ、該種光毎に生成される周波数純度が良く且つ光強度の高いレーザー光を出力するレーザー光発生手段と、 前記レーザー光を電気信号に変換する光電変換手段と、前記電気信号を予め定められる周波数の電気信号毎に弁別する電気信号弁別手段と、弁別された電気信号を、予め設定された基準信号と比較して、該基準信号と該電気信号に差分が生じた場合には、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振器長のいずれかの値を基準とし、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振器長の各値が所定の関係になるように基準以外の値を補正値として求め、各前記種光発生手段又は前記レーザー光発生手段に求めた補正値を出力して前記種光発生手段又は前記レーザー光発生手段の共振器長を駆動制御する駆動制御手段と、前記種光発生手段にレーザー光に重畳させる変調信号を前記種光発生手段に出力する変調信号発生手段と、を備えることを特徴とするレーザー光発生装置。

【請求項３】
前記種光発生手段に前記補正値を出力する場合は、該種光発生手段毎に前記駆動制御手段を設けることを特徴とする請求項１又は２記載のレーザー光発生装置。

【請求項４】
前記種光発生手段に変調信号を出力する変調信号発生手段を備えることを特徴とする請求項１記載のレーザー光発生装置。

【請求項５】
前記駆動制御手段は、前記基準信号に対する前記電気信号の変位方向と変位量に基づいて補正値を算出し、該補正値を含む補正信号を共振器長に出力することを特徴とする請求項１又は２記載のレーザー光発生装置。

【請求項６】
前記弁別手段は、前記レーザー光発生手段から出力されたレーザー光を波長毎に分光する分光手段と、分光された光を電気信号に変換する光電変換手段を有することを特徴とする請求項１記載のレーザー光発生装置。

【請求項７】
前記種光発生手段毎に前記変調信号発生手段を設けることを特徴とする請求項２記載のレーザー光発生装置。

【請求項８】
単一縦モード波長を出力する、少なくとも２個以上の種光発生手段と、前記種光発生手段から出力された種光を合成する合成手段と、前記合成された種光をもとに光ソリトン列を形成する非線形媒質と、前記非線形媒質から出力されたレーザー光をパワーオシレーターの増幅周波数領域に一致させるための高調波発生手段と、光ソリトン又はその高調波を特定波長に同期させ高出力化された光ソリトン列を発生させるレーザー光発生手段と、該レーザー光を予め定められる波長別に弁別する弁別手段と、弁別されたレーザー光を電気信号に変換する光電変換手段と、該電気信号と予め設定された基準信号と比較して、該電気信号と該基準信号に差分が生じた場合には、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振器長のいずれかの値を基準とし、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振長の各値が所定の関係になるように基準以外の値を補正値として求め、前記種光発生手段又は前記レーザー光発生手段に求めた補正値を出力して前記種光発生手段又はレーザー光発生手段の共振器長を駆動制御する手段とを備えることを特徴とするレーザー光発生装置。

※以下、詳細は特許公報をご参照ください。

【特許請求の範囲】

【請求項１】

　陽極及び導電性を有する支持体を含んで成る陰極を用いてパラジウムイオンを含む溶液を電解することにより得られた、導電性支持体上に担持されたパラジウムブラックの存在下、Ａ）炭素－炭素一置換二重結合、炭素－炭素二置換二重結合及び炭素－炭素三重結合から選ばれた少なくとも１つと炭素－炭素三置換二重結合及び／又は炭素－炭素四置換二重結合を有する化合物、Ｂ）炭素－炭素一置換二重結合、炭素－炭素二置換二重結合及び炭素－炭素三重結合から選ばれた少なくとも１つを有する化合物及びＣ）炭素－炭素三置換二重結合及び／又は炭素－炭素四置換二重結合を有する化合物から成る群より、炭素－炭素一置換二重結合、炭素－炭素二置換二重結合及び炭素－炭素三重結合から選ばれた少なくとも１つと炭素－炭素三置換二重結合及び／又は炭素－炭素四置換二重結合とが共存するように選択された化合物若しくはその組み合わせと、水素とを接触させることを特徴とする、当該炭素－炭素一置換二重結合、炭素－炭素二置換二重結合及び／又は炭素－炭素三重結合の選択的水素添加反応方法。

【請求項２】

　陽極及び導電性を有する支持体を含んで成る陰極を用いてパラジウムイオンを含む溶液を電解することにより得られた導電性を含んで成る支持体上に担持されたパラジウムブラックから成る、炭素－炭素三置換二重結合及び炭素－炭素四置換二重結合への水素添加反応を伴うことのない、炭素－炭素一置換二重結合、炭素－炭素二置換二重結合及び／又は炭素－炭素三重結合の選択的水素添加反応用触媒。