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【要約】
【課題】二次電池の寿命をできる限り正確に予測して、事故を未然に防ぎつつ、二次電池を正しく使い切る事を目指す、蓄電池管理システム、蓄電池情報サーバ、充放電制御装置及び蓄電池を提供する。
【解決手段】ＬＩＢに一意なＬＩＢＩＤを付与して、ＬＩＢの稼働状態をログテーブルに記録し、ＬＩＢ情報サーバにてＬＩＢ使用ログテーブルに集約する。そして、膨大なＬＩＢ使用ログテーブルを基に累積故障確率を算出して、累積故障確率テーブルを作成する。充放電制御装置は、ＬＩＢ情報サーバからＬＩＢを経由して受信した累積故障確率テーブル、保存時間勾配関数、損失コスト関数、交換コスト関数、警告用閾値、及び使用禁止用閾値を基に、ＬＩＢの最適交換時期を算出する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　一意な蓄電池ＩＤを有し、充放電回数と、前記充放電回数のうち１回分の単位保存時間に相当する情報を記憶する蓄電池と、前記蓄電池から前記蓄電池ＩＤと前記充放電回数と前記単位保存時間に相当する情報を受信して蓄電池使用ログテーブルに記憶し、前記蓄電池使用ログテーブルから累積故障確率を算出する蓄電池情報サーバと、前記蓄電池に接続され、前記蓄電池情報サーバから、前記累積故障確率と、前記蓄電池の最適交換時期を算出するための個別情報を受信し、前記累積故障確率から前記蓄電池の最適交換時期を算出する充放電制御装置とよりなる蓄電池管理システム。
【請求項２】
　前記充放電回数のうち１回分の単位保存時間に相当する情報は、前記蓄電池の電流と、前記蓄電池に充電器が接続されたか否かを示す充放電フラグ情報と、前記蓄電池が満充電状態になったか否かを示す満充電フラグ情報とを有する、請求項１に記載の蓄電池管理システム。
【請求項３】
　前記蓄電池の最適交換時期を算出するための個別情報は、前記蓄電池の前記充放電回数に対する前記保存時間の勾配を示す保存時間勾配情報と、前記蓄電池が故障した際のコストを示す損失コストと、前記蓄電池を交換する際のコストを示す交換コストとを有する、請求項２に記載の蓄電池管理システム。
【請求項４】
　前記蓄電池情報サーバは、前記充放電回数と前記保存時間の範囲で構成されるメッシュ毎に、稼働中の蓄電池の総計と使用終了又は故障した蓄電池の総計を算出した後、前記メッシュ毎に故障率を算出し、次に前記メッシュ毎に累積ハザード値を算出した後、前記メッシュ毎に累積故障確率を算出する、
請求項３に記載の蓄電池管理システム。
【請求項５】
　前記蓄電池情報サーバは、前記蓄電池の充放電電流から容量の減少を観測し、尤度関数を最大化する最尤推定値を累積故障確率関数に代入することで、累積故障確率を算出する、請求項３に記載の蓄電池管理システム。
【請求項６】
　蓄電池を一意に識別するための蓄電池ＩＤを格納する蓄電池ＩＤフィールドと、前記蓄電池の電流を格納する電流フィールドと、前記蓄電池に充電器が接続されたか否かを示す充放電フラグフィールドと、前記蓄電池が満充電状態になったか否かを示す満充電フラグフィールドとを有する蓄電池使用ログテーブルと、前記蓄電池使用ログテーブルから累積故障確率を算出する累積故障確率演算部と、前記蓄電池に接続され、前記蓄電池の最適交換時期を算出するための個別情報と前記累積故障確率から前記蓄電池の最適交換時期を算出する充放電制御装置に、前記累積故障確率と、前記個別情報を送信する個別情報返信部とを具備する蓄電池情報サーバ。
【請求項７】
　蓄電池情報サーバから、蓄電池の最適交換時期を算出するための個別情報と、蓄電池の累積故障確率を受信して、最適交換時期を算出する蓄電池交換時期算出部と、前記蓄電池交換時期算出部が算出した前記最適交換時期を使用者へ報知する警告報知部と、前記蓄電池交換時期算出部が算出した前記最適交換時期が所定の閾値を超えた場合に、蓄電池に対する充電を停止するための充電停止制御信号を出力する入出力制御部とを具備する、充放電制御装置。
【請求項８】
　前記入出力制御部は、前記蓄電池情報サーバから最新の前記個別情報と前記累積故障確率を受信できない時は、前記蓄電池から前記個別情報と前記累積故障確率を受信して、前記蓄電池交換時期算出部に前記最適交換時期を算出させる、請求項７に記載の充放電制御装置。
（以下省略）

【要約】固体高分子形燃料電池をＸ線ラミノグラフィーにより計測する方法の提供。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　Ｘ線ラミノグラフィー法による計測を可能とする固体高分子形燃料電池であって、膜／電極膜接合体と、前記膜／電極膜接合体の第１の側に設けられた第１の流路板と、前記膜／電極膜接合体の第２の側に設けられた第２の流路板と、前記第１の流路板の第１の側に設けられ、第１の透過窓を有する第１のセパレーターと、前記第２の流路板の第２の側に設けられ、第２の透過窓を有する第２のセパレーターとを含み、前記第１及び第２の透過窓は、その一方を通って入射されたＸ線であって、前記膜／電極膜接合体の主面に対して所定角度以上を有するものについて、前記膜／電極膜接合体及び前記第１及び第２の流路板を介してその他方を通って出射させるように構成された固体高分子形燃料電池。
【請求項２】
　前記第１及び第２の透過窓は、これら第１及び第２の透過窓を通り、前記膜／電極膜接合体の主面に垂直な一つの軸について、前記一つの軸を対称軸とし、前記膜／電極膜接合体の主面と前記所定角度をなす母線を有する円錐により形成された傾斜面を有する請求項１に記載の固体高分子形燃料電池。
【請求項３】
　前記第１及び第２の流路板は、非晶質な素材を含む請求項２に記載の固体高分子形燃料電池。
【請求項４】
　前記素材は、放射線耐性を有する請求項３に記載の固体高分子形燃料電池。
【請求項５】
　前記素材は、ガラス状炭素を含む請求項３又は４に記載の固体高分子形燃料電池。
【請求項６】
　前記第１及び第２のセパレーターは、軽量かつ耐食性に優れた素材を含む請求項２から５のいずれかに記載の固体高分子形燃料電池。
【請求項７】
　前記第１及び第２のセパレーターは、金メッキ処理アルミニウムを含む請求項６に記載の固体高分子形燃料電池。
【請求項８】
　前記膜／電極膜接合体と前記第１の流路板との間に設けられた第１のガスケットと、前記膜／電極膜接合体と前記第２の流路板との間に設けられた第２のガスケットとをさらに含む請求項２から７のいずれかに記載の固体高分子形燃料電池。
【請求項９】
　前記膜／電極膜接合体に熱風を供給する加熱する熱風ヒーターをさらに含む請求項２から７のいずれかに記載の固体高分子形燃料電池。
【請求項１０】
　前記第１及び第２の透過窓を通して前記膜／電極膜接合体に赤外線を照射して加熱するハロゲンヒーターをさらに含む請求項２から９のいずれかに記載の固体高分子形燃料電池。
【請求項１１】
　前記第１及び第２のセパレーターは、前記一つの軸について略回転対称な外周部を有する請求項２から１０のいずれかに記載の固体高分子形燃料電池。
【請求項１２】
　前記膜／電極膜接合体並びに前記第１及び第２の流路板は、前記略回転対称な外周部から内側にある請求項１１に記載の固体高分子形燃料電池。
【請求項１３】
　前記第１及び第２のセパレーターは、前記略回転対称な外周部にケーブルの接続部位を有する請求項１１又は１２に記載の固体高分子形燃料電池。
【請求項１４】
　前記ケーブルは、電線及びガス配管を含む請求項１３に記載の固体高分子形燃料電池。
（以下省略）

【課題】透過型ＸＡＦＳ計測及び角度分散型ＸＲＤ計測を可能とする固体高分子形燃料電池並びに固体高分子形燃料電池のＸＡＦＳ計測とＸＲＤ計測を高速に交互に切り替えうる様な計測装置及び方法の提供。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　Ｘ線を透過させることができる固体高分子形燃料電池であって、膜／電極接合層と、前記膜／電極接合層の第１の側に設けられ、貫通孔が形成された第１の流路層と、前記膜／電極接合層の第２の側に設けられ、貫通孔が形成された第２の流路層と、前記第１の流路層の第１の側に設けられ、前記第１の流路層の貫通孔を覆う第１のガス遮断絶縁層と、前記第２の流路層の第２の側に設けられ、前記第２の流路層の貫通孔を覆う第２のガス遮断絶縁層とを含み、前記第１の流路層の貫通孔及び前記第２の流路層の貫通孔は、入射されたＸ線が前記第１の流路層の貫通孔及び前記第２の流路層の貫通孔を通って前記膜／電極接合層を透過できるように形成された固体高分子形燃料電池。
【請求項２】
　前記第１の流路層の貫通孔及び前記第２の流路層の貫通孔は、入射されたＸ線が前記膜／電極接合層に垂直な一つの面内で前記膜／電極接合層の表面に対し所定角度以上の範囲で前記膜／電極接合層を透過できるように形成された請求項１に記載の固体高分子形燃料電池。
【請求項３】
　前記所定角度は、１０°から３０°の範囲にある請求項２に記載の固体高分子形燃料電池。
【請求項４】
　前記第１のガス遮断絶縁層及び前記第２のガス遮断絶縁層は、非晶質ポリエーテルエーテルケトンフィルムによって構成された請求項１から３のいずれかに記載の固体高分子形燃料電池。
【請求項５】
　前記膜／電極接合層は、固体高分子電解質膜と、前記固体高分子電解質膜の第１の側に設けられた第１の電極触媒層及び第１のガス拡散層と、前記固体高分子電解質膜の第２の側に設けられた第２の電極触媒層及び第２のガス拡散層とを含む請求項１から４のいずれかに記載の固体高分子形燃料電池。
【請求項６】
　前記第１の流路層と前記第１のガス遮断絶縁層との間に第１の集電層を含み、前記第２の流路層と前記第２のガス遮断絶縁層との間に第２の集電層を含み、前記第１の集電層及び第２の集電層にはそれぞれ貫通孔が形成され、これらの貫通孔は、入射されたＸ線がこれらの貫通孔とともに前記第１の流路層及び前記第２の流路層に形成された貫通孔を通って前記膜／電極接合体を透過できるように形成された請求項１から５のいずれかに記載の固体高分子形燃料電池。
【請求項７】
　前記第１のガス遮断絶縁層の第１の側に第１のセパレーター層を含み、前記第２のガス遮断絶縁層の第２の側に第２のセパレーター層を含み、前記第１のセパレーター層及び前記第２のセパレーター層にはそれぞれ貫通孔が形成され、これらの貫通孔は、入射されたＸ線がこれらの貫通孔とともに前記第１の流路層及び前記第１の集電層並びに前記第２の流路層及び前記第２の集電層に形成された貫通孔を通って前記膜／電極接合体を透過できるように形成された請求項６に記載の固体高分子形燃料電池。
【請求項８】
　前記第１のセパレーター層に形成された開口には、その長尺方向に向けて傾斜する切欠面が形成され、前記第２の側の表面に前記第２のセパレーター層に形成された開口には、その長尺方向に向けて傾斜する切欠面が形成された請求項７に記載の固体高分子形燃料電池。
【請求項９】
　前記第１のセパレーター層及び前記第２のセパレーター層に形成された切欠面は、前記膜／電極接合層の表面となす角度が１０°から３０°までの範囲にある請求項８に記載の固体高分子形燃料電池。
【請求項１０】
　請求項１から９のいずれかに記載の固体高分子形燃料電池の計測装置であって、前記固体高分子形燃料電池に入射されるＸ線を所定のエネルギーに分光する分光器と、前記固体高分子形燃料電池を透過したＸ線を検出する第１の検出器と、前記固体高分子形燃料電池で回折されたＸ線を検出する第２の検出と、前記第１の検出器に適する所定のエネルギー範囲の掃引と、前記第２の検出器に適する所定エネルギーの分光とを切り替えるように前記分光器を制御するとともに、前記第１の
検出器及び前記第２の検出器の少なくとも一方を前記分光器に連動して動作するように制御する制御部とを含む計測装置。
【請求項１１】
　前記第１の検出器は、イオンチェンバー検出器である請求項１０に記載の計測装置。
【請求項１２】
　前記第２の検出器は、位置敏感型検出器である請求項１０又は１１に記載の計測装置。
（以下省略）

【要約】
【課題】
　効率を改善したヘテロ接合型の太陽電池を提供する。
【解決手段】
　太陽電池は、光透過性を有する基板と、前記基板の光入射面とは反対側の面に形成される導電膜と、前記導電膜に積層される正孔ブロック層と、前記正孔ブロック層に積層される、ｐｎヘテロ接合型の光電変換層と、前記光電変換層に積層される電極とを含み、前記光電変換層は、前記正孔ブロック層の光入射側とは反対側の面から前記光電変換層の厚さ方向に沿って伸延する複数のｎ型ロッドと、前記ｎ型ロッドを被覆する被覆層と、前記複数のｎ型ロッド同士の間、及び、前記複数のｎ型ロッドと前記電極との間に形成されるｐ型量子ドット層とを有し、前記ｎ型ロッドは、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、又はＳｎＯ２製であり、前記被覆層は、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＳ、又はＳｉＯ２製であり、前記ｐ型量子ドット層は、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、又はＣｕＩｎＳ２製である。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　光透過性を有する基板と、前記基板の光入射面とは反対側の面に形成される導電膜と、前記導電膜に積層される正孔ブロック層と、前記正孔ブロック層に積層される、ｐｎヘテロ接合型の光電変換層と、前記光電変換層に積層される電極とを含み、前記光電変換層は、前記正孔ブロック層の光入射側とは反対側の面から前記光電変換層の厚さ方向に沿って伸延する複数のｎ型ロッドと、前記ｎ型ロッドを被覆する被覆層と、前記複数のｎ型ロッド同士の間、及び、前記複数のｎ型ロッドと前記電極との間に形成されるｐ型量子ドット層とを有し、前記ｎ型ロッドは、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、又はＳｎＯ２製であり、前記被覆層は、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＳ、又はＳｉＯ２製であり、前記ｐ型量子ドット層は、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、又はＣｕＩｎＳ２製である、太陽電池。
【請求項２】
　前記被覆層の厚さは、１０ｎｍ以下である、請求項１記載の太陽電池。

【要約】
【課題】高い活性を有し、良好な耐久性を有する固体高分子形燃料電池カソード用の触媒の製造方法。
【解決手段】遷移金属のイオンを含む溶液を調製するステップであって、前記遷移金属は、スズ、インジウム、タンタル、セリウム、タングステン、およびモリブデンからなる群から選定された少なくとも一つであるステップと、前記溶液中に、貴金属粒子が担持されたカーボン粒子を添加して、スラリー液を調製するステップであって、前記貴金属は、白金または白金合金であるステップと、前記スラリー液中で電解を行い、前記貴金属粒子上に前記遷移金属を電析させ、触媒粒子を形成するステップであって、前記電解は、前記遷移金属が前記貴金属粒子上には電析するものの、前記カーボン粒子上には実質的に電析されないような電位で実施されるステップと、前記触媒粒子を回収するステップと、を有する触媒の製造方法。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　固体高分子形燃料電池カソード用の触媒の製造方法であって、（ａ）遷移金属のイオンを含む溶液を調製するステップであって、前記遷移金属は、スズ（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、タンタル（Ｔａ）、セリウム（Ｃｅ）、タングステン（Ｗ）、およびモリブデン（Ｍｏ）からなる群から選定された少なくとも一つであるステップと、（ｂ）前記溶液中に、貴金属粒子が担持されたカーボン粒子を添加して、スラリー液を調製するステップであって、前記貴金属は、白金（Ｐｔ）または白金合金であるステップと、（ｃ）前記スラリー液中で電解を行い、前記貴金属粒子上に前記遷移金属を電析させ、触媒粒子を形成するステップであって、前記電解は、前記遷移金属が前記貴金属粒子上には電析するものの、前記カーボン粒子上には実質的に電析されないような電位で実施されるステップと、（ｄ）前記触媒粒子を回収するステップと、を有することを特徴とする製造方法。
【請求項２】
　前記（ｃ）のステップにより得られる前記触媒粒子において、前記貴金属と前記遷移金属の存在比（モル比）は、３：１から１０：１の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
　前記（ｄ）のステップの後、さらに、（ｅ）回収された前記触媒粒子中の前記遷移金属を酸化させるステップを有することを特徴とする請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
　前記（ｄ）または（ｅ）のステップの後、さらに、（ｆ）酸化物に変化しなかった前記遷移金属の少なくとも一部を溶解させるステップを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項５】
　前記遷移金属のイオンを含む溶液は、水溶液、有機溶媒、または溶融塩であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項６】
　前記遷移金属のイオンは、スズイオンであり、前記遷移金属のイオンを含む溶液は、過塩素酸水溶液または硫酸水溶液であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項７】
　前記白金合金は、白金－コバルト（Ｃｏ）合金、白金－金（Ａｕ）合金、白金－パラジウム（Ｐｄ）合金、白金－ニッケル（Ｎｉ）合金、および白金－鉄（Ｆｅ）合金からなる群から選定されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項８】
　前記（ｃ）のステップにおける電解は、室温（２０℃～２５℃）以上、１００℃未満の温度で実施されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項９】
　前記（ｃ）のステップにおける電解において、作用電極として、メッシュ状電極が使用されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項１０】
　固体高分子形燃料電池カソード用の触媒であって、当該触媒は、貴金属粒子が担持されたカーボン粒子を有し、前記貴金属粒子には、遷移金属の酸化物が配置され、前記貴金属は、白金（Ｐｔ）または白金合金であり、　前記遷移金属は、スズ（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、タンタル（Ｔａ）、セリウム（Ｃｅ）、タングステン（Ｗ）、およびモリブデン（Ｍｏ）からなる群から選定された少なくとも一つであることを特徴とする触媒。
【請求項１１】
　前記白金合金は、白金－コバルト（Ｃｏ）合金、白金－金（Ａｕ）合金、白金－パラジウム（Ｐｄ）合金、白金－ニッケル（Ｎｉ）合金、および白金－鉄（Ｆｅ）合金からなる群から選定されることを特徴とする請求項１０に記載の触媒。
【請求項１２】
　前記遷移金属の酸化物は、酸化スズ（ＳｎＯおよび／またはＳｎＯ２）であり、前記貴金属と前記酸化物の存在比（モル比）は、３：１から１０：１の範囲であることを特徴とする請求項１０または１１に記載の触媒。
（以下省略）

【要約】
【課題】　量子効率の向上とキャリアの長寿命化を実現する太陽電池を提供する。
【解決手段】　太陽電池は、第１の導電型の半導体層と、第２の導電型の半導体層と、前記第１及び第２の導電型の半導体層の間に配置される半導体領域とを含み、前記半導体領域は、前記第１の導電型の半導体層に隣接する第１半導体層と、前記第１半導体上に形成される量子ドット層を含み、前記量子ドット層は、第１障壁層と、前記第１障壁層上に形成され面内密度が３．０×１０11ｃｍ-2～５×１０11ｃｍ-2、高さが１．５～２．０ｎｍである量子ドットとを含む。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　第１の導電型の半導体層と、第２の導電型の半導体層と、前記第１及び第２の導電型の半導体層の間に配置される半導体領域と、を含み、前記半導体領域は、　前記第１の導電型の半導体層に隣接する第１半導体層と、前記第１半導体層上に形成される量子ドット層を含み、前記量子ドット層は、第１障壁層と、前記第１障壁層上に形成され面内密度が３．０×１０11ｃｍ-2～５×１０11ｃｍ-2、高さが１．５～２．０ｎｍである量子ドットとを含むことを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
　前記量子ドット層は、Type-Iバンド構造を有することを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
　前記量子ドット層は、Type-IIバンド構造を有し、前記量子ドット上に形成されて前記第１障壁層とともに前記量子ドットを挟み込む第２障壁層、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項４】
　波長１０００ｎｍ以上の光に対する前記量子ドットからの発光の減衰時間が３～６ｎｓであることを特徴とする請求項２に記載の太陽電池。
【請求項５】
　波長１０００ｎｍ以上の光に対する前記量子ドットからの発光の減衰時間が３～１０ｎｓであることを特徴とする請求項３に記載の太陽電池。
【請求項６】
　前記障壁層はＧａＡｓＳｂであり、前記量子ドットはＩｎＡｓであることを特徴とする請求項１～５のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項７】
　前記半導体領域において、前記量子ドット層は、前記第２の導電型の半導体層から１００～２００ｎｍ離れた位置に配置されることを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項８】
　第１の導電型の半導体層上に、第１半導体層を介してアンチモン（Ｓｂ）を８～５０％含む第１障壁層を形成し、前記第１障壁層上に、基板温度４７０～４８０℃で、量子ドットを面内密度３．０×１０11ｃｍ-2～５×１０11ｃｍ-2、平均高さ１．５～２．０ｎｍに成長し、前記量子ドットの上方に、第２半導体層を介して第２の導電型の半導体層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項９】
　前記量子ドット上に第２障壁層を形成する工程、をさらに含み、前記第２障壁層上に前記第２半導体層を形成することを特徴とする請求項８に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
　前記第１障壁層の形成は、前記第１半導体層としてのＧａＡｓ層上に、ＧａＡｓＳｂ層を形成し、　前記量子ドットの形成は、前記ＧａＡｓＳｂ層上にＩｎＡｓ量子ドットを形成することを特徴とする請求項８又は９に記載の太陽電池の製造方法。

【要約】
量子ドット間のコアレッセンスを抑制しつつ、高密度な量子ドット配列を実現する量子ドットの形成方法と、これを利用した太陽電池を提供する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　ＧａＡｓバッファ層上にＩｎＡｓ層を成長する際に、前記ＩｎＡｓ層の成長が３次元成長に移行する前の濡れ層の段階で、アンチモン（Ｓｂ）を供給圧力２．０×１０-7～３．６×１０-7 Torrで導入してＩｎＡｓＳｂ濡れ層を成長し、前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層が０．５ＭＬ～１．５ＭＬ成長したところで前記Ｓｂの導入を停止して引き続きＩｎＡｓ層を成長してＩｎＡｓ量子ドットを形成する、ことを特徴とする量子ドットの形成方法。
【請求項２】
　前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層および前記ＩｎＡｓ量子ドットの成長温度は、４６０℃～４７０℃であることを特徴とする請求項１に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項３】
　前記成長温度が４６０℃のときに、前記Ｓｂの供給圧力が３．６×１０-7 Torrで前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層を１．０～１．５ＭＬ成長して、前記ＩｎＡｓ量子ドットを、８．０×１０11ｃｍ-2～１．０×１０12ｃｍ-2の面内密度で形成することを特徴とする請求項１または２に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項４】
　前記成長温度が４７０℃のときに、前記Ｓｂの供給圧力が２．２×１０-7～３．５×１０-7 Torrの範囲で、前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層を０．８ＭＬ～１．５ＭＬ成長して、前記ＩｎＡｓ量子ドットを６．０×１０11ｃｍ-2～７．６×１０11ｃｍ-2の面内密度で形成することを特徴とする請求項１または２に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項５】
　前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層の成長において、Ａｓの供給圧力は７．３×１０-6 Torrであることを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項６】
　透明電極と、
　第１導電型の半導体層と、
　第２導電型の半導体層と、前記第１導電型の半導体層と前記第２導電型の半導体層の間に位置する光吸収層と、前記透明電極と反対側の面に位置する電極と、を含み、前記光吸収層は、ＧａＡｓバッファ層と、前記ＧａＡｓバッファ層上に形成されたＩｎＡｓＳｂ濡れ層及び前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層上に成長したＩｎＡｓ量子ドットを含む量子ドット層と、前記量子ドット層を覆うＧａＡｓ中間層と、を含み、前記量子ドット層と前記ＧａＡｓ中間層は、交互に１層以上積層されていることを特徴とする太陽電池。
【請求項７】
　前記ＩｎＡｓ量子ドットの面内密度は４．０×１０11ｃｍ-2～１．０×１０12ｃｍ-2であることを特徴とする請求項６に記載の太陽電池。
【請求項８】
　前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層の成長量は０．５～１．５ＭＬであることを特徴とする請求項６または７に記載の太陽電池。
【請求項９】
　前記ＩｎＡｓ量子ドットの高さは１．６～３．０ｎｍであることを特徴とする請求項８～８のいずれか１項に記載の太陽電池。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
ＭｇＩｎ２Ｏ４の製造方法であって、
（１）ＭｇＣＯ３およびＩｎ２ＣＯ３を、ＭｇＣＯ３とＩｎ２ＣＯ３のモル比が１．０５：１．０～１．２：１．０の間の範囲になるように混合して、混合物を得るステップと、
（２）前記混合物を８００℃～１０００℃の温度範囲で、６時間以上焼成して、第１の焼成体を得るステップと、
（３）前記第１の焼成体を、１３００℃～１４５０℃の温度範囲で、１２時間～２４時間焼成して、ＭｇＩｎ２Ｏ４を得るステップと、
を有する製造方法。

【請求項２】
前記ステップ（２）は、前記混合物を８５０℃～９５０℃の温度範囲で、６時間～１２時間焼成して、第１の焼成体を得るステップであることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。

【請求項３】
前記ステップ（３）は、前記第１の焼成体を、１３５０℃～１４５０℃の温度範囲で、１２時間～２４時間焼成して、ＭｇＩｎ２Ｏ４を得るステップであることを特徴とする請求項１または２に記載の製造方法。

（以下、詳細は特許公報をご参照ください）

【要約】

【課題】
可視光領域においても、効率的に有機物の分解を行うことが可能な光触媒材料を提供することを目的とする。

【解決手段】Ｍ１を、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、およびバリウム（Ｂａ）のいずれか一つを含む元素とし、Ｍ２を、タングステン（Ｗ）およびモリブデン（Ｍｏ）のうちのいずれか一つを含む元素としたとき、Ｍ１Ｍ２Ｏ４で表される化合物を有し、Ｍ２の一部が（＋４）の価数になっていることを特徴とする光触媒材料。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
Ｍ１を、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、およびバリウム（Ｂａ）のいずれか一つを含む元素とし、Ｍ２を、タングステン（Ｗ）およびモリブデン（Ｍｏ）のうちのいずれか一つを含む元素としたとき、Ｍ１Ｍ２Ｏ４で表される化合物を有し、
Ｍ２の一部が（＋４）の価数になっていることを特徴とする光触媒材料。

（以下、詳細は特許公報をご参照ください）