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【要約】

【課題】
繰り返し周波数の高い超短光パルスの生成のためのスペクトル位相の補償を安価で単純な装置で行う。

【解決手段】
それぞれくさび形の断面形状を有し、互いに斜面２１Ａ１，２１Ｂ１を対向させて配され、少なくとも一方の光学素子が斜面に沿って移動することにより、互いに平行な入射面２１Ａ２と出射面２１Ｂ２との距離が可変自在とされ、隣り合うスペクトルの位相差を２πの整数倍とする厚さに調整される厚さｔが調整自在な平行平板部２１を形成する正分散媒質からなる１対の光学素子２１Ａ，２１Ｂを有するスペクトル位相補償装置２０により、 広帯域光Ｌｗのスペクトルの位相補償を行う。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
隣り合うスペクトルの位相差を２πの整数倍とする厚さの正分散媒質からなる平行平板を透過させることにより、広帯域光から繰り返し周波数の高い超短光パルスの生成のためのスペクトル位相の補償を行うことを特徴とするスペクトル位相補償方法。

【請求項２】
隣り合うスペクトルの位相差を２πの整数倍とする厚さの正分散媒質からなり、広帯域光が入射される平行平板を備え、
上記平行平板を透過させることにより、広帯域光から繰り返し周波数の高い超短光パルスの生成のためのスペクトル位相の補償を行うことを特徴とするスペクトル位相補償装置。

【請求項３】
それぞれくさび形の断面形状を有し、互いに斜面を対向させて配され、少なくとも一方の光学素子が斜面に沿って移動することにより、互いに平行な入射面と出射面との距離が可変自在とされた正分散媒質からなる１対の光学素子により、隣り合うスペクトルの位相差を２πの整数倍とする厚さに調整された平行平板部を形成し、
上記平行平板部を透過させることにより、広帯域光から繰り返し周波数の高い超短光パルスの生成のためのスペクトル位相の補償を行うことを特徴とするスペクトル位相補償方法。

【請求項４】
上記平行平板部の厚さを、入射される広帯域光に存在する２次分散を打ち消して、隣り合うスペクトルの位相差を２πの整数倍とする厚さに調整することを特徴とする請求項３記載のスペクトル位相補償方法。

【請求項５】
それぞれくさび形の断面形状を有し、互いに斜面を対向させて配され、少なくとも一方の光学素子が斜面に沿って移動することにより、互いに平行な入射面と出射面との距離が可変自在とされ、隣り合うスペクトルの位相差を２πの整数倍とする厚さに調整される厚さが調整自在な平行平板部を形成する正分散媒質からなる１対の光学素子を有し、
上記平行平板部を透過させることにより、広帯域光から繰り返し周波数の高い超短光パルスの生成のためのスペクトル位相の補償を行うことを特徴とするスペクトル位相補償装置。

【請求項６】
上記平行平板部は、入射される広帯域光に存在する２次分散を打ち消して、隣り合うスペクトルの位相差を２πの整数倍とする厚さに調整されることを特徴とする請求項５記載のスペクトル位相補償装置。

【請求項７】
それぞれくさび形の断面形状を有し、互いに斜面を対向させて配され、少なくとも一方の光学素子が斜面に沿って移動することにより、互いに平行な入射面と出射面との距離が可変自在とされた正分散媒質からなる１対の光学素子により形成される厚さが調整自在な平行平板部に広帯域光を入射し、
上記平行平板部を透過した光を検出し、その検出出力に基づいて上記１対の光学素子の少なくとも一方の光学素子が斜面に沿って移動させる駆動部を動作させ、上記平行平板部の厚さを隣り合うスペクトルの位相差を２πの整数倍とする厚さに制御し、
上記平行平板部を透過させることにより、上記広帯域光から繰り返し周波数の高い超短光パルスの生成のためのスペクトル位相の補償を行うことを特徴とするスペクトル位相補償方法。

（以下、詳細は特許公報をご参照ください）

【要約】

【課題】
従来のマグネシウム合金に比べて、高い強度を有するマグネシウム合金を提供することを目的とする。

【解決手段】
マグネシウム合金材料を製造する方法であって、少なくともアルミニウムと亜鉛とを添加元素として含む、マグネシウム合金の被加工材料を準備するステップと、前記被加工材料を降温多軸鍛造処理するステップと、前記降温多軸鍛造処理された被加工材料を、最大２０％の圧下率で圧延処理するステップと、を有することを特徴とする方法。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
マグネシウム合金材料を製造する方法であって、
少なくともアルミニウムと亜鉛とを添加元素として含む、マグネシウム合金の被加工材料を準備するステップと、
前記被加工材料を降温多軸鍛造処理するステップと、
前記降温多軸鍛造処理された被加工材料を、最大２０％の圧下率で圧延処理するステップと、
を有することを特徴とする方法。

【請求項２】
さらに、
前記圧延処理された被加工材料を、時効処理するステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。

【請求項３】
前記被加工材料を降温多軸鍛造処理するステップは、
５７３Ｋ～６７３Ｋの範囲で第１回目のパスの鍛造を行い、４０３Ｋ～５２３Ｋの範囲で最後のパスの鍛造を行う降温多軸鍛造処理ステップを有することを特徴とする請求項１または２に記載の方法。

【請求項４】
前記被加工材料を降温多軸鍛造処理するステップにおいて、
第Ｎ回目のパスの鍛造（Ｎは、１以上の整数）と、第Ｎ＋１回目のパスの鍛造との温度差は、１０Ｋ～１００Ｋの範囲にあることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一つに記載の方法。

【請求項５】
前記被加工材料を降温多軸鍛造処理するステップは、
第Ｎ回目のパスの鍛造（Ｎは、１以上の整数）において、３×１０－３／ｓｅｃ～３×１０－１／ｓｅｃの範囲のひずみ速度で、前記被加工材料を降温多軸鍛造処理するステップを有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載の方法。

【請求項６】
最後のパスの鍛造におけるひずみ速度は、第１回目のパスの鍛造におけるひずみ速度よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載の方法。

【請求項７】
各パスの鍛造におけるひずみ速度は、実質的に等しいことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載の方法。

【請求項８】
前記被加工材料を降温多軸鍛造処理するステップにより、前記被加工材料に、１．０～６．４の範囲の総歪み量が導入されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一つに記載の方法。

【請求項９】
前記被加工材料を降温多軸鍛造処理するステップにより、平均結晶粒径が最大２μｍ以下の被加工材料が得られることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一つに記載の方法。

【請求項１０】
前記圧延処理するステップは、室温で実施されることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一つに記載の方法。

【請求項１１】
前記時効処理するステップは、
前記圧延処理された被加工材料を、３７３Ｋ～４７３Ｋの温度範囲で時効処理するステップを有することを特徴とする請求項２乃至１０のいずれか一つに記載の方法。

【請求項１２】
前記被加工材料は、２～１０質量％のアルミニウムと、０．１～２質量％の亜鉛とを含むマグネシウム合金材料であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一つに記載の方法。

【請求項１３】
前記被加工材料は、さらに、
マンガン、鉄、シリコン、銅、ニッケルおよびカルシウムからなる群から選定された少なくとも一つの元素を含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。

【請求項１４】
前記被加工材料は、２．５～３．５質量％のアルミニウムと、０．６～１．４質量％の亜鉛とを含むマグネシウム合金材料であることを特徴とする請求項１２または１３に記載の方法。

【請求項１５】
前記被加工材料は、５．５～７．２質量％のアルミニウムと、０．５～１．５質量％の亜鉛とを含むマグネシウム合金材料であることを特徴とする請求項１２または１３に記載の方法。

【請求項１６】
前記被加工材料は、８．３～９．７質量％のアルミニウムと、０．３５～１．０質量％の亜鉛とを含むマグネシウム合金材料であることを特徴とする請求項１２または１３に記載の方法。

【要約】

【課題】
精度の良い埋込み型骨導補聴器を提案する。

【解決手段】
頭骨４に埋め込んだ体内ユニット３に超磁歪素子でなる振動子３４を設け、体外ユニット２において生成した集音信号により振幅変調してなる可聴音変調伝送信号Ｓ１を、体外送信コイル３１から体内ユニット３に設けた体内受信コイル３２に伝送磁束３３によって伝送すると共に、体内受信コイル３２の誘起起電力によって振動子３４を伸縮駆動させるようにしたことにより、体内ユニット３に電源や復調回路を設けることなく可聴音信号を高い精度で骨導させることができる。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
搬送波信号をマイクロホンから得た集音信号によって振幅変調してなる可聴音変調伝送信号に基づいて体外送信コイルによって伝送磁束を生成する体外ユニットと、
頭皮下の頭骨内に埋め込まれ、上記体外ユニットから到来する上記伝送磁束と差交する体内受信コイルによって誘起起電力を発生し、上記誘起起電力によって超磁歪素子でなる振動子を伸縮駆動することにより、上記頭骨に上記集音信号に対応する振動を上記頭骨に対して骨導振動として付与する体内ユニットと
を具えることを特徴とする埋込み型骨導補聴器。

【請求項２】
上記振動子は、棒状超磁歪素子を有し、上記振動子に巻装された振動子駆動コイルに上記体内受信コイルから得られる誘起起電力を与えることにより上記棒状超磁歪素子に対して長手方向に励磁磁界を透過させ、その結果上記長手方向に伸縮動作する
ことを特徴とする請求項１に記載の埋込み型骨導補聴器。

【請求項３】
上記棒状超磁歪素子に対して、当該棒状超磁歪素子の上記長手方向の励磁磁界にバイアス磁界を付与する動作点設定子を有する
ことを特徴とする請求項２に記載の埋込み型骨導補聴器。

【要約】

【課題】
スペクトルの広帯域化以前に周波数を指定し、単純な光共振器を参照するだけで、その絶対周波数を制御した所望の広帯域離散スペクトルを発生する。

【解決手段】
レーザー光源１１から出射された二波長の励起レーザー光が入射される光共振器１２を通過した励起レーザー光の光強度を検出し、その検出出力に基づいて、上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を制御する制御部１３により、上記二波長の励起レーザー光の周波数を光共振器１２の共振周波数に周波数ロックし、上記二波長の励起レーザー光の差周波数を上記光共振器１２のフリースペクトルレンジ（FSR:Free Spectal Range)の整数倍で、且つ、上記二波長の励起レーザー光の差周波数の整数倍とする制御を行い、広帯域離散スペクトル生成用セル１４により、上記二波長の励起レーザー光の上記非線形媒質１４Ａにおける差周波数に対応する周波数のコヒーレンスな屈折率変化を誘起して、広帯域離散スペクトルを発生する。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
二波長の励起レーザー光を出射するレーザー光源と、
上記レーザー光源から出射された二波長の励起レーザー光が入射される光共振器と、
上記光共振器を通過した二波長の励起レーザー光の光強度を検出し、その検出出力に基づいて、上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を制御する制御部と、
上記制御部により周波数が制御された上記二波長の励起レーザー光が上記レーザー光源から入射される非線形媒質を含む広帯域離散スペクトル生成用セルとを備え、
上記制御部により、上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を上記光共振器の共振周波数に周波数ロックし、上記二波長の励起レーザー光の差周波数を上記光共振器のフリースペクトルレンジ（FSR:Free Spectal Range)の整数倍で、且つ、上記二波長の励起レーザー光の差周波数の整数倍とし、
上記広帯域離散スペクトル生成用セルにより、上記二波長の励起レーザー光の上記非線形媒質における差周波数に対応する周波数のコヒーレンスな屈折率変化を誘起して、広帯域離散スペクトルを発生することを特徴とする広帯域離散スペクトル発生装置。

【請求項２】
上記広帯域離散スペクトル生成用セルは、非線形媒質としてラマン媒質を含むことを特徴とする請求項１記載の広帯域離散スペクトル発生装置。

【請求項３】
二波長の励起レーザー光が入射される非線形媒質を含む広帯域離散スペクトル生成用セルにより、上記二波長の励起レーザー光の上記非線形媒質における差周波数に対応する周波数のコヒーレンスな屈折率変化を誘起して、広帯域離散スペクトルを発生する広帯域離散スペクトル発生装置の周波数制御方法であって、
上記二波長の励起レーザー光を出射するレーザー光源から出射された二波長の励起レーザー光を光共振器に入射させ、
上記光共振器を通過した二波長の励起レーザー光の光強度を検出し、その検出出力に基づいて、上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を制御し、
上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を上記光共振器の共振周波数に周波数ロックし、上記二波長の励起レーザー光の差周波数を上記光共振器の自由スペクトル間隔（FSR:Free Spectal Range)の整数倍で、且つ、上記二波長の励起レーザー光の差周波数の整数倍とすることを特徴とする広帯域離散スペクトル発生装置の周波数制御方法。

【要約】

【課題】
スペクトルの広帯域化以前に周波数を指定し、単純な光共振器を参照するだけで、その絶対周波数を制御した所望の広帯域離散スペクトルを発生する。

【解決手段】
レーザー光源１１から出射された二波長の励起レーザー光が入射される光共振器１２を通過した励起レーザー光の光強度を検出し、その検出出力に基づいて、上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を制御する制御部１３により、上記二波長の励起レーザー光の周波数を光共振器１２の共振周波数に周波数ロックし、上記二波長の励起レーザー光の差周波数を上記光共振器１２のフリースペクトルレンジ（FSR:Free Spectal Range)の整数倍で、且つ、上記二波長の励起レーザー光の差周波数の整数倍とする制御を行い、広帯域離散スペクトル生成用セル１４により、上記二波長の励起レーザー光の上記非線形媒質１４Ａにおける差周波数に対応する周波数のコヒーレンスな屈折率変化を誘起して、広帯域離散スペクトルを発生する。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
二波長の励起レーザー光を出射するレーザー光源と、
上記レーザー光源から出射された二波長の励起レーザー光が入射される光共振器と、
上記光共振器を通過した二波長の励起レーザー光の光強度を検出し、その検出出力に基づいて、上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を制御する制御部と、
上記制御部により周波数が制御された上記二波長の励起レーザー光が上記レーザー光源から入射される非線形媒質を含む広帯域離散スペクトル生成用セルとを備え、
上記制御部により、上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を上記光共振器の共振周波数に周波数ロックし、上記二波長の励起レーザー光の差周波数を上記光共振器のフリースペクトルレンジ（FSR:Free Spectal Range)の整数倍で、且つ、上記二波長の励起レーザー光の差周波数の整数倍とし、
上記広帯域離散スペクトル生成用セルにより、上記二波長の励起レーザー光の上記非線形媒質における差周波数に対応する周波数のコヒーレンスな屈折率変化を誘起して、広帯域離散スペクトルを発生することを特徴とする広帯域離散スペクトル発生装置。

【請求項２】
上記広帯域離散スペクトル生成用セルは、非線形媒質としてラマン媒質を含むことを特徴とする請求項１記載の広帯域離散スペクトル発生装置。

【請求項３】
二波長の励起レーザー光が入射される非線形媒質を含む広帯域離散スペクトル生成用セルにより、上記二波長の励起レーザー光の上記非線形媒質における差周波数に対応する周波数のコヒーレンスな屈折率変化を誘起して、広帯域離散スペクトルを発生する広帯域離散スペクトル発生装置の周波数制御方法であって、
上記二波長の励起レーザー光を出射するレーザー光源から出射された二波長の励起レーザー光を光共振器に入射させ、
上記光共振器を通過した二波長の励起レーザー光の光強度を検出し、その検出出力に基づいて、上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を制御し、
上記レーザー光源から出射される二波長の励起レーザー光の周波数を上記光共振器の共振周波数に周波数ロックし、上記二波長の励起レーザー光の差周波数を上記光共振器の自由スペクトル間隔（FSR:Free Spectal Range)の整数倍で、且つ、上記二波長の励起レーザー光の差周波数の整数倍とすることを特徴とする広帯域離散スペクトル発生装置の周波数制御方法。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
サファイア単結晶を含む基体を、触媒なしで、常圧の炭化水素ガス含有雰囲気中で１０００℃以上に加熱することにより、前記基体の表面上に、炭化水素ガスの熱分解によるダイヤモンドライクカーボン膜を形成する工程を有することを特徴とするダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【請求項２】
前記加熱時間は６０分以上であることを特徴とする請求項１記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【請求項３】
前記加熱時間経過後、前記炭化水素ガスの供給を停止し、後処理用のガスを供給しつつ温度を徐々に低下させる工程をさらに有することを特徴とする請求項１または２記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【請求項４】
前記炭化水素ガスは、プロパンを含有するガスであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【請求項５】
前記炭化水素ガスに水素ガスを混合することを特徴とする請求項４記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【要約】

【課題】
保守の必要性の少ない、安価で単純、かつ高精度な微小流量計を提供する。

【解決手段】
先ず、流量と加熱による温度上昇との関係を示す検量線を作成する。そして、流体を流路に流し、流路の途中に設けられた加熱器で流体を加熱する。この加熱流体は流れに乗って移動するとともに熱拡散によって温度が一様化される。流路の途中に設けられた拡散部において、加熱器における加熱による加速の影響が緩和され、十分な拡散が行われる。そして、加熱器の下流側に設けられた温度検出部において加熱流体の温度計測が行われ、上記検量線に基づき流量が求まる。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
流体を通過させる流路と、
前記流路を流れる流体を加熱する加熱器と、
前記流路の途中に設けられ、前記加熱器における加熱による加速の影響を緩和し流体の拡散を促す拡散部と、
前記加熱器の下流側に設けられ、前記加熱流体の温度を検出する温度検出部と
を備え、
前記加熱器は前記流路中または拡散部中に配置されている
ことを特徴とする流量計測装置。

【請求項２】
前記加熱器の制御および/または前記温度検出部からの検出信号の信号処理を行う情報処理装置を備えたことを特徴とする請求項1に記載の流量計測装置。

【請求項３】
前記流路が、該流路を流れる流体を重力と略逆向きに通過させるように保持されていることを特徴とする請求項1または2に記載の流量計測装置。

【請求項４】
前記流路が、該流路を流れる流体を重力と略同一方向に通過させるように保持されていることを特徴とする請求項1または2に記載の流量計測装置。

【請求項５】
前記拡散部が、前記流路の管径を縮小するレデューサであることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の流量計測装置。

【請求項６】
前記拡散部が、少なくとも一つの穴を有するプレートが流れ方向に対し直角に挿入してあることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の流量計測装置。

【請求項７】
前記加熱器による前記流体の加熱位置は、前記流体の流れ方向に直交する仮想面において、ほぼ中央であることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の流量計測装置。

【請求項８】
前記流体の流量は1ml
/min以下であることを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載の流量計測装置。

【請求項９】
加熱による加速の影響を緩和し流体の拡散を促す拡散部を有する流路を流れる流体の流量を計測する方法であって、
前記流体の一部を加熱して加熱流体とするステップと、
前記加熱流体の温度を計測するステップと、
前記加熱流体の上昇温度と前記流体の流量との関係を示す検量線を用いて、前記流体の流量を計測するステップ
とを備えることを特徴とする流量計測方法。

【請求項１０】
加熱による加速の影響を緩和し流体の拡散を促す拡散部を有する流路を流れる流体の流量を計測する方法であって、
前記流体の一部を加熱して加熱流体とし、該加熱流体の上昇温度と前記流体の流量との関係を示す検量線を作成するステップと、
前記流体の一部を加熱して加熱流体とするステップと、
前記加熱流体の温度を計測するステップと、
前記検量線を用いて前記流体の流量を計測するステップ
とを備えることを特徴とする流量計測方法。

【要約】

【課題】磁性細線中に現れる磁壁の磁気モーメント（磁化）を利用した強磁性細線素子を提供する。

【解決手段】磁壁中心部での磁気モーメントが細線の長軸方向に対して直角方向を向いた磁壁を内部に有する強磁性細線を用いる。反強磁性体などの磁壁固定手段を用いることにより磁壁が細線内を移動しないように該磁壁を固定しつつ直流電流を供給すると、磁壁は移動することなくその磁気モーメントが回転する。これにより、磁気モーメントの回転をTMR素子などで検出することが可能となる。この強磁性細線素子の構成を用いてマイクロ波発振器や磁気メモリを直ちに得ることも可能である。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
強磁性細線に含まれる磁壁の磁気モーメントの向きを利用する素子であって、
a)磁壁中心部での磁気モーメントが細線の長軸方向に対して直角方向を向いた磁壁を内部に有する強磁性細線と、
b)前記強磁性細線の長軸方向に直流電流を供給する電流供給手段と、
c)前記電流供給手段によって電流が供給された際に前記磁壁が前記強磁性細線内を移動しないように該磁壁を固定する磁壁固定手段と、
d)前記磁壁内の磁気モーメントの向きを読み出す磁化読出手段と、
を備えることを特徴とする強磁性細線素子。

【請求項２】
前記磁壁固定手段が、前記強磁性細線の軸方向の両端部に設けられ、それぞれ磁気モーメントの向きが該強磁性細線の軸方向と平行であって且つ互いの磁気モーメントが反対の方向を向いている強磁性体である請求項１に記載の強磁性細線素子。

【請求項３】
前記磁壁固定手段が、磁壁を挟む両側の磁気モーメントが互いに異なる方向を向くように、該強磁性細線の軸方向に沿って磁壁の両側に設けられた反強磁性体である請求項１に記載の強磁性細線素子。

【請求項４】
前記磁化読出手段が、前記強磁性細線の磁壁が存在する領域を含んで構成されたTMR素子である請求項１～３のいずれかに記載の強磁性細線素子。

【請求項５】
強磁性細線に含まれる磁壁の磁気モーメントを利用するマイクロ波発振器であって、
磁壁中心部での磁気モーメントが細線の長軸方向に対して直角方向を向いた磁壁を内部に有する強磁性細線と、
前記強磁性細線の長軸方向に直流電流を供給する電流供給手段と、
前記電流供給手段によって電流が供給された際に前記磁壁が前記強磁性細線内を移動しないように該磁壁を固定する磁壁固定手段と、
前記磁壁における磁気モーメントの回転を検出する回転検出手段と、
を備えることを特徴とするマイクロ波発振器。

【請求項６】
前記強磁性細線は、断面の縦横比が1:1.1以内であって、且つ該断面の幅が20nm以下であることを特徴とする請求項５に記載のマイクロ波発振器。

【請求項７】
前記磁壁固定手段が、前記強磁性細線の軸方向の両端部に設けられ、それぞれ磁気モーメントの向きが該強磁性細線の軸方向と平行であって且つ互いの磁気モーメントが反対の方向を向いている強磁性体である請求項５又は６に記載のマイクロ波発振器。

【請求項８】
前記磁壁固定手段が、磁壁を挟む両側の磁気モーメントが互いに異なる方向を向くように、該強磁性細線の軸方向に沿って磁壁の両側に設けられた反強磁性体である請求項５又は６に記載のマイクロ波発振器。

【請求項９】
前記回転検出手段が、前記強磁性細線の磁壁が存在する領域を含んで構成されたTMR素子である請求項５～８のいずれかに記載のマイクロ波発振器。

【請求項１０】
前記強磁性細線の材料がパーマロイである請求項５～９のいずれかに記載のマイクロ波発振器。

【請求項１１】
磁壁中心部での磁気モーメントが細線の長軸方向に対して直角方向を向く磁壁を内部に有する強磁性細線の長軸方向に、前記磁壁が前記強磁性細線内で移動しないように該磁壁を固定しつつ直流電流を供給することにより、前記磁壁における磁気モーメントを長軸の軸中心に回転させ、該磁気モーメントの回転によるマイクロ波を取り出すマイクロ波生成方法。

（以下、詳細は特許公報をご参照ください）

【特許請求の範囲】
【請求項１】
マグネシウムに、アルミニウム及び亜鉛を含むＡＺ６１Ｍｇ合金でなる金属材料素材を、順次、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向及びＸ軸方向に圧縮する降温多軸鍛造加工を行うことによって、微細化された結晶組織を有する加工金属材料を得る
ことを特徴とするマグネシウム合金材料製造方法。
【請求項２】
マグネシウムに、アルミニウム及び亜鉛を含むＡＺ６１Ｍｇ合金でなる金属材料素材を、順次、第１段パス、第２段パス、第３段パス及び第４段パスにおいて、６２３Ｋ±２０Ｋ、５７３Ｋ±２０Ｋ、５２３Ｋ±２０Ｋ、及び５０３Ｋ±２０Ｋ、の加工温度で、それぞれＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向及びＸ軸方向に圧縮する降温多軸鍛造加工を行うことによって、微細化された結晶組織を有する加工金属材料を得る
ことを特徴とするマグネシウム合金材料製造方法。
【請求項３】
マグネシウムに、アルミニウム及び亜鉛を含むＡＺ６１Ｍｇ合金でなる金属材料素材を、順次、第１段パス、第２段パス、第３段パス及び第４段パスにおいて、６２３Ｋ±２０Ｋ、５７３Ｋ±２０Ｋ、５２３Ｋ±２０Ｋ、及び５０３Ｋ±２０Ｋ、の加工温度で、それぞれＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向及びＸ軸方向に圧縮する降温多軸鍛造加工を行うことによって微細化された結晶組織を有する加工金属材料を得る圧縮加工手段
を具えることを特徴とするマグネシウム合金材料製造装置。
【請求項４】
マグネシウムに、アルミニウム及び亜鉛を含むＡＺ６１Ｍｇ合金でなる金属材料素材を、順次、第１段パス、第２段パス、第３段パス及び第４段パスにおいて、６２３Ｋ±２０Ｋ、５７３Ｋ±２０Ｋ、５２３Ｋ±２０Ｋ、及び５０３Ｋ±２０Ｋ、の加工温度で、それぞれＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向及びＸ軸方向に圧縮する降温多軸鍛造加工を行うことによって微細化された結晶組織を有する
ことを特徴とするマグネシウム合金材料。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
母相合金組織に直径１～３〔μｍ〕にして、かつ当該母相合金結晶組織より高硬度の第二相粒子を分散させてなる金属材料を、転位の上昇運動と消滅さらには再配列を促し、転位密度を減少させるが、粒界移動が起りにくい温度で、多軸鍛造加工することにより、上記母相合金組織の結晶粒を微細化する
ことを特徴とする金属材料製造方法。

【請求項２】
母相合金結晶組織に直径１～３〔μｍ〕にして、かつ当該母相合金結晶組織より高硬度の第二相粒子を分散させてなる金属材料を、０．４Ｔｍないし０．７Ｔｍ（Ｔｍは上記母相合金結晶組織の絶対温度の融点）の圧縮加工温度で、多軸鍛造加工することにより、上記母相合金結晶組織の結晶粒を微細化する
ことを特徴とする金属材料製造方法。

【請求項３】
母相合金結晶組織に直径１～３〔μｍ〕にして、かつ当該母相合金結晶組織より高硬度の第二相粒子を分散させてなる金属材料を、０．４Ｔｍないし０．７Ｔｍ（Ｔｍは上記母相合金結晶組織の絶対温度の融点）の圧縮加工温度で、多軸鍛造加工することにより、上記母相合金結晶組織の結晶粒を微細化する多軸鍛造手段
を具えることを特徴とする金属材料製造装置。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向へ移動し得る第１移動部と、当該第１方向と異なる第２方向へ移動し得る第２移動部とが一体に構成されてなる移動装置であって、
上記第１移動部は、
磁性体でなる第１基台に対して永久磁石の磁力により吸着される第１脚部と、
上記第１基台に対して永久磁石の磁力により吸着される第２脚部と、
上記第１脚部及び上記第２脚部の移動可能方向を上記第１方向に制限する第１移動方向制限部と、
上記第１方向に関する上記第１脚部と上記第２脚部との間隔を変更する第１間隔変更部と、
上記第１脚部における磁力を強化することにより上記第１基台に対する上記第１脚部の吸着力を強化する第１磁力強化手段と、
上記第２脚部における磁力を強化することにより上記第１基台に対する上記第２脚部の吸着力を強化する第２磁力強化手段と
を具え、
上記第２移動部は、
磁性体でなる第２基台に対して上記永久磁石の磁力により吸着される第３脚部と、
上記第２基台に対して上記永久磁石の磁力により吸着される第４脚部と、
上記第３脚部及び上記第４脚部の移動可能方向を上記第２方向に制限する第２移動方向制限部と、
上記第２方向に関する上記第３脚部と上記第４脚部との間隔を変更する第２間隔変更部と、
上記第３脚部における磁力を強化することにより上記第２基台に対する上記第３脚部の吸着力を強化する第３磁力強化手段と、
上記第４脚部における磁力を強化することにより上記第２基台に対する上記第４脚部の吸着力を強化する第４磁力強化手段と、
を具えることを特徴とする移動装置。
【請求項２】
上記第１間隔変更部及び上記第２間隔変更部は、
それぞれ圧電素子でなる
ことを特徴とする請求項１に記載の移動装置。
【請求項３】
上記第１移動方向制限部は、
上記第１方向に沿って上記第１基台に形成された第１溝部であり、
上記第２移動方向制限部は、
上記第２方向に沿って上記第２基台に形成された第２溝部である
ことを特徴とする請求項１に記載の移動装置。
【請求項４】
上記第１基台は、
少なくとも上記第１溝部が磁性体でなり、
上記第２基台は、
少なくとも上記第２溝部が磁性体でなる
ことを特徴とする請求項３に記載の移動装置。
【請求項５】
上記第１脚部は、
上記第１基台に対して２以上の接点により当接し、上記第１磁力強化手段により磁力が強化された際、上記第１基台との間に閉ループ磁気回路を形成し、
上記第２脚部は、
上記第１基台に対して２以上の接点により当接し、上記第２磁力強化手段により磁力が強化された際、上記第１基台との間に閉ループ磁気回路を形成し、
上記第３脚部は、
上記第２基台に対して２以上の接点により当接し、上記第３磁力強化手段により磁力が強化された際、上記第２基台との間に閉ループ磁気回路を形成し、
上記第４脚部は、
上記第２基台に対して２以上の接点により当接し、上記第４磁力強化手段により磁力が強化された際、上記第２基台との間に閉ループ磁気回路を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の移動装置。

（以下、詳細は特許公報をご参照ください。）

【特許請求の範囲】

【請求項１】
主軸と、この主軸の軸線周りに回転自在の回転体と、複数のリンク部材をパンタグラフ状に組み合わせて成り、前記回転体に対して前記主軸の径方向に伸縮自在に取り付けられたパンタグラフリンクと、前記主軸に対して平行かつ翼弦が前記リンク部材の長手方向となるように前記リンク部材に取り付けられた翼と、前記回転体の回転に伴って前記パンタグラフリンクを伸縮させるパンタグラフリンク駆動手段とを備え、前記回転体が前記主軸の軸線周りに一回転する間に前記翼に生じる流体力の合力が特定の方向に向くようにしたことを特徴とする回転翼機構。

【請求項２】
前記パンタグラフ駆動手段は、前記主軸に対して接近及び離間するように前記回転体上に摺動自在に取り付けられたスライダと、前記主軸に対して偏心した位置に固定配置され、前記主軸と平行な従節軸と、一端が前記従節軸により回動自在に軸支され、前記従節軸の径方向外側に向けて延びると共に他端が前記スライダに対して前記主軸と平行な軸線まわりに回動自在に連結された従節クランクとを備え、前記パンタグラフリンクは、前記従節クランクと前記スライダとの連結点と、前記回転体上における前記スライダよりも内側の部位に設定された支点との二点において伸縮自在に軸支されたことを特徴とする請求項１記載の回転翼機構。

【請求項３】
前記パンタグラフ駆動手段は、前記主軸に対して偏心した位置に固定配置され、前記主軸と平行な従節軸と、一端が前記従節軸により回動自在に軸支され、前記従節軸の径方向外側に向けて延びる従節クランクと、一端が前記従節クランクの他端に対して前記主軸と平行な軸線まわりに回動自在に連結され、他端が前記回転体の先端部に対して前記主軸と平行な軸線まわりに回動自在に連結されたカプラリンクとを備え、前記パンタグラフリンクは、前記従節クランクと前記カプラリンクとの連結点と、前記回転体上の中間部に設定された支点との二点において伸縮自在に軸支されたことを特徴とする請求項１記載の回転翼機構。

【請求項４】
前記パンタグラフ駆動手段は、前記主軸に対して接近及び離間するように前記回転体上に摺動自在に取り付けられたスライダと、このスライダを前記主軸の周りの閉じた非真円状の軌跡に沿って摺動自在に案内するレールとを備え、前記パンタグラフリンクは、前記スライダ上に設定された支点と、前記回転体上における前記スライダよりも内側の部位に設定された支点との二点において伸縮自在に軸支されたことを特徴とする請求項１記載の回転翼機構。

【請求項５】
請求項１記載の回転翼機構を備え、前記回転翼機構を回転駆動することにより発生する推進力で移動するようにしたことを特徴とする移動体。

【請求項６】
請求項１記載の回転翼機構を備え、前記回転翼機構が流体から与えられる力で回転することにより発生する回転力で発電を行うようにしたことを特徴とする発電機。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
荷重が負荷されると第１電極から第２電極までの電気抵抗が変化する複数の検出エレメントと、
前記複数の検出エレメントのうちの隣り合う隣接検出エレメントを接合し、前記隣接検出エレメントのうちの第１検出エレメントの第１電極を前記隣接検出エレメントのうちの第２検出エレメントの第１電極に第１抵抗器を介して電気的に接続し、前記第１検出エレメントの第２電極を前記第２検出エレメントの第２電極に第２抵抗器を介して電気的に接続する複数のケーブル
とを具備する二次元分布荷重中心位置検出センサ。

【請求項２】
請求の範囲１において、
前記ケーブルは、変形可能である
二次元分布荷重中心位置検出センサ。

【請求項３】
請求の範囲２において、
前記複数の検出エレメントは、格子状に配置される
二次元分布荷重中心位置検出センサ。

【請求項４】
請求の範囲１～請求の範囲３のいずれかにおいて、
前記電気抵抗は、前記荷重に概ね反比例する
二次元分布荷重中心位置検出センサ。

【請求項５】
請求の範囲１～請求の範囲４のいずれかに記載される二次元分布荷重中心位置検出センサと、
制御装置とを具備し、
前記二次元分布荷重中心位置検出センサは、
前記複数の検出エレメントのうちの第１方向の端に配置される検出エレメントの第１電極に電気的に接続される第１端子と、
前記複数の検出エレメントのうちの前記第１方向の反対方向の端に配置される検出エレメントの第１電極に電気的に接続される第２端子と、
前記複数の検出エレメントのうちの前記第１方向と異なる第２方向の端に配置される検出エレメントの第２電極に電気的に接続される第３端子と、
前記複数の検出エレメントのうちの前記第２方向の反対方向の端に配置される検出エレメントの第２電極に電気的に接続される第４端子とを備え、
前記制御装置は、前記二次元分布荷重中心位置検出センサに電流が流れるように前記第１端子と前記第２端子と前記第３端子と前記第４端子との間に電圧を印加し、前記第１端子を流れる電流と前記第２端子を流れる電流と前記第３端子を流れる電流と前記第４端子を流れる電流とに基づいて前記二次元分布荷重中心位置検出センサに作用する荷重の位置を算出する
二次元分布荷重中心位置検出装置。

【請求項６】
請求の範囲５において、
前記制御装置は、更に、前記第１端子を流れる電流と前記第２端子を流れる電流と前記第３端子を流れる電流と前記第４端子を流れる電流とに基づいて前記荷重を算出する
二次元分布荷重中心位置検出装置。

【請求項７】
請求の範囲１～請求の範囲４のいずれかにおいて、
前記複数の検出エレメントの各々は、
前記第１電極と前記第２電極とが表面に配置される基板と、
前記第１電極と前記第２電極との両方に電気的に接続される感圧素材とを備え、
前記第１電極と前記第２電極とは、前記基板と前記感圧素材とに挟まれる
二次元分布荷重中心位置検出センサ。

【請求項８】
請求の範囲１と請求の範囲２と請求の範囲３と請求の範囲４と請求の範囲７とのうちのいずれかにおいて、
弾性体から形成されるエラストマ層を更に具備し、
前記エラストマ層は、前記複数の検出エレメントと前記複数のケーブルとから形成される層を被覆する
二次元分布荷重中心位置検出センサ。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
仮想的に定義された３次元座標上において仮想的な立体形状であるソリッドモデルを作成するローカルカーネルと、該ローカルカーネルにネットワークを介して接続されたリモートカーネルを含み、これらのカーネル間で共通のデータを相互運用する３次元CADシステムであって、
前記リモートカーネル側において作成されたリモートソリッドモデルを構成する各要素に対し、それぞれの要素を識別するグローバルIDを付与する第1のグローバルID生成部と、
前記リモートソリッドモデルを作成した操作情報履歴を、前記グローバルIDと関連づけて蓄積する操作情報履歴蓄積部と、
前記操作情報履歴と、これに関連づけられたグローバルIDとをセットとして前記ローカルカーネルに送信する操作情報履歴送信部と、
前記ローカルカーネル側において、前記リモートソリッドモデルの操作情報履歴及びグローバルIDを受信する操作情報履歴受信部と、
受信された操作情報履歴に含まれるリモートカーネルにおける各操作を、当該各操作に対応する当該ローカルカーネルが有する操作に置換する操作情報翻訳部と、
受信された操作情報履歴に基づいて、前記置換された操作を順次実行し、ローカルカーネルを作成する操作情報実行部と、
操作情報実行部により生成されたローカルソリッドモデルの要素に対して、前記決定規則と同一の規則に基づいて、グローバルIDを付与する第2のグローバルID生成部と、
を備え、
前記要素は、前記ソリッドモデルを構成する最小単位形状であって、単一のモデリング操作によって生成される面、及び面が接する稜線の集合であり、
前記第1及び第2のグローバルID生成部は、前記要素のそれぞれを内接するように包含するバウンディングボックスの前記三次元座標上における座標位置に基づく決定規則に従って、各要素及び各要素に含まれる形状、面又は稜線に対して前記グローバルIDを付与する
ことを特徴とする3次元CADシステム。

【請求項２】
前記第1及び第2のグローバルID生成部は、前記バウンディングボックスが一致する複数の面がある場合に、これら複数の面の法線ベクトルを求め、法線ベクトルの相違に基づいて、当該複数の面を区別し、区別された複数の面それぞれに対して異なるグローバルIDを付与することを特徴とする請求項1に記載の3次元CADシステム。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
Ｓｉからなる基体の表面上に、Ｎｉを含む金属化合物、Ｃｏを含む金属化合物、およびＦｅを含む金属化合物から選ばれる１種又は２種以上の金属化合物を含有する溶液を塗布し、この基体の表面上に前記金属化合物を形成させる工程と、
前記金属化合物が表面上に形成された基体を、常圧の炭化水素ガス含有雰囲気中で１４００℃以上に加熱することにより、前記基体の表面上に、炭化水素ガスの熱分解によるダイヤモンドライクカーボン膜を形成する工程とを有し、
前記金属化合物の金属原子の数量が、基体を構成する原子の単位表面積当たりの原子の個数の１００分の１を超え、１未満となる範囲にて、前記金属化合物は前記基体の表面上に形成されることを特徴とするダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
母相結晶中に第二相粒子が析出又は分散している金属材料加工素材を冷間雰囲気内で微小単位加工量だけひずみ加工する低ひずみ加工ステップと、
上記低ひずみ加工ステップに続いて、上記金属材料加工素材の加工組織を温間雰囲気内で回復させることにより、上記微小単位加工量に対応する加工ひずみを蓄積させる温間回復処理ステップと
を含む加工サイクルを、複数サイクル繰り返すことにより、上記金属材料加工素材の結晶粒を微細化加工し、
上記低ひずみ加工ステップにおける上記微小単位加工量は、直後の上記温間回復処理ステップにおける回復処理時に再結晶を発現させない大きさであり、
かつ上記温間回復処理ステップにおける加工熱処理温度は、動的あるいは静的再結晶が起らず回復のみが起る温度であり、
これにより上記複数サイクルにおける上記加工サイクルの微細化加工処理ごとに上記金属材料加工素材のひずみ量を蓄積加工する
ことを特徴とする結晶粒微細化加工方法。

【請求項２】
母相結晶中に第二相粒子が析出又は分散している金属材料加工素材を温間雰囲気内で微小単位加工量だけひずみ加工する低ひずみ加工ステップと、
上記低ひずみ加工ステップに続いて、上記金属材料加工素材の加工組織を温間雰囲気内で回復させることにより、上記微小単位加工量に対応する加工ひずみを蓄積させる温間回復処理ステップと
を含む加工サイクルを、複数サイクル繰り返すことにより、上記金属材料加工素材の結晶粒を微細化加工し、
上記低ひずみ加工ステップにおける上記微小単位加工量は、当該低ひずみ加工処理時及び直後の上記温間回復処理ステップにおける回復処理時に再結晶を発現させない大きさであり、
かつ上記温間回復処理ステップにおける加工熱処理温度は、動的あるいは静的再結晶が起らず回復のみが起る温度であり、
これにより上記複数サイクルにおける上記加工サイクルの微細化加工処理ごとに上記金属材料加工素材のひずみ量を蓄積加工する
ことを特徴とする結晶粒微細化加工方法。

【請求項３】
母相結晶中に第二相粒子が析出又は分散している金属材料加工素材を冷間雰囲気内で微小単位加工量だけひずみ加工する第１の低ひずみ加工ステップと、上記第１の低ひずみ加工ステップに続いて、上記金属材料加工素材の加工組織を温間雰囲気内で回復させることにより、上記微小単位加工量に対応する加工ひずみを蓄積させる第１の温間回復処理ステップとを含む第１の加工サイクルと、
上記金属材料加工素材を温間雰囲気内で微小単位加工量だけひずみ加工する第２の低ひずみ加工ステップと、上記第２の低ひずみ加工ステップに続いて、上記金属材料加工素材の加工組織を温間雰囲気内で回復させることにより、上記微小単位加工量に対応する加工ひずみを蓄積させる第２の温間回復処理ステップとを含む第２の加工サイクルと、
を含む加工サイクルを、複数サイクル繰り返すことにより、上記金属材料加工素材の結晶粒を微細化加工し、
上記第１及び第２の低ひずみ加工ステップにおける上記微小単位加工量は、当該第１及び第２の低ひずみ加工処理時及び直後の上記第１及び第２の温間回復処理ステップにおける回復処理時に再結晶を発現させない大きさであり、
かつ上記第１及び第２の温間回復処理ステップにおける加工熱処理温度は、動的あるいは静的再結晶が起らず回復のみが起る温度であり、
これにより上記複数サイクルにおける上記加工サイクルの微細化加工処理ごとに上記金属材料加工素材のひずみ量を蓄積加工する
ことを特徴とする結晶粒微細化加工方法。

【請求項４】
上記温間回復処理ステップの上記加工熱処理温度は、０.５Ｔｍ（融点Ｔｍの半分の温度）以下である
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の結晶粒微細化加工方法。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
下部治具部に対して上部治具部を上下方向に移動させることによって圧縮室内の鍛造試料を圧縮加工する多軸鍛造用圧縮治具であって、
上記下部治具部は、上記上部治具部の上部アンビルを上方から挿脱動作される上記圧縮室と、上記圧縮室の下面に連通する位置から前端面に至るまでの間に形成された通路と、上記通路に挿脱される下部アンビルとを具え、
上記通路に上記下部アンビルを挿入することにより上記下部アンビルの上面によって上記圧縮室の下面を閉塞し、かつ上記上部治具部を上記下部治具部から離れる方向に移動させることにより上記上部アンビルを上記圧縮室から引き抜いた状態において、上記圧縮室に上記鍛造試料を入れた後上記上部治具部を上記下部治具部の方向に移動させることにより上記圧縮室に挿入された上記上部アンビルと上記下部アンビルと上記圧縮室の壁面との間に上記鍛造試料を第１の圧縮軸方向に圧縮加工し、
次に上記下部アンビルを上記通路から引き出した後、上記上部治具部を上記下部治具部の方向に移動させることにより上記上部アンビルによって上記加工後の鍛造試料を上記通路に突き落し、
次に当該加工後の鍛造試料を上記通路を介して外部に取り出した後当該通路に上記下部アンビルを挿入すると共に、上記上部治具部を上記下部治具部から離れる方向に移動させることにより上記上部アンビルを上記圧縮室から引き抜いた状態にし、これにより上記圧縮室に上記加工後の鍛造試料を入れることにより当該加工後の鍛造試料を上記第１の圧縮軸方向とは異なる第２の圧縮軸方向に圧縮加工できるようにする
ことを特徴とする多軸鍛造用圧縮治具。

【請求項２】
上記上部治具部及び上記下部治具部間に挿脱される圧縮高さ調節板を具え、
該圧縮高さ調節板は、上記上部アンビルによって上記鍛造試料を圧縮加工する際には上記上部治具部及び上記下部治具部間位置に挿入されると共に、当該圧縮加工された上記鍛造試料を上記圧縮室から上記通路に突き落す際には上記上部治具部及び上記下部治具部間位置から引き抜かれる
ことを特徴とする請求項１に記載の多軸鍛造用圧縮治具。

【請求項３】
下部治具部に対して上部治具部を移動させることによって圧縮室内の鍛造試料を圧縮加工する多軸鍛造用圧縮治具であって、
上記上部治具部は、第１の底面部の一端縁部に、圧縮上面と該圧縮上面に連接する圧縮側面とでなる圧縮凹所を有し、
上記下部治具部は、上記上部治具部の上記第１の底面部に対応する第２の底面部をもつ案内凹所を有し、
上記上部治具部を上記下部治具部から離れる方向に移動させることにより上記上部治具部を上記案内凹所から引き抜いた状態において、上記案内凹所のうち上記圧縮凹所に対応する位置に上記鍛造試料を入れた後、上記上部治具部を上記下部治具部の方向に移動させることにより、上記圧縮凹所の上記圧縮上面及び上記圧縮側面と、上記案内凹所の上記第２の底面部及び当該第２の底面部に連接する側面部とによって上記圧縮室を形成すると共に、上記圧縮凹所の上記圧縮上面によって上記下部治具部の上記第２の底面部との間に上記鍛造試料を第１の圧縮軸方向に圧縮加工し、
次に上記上部治具部を上記下部治具部から離れる方向に移動させた後上記上部治具部を上記案内凹所から引き抜いた状態において、上記鍛造試料を上記案内凹所から外部に取り出して入れ直すことにより当該鍛造試料を上記第１の圧縮軸方向とは異なる第２の圧縮軸方向に圧縮加工できるようにする
ことを特徴とする多軸鍛造用圧縮治具。

【請求項４】
上記案内凹所は、横断面がほぼ多角形形状になるように形成されると共に、上記第２の底面部は上記多角形形状の突出角部の方向に行くに従って深くなるように傾斜することにより、上記案内凹所に入れられる上記鍛造試料を上記突出角部の位置に位置決めし易くする
ことを特徴とする請求項３に記載の多軸鍛造用圧縮治具。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
コンピュータを用いて実行される次のステップを備えたことを特徴とする設計支援方法：
（１）設計変数範囲と、前記設計変数の入力選好度と、要求性能変数範囲と、前記要求性能の選好度とを設定するための命令を前記コンピュータが受け付けるステップ；
（２）前記コンピュータが、前記設計変数範囲を分割するための命令を受け付けるステップ；
（３）前記分割された設計変数範囲における性能の期待値およびロバスト性を統合的に評価するために、分割された各設計変数範囲について、以下の式に基づいて、前記コンピュータにおける算出手段がPRIを算出するステップ：
PRI=NDPI*NPSI
ここで、
NDPI：正規化されたDPI；
DPI：前記要求性能変数範囲における前記要求性能の選好度（ｐ（ｘ））と、前記設計変数範囲と前記設計変数の入力選好度とから得られる前記要求性能の可能性分布（ｑ（ｘ））とから算出される、性能の期待値；
NPSI：正規化されたPSI；
PSI：前記要求性能の可能性分布（ｑ（ｘ））の精度と安定性とを示す測度
である。

【請求項２】
さらに、コンピュータにより実行される次のステップを備えたことを特徴とする、請求項１記載の設計支援方法；
（４）前記PRIが０である場合には、該当する分割された設計変数範囲を、前記コンピュータにおける計算手段が、設計検討の対象から除外するステップ。

【請求項３】
請求項１における前記可能性分布を算出するために、コンピュータにより実行される次のステップを備えたことを特徴とする可能性分布の算出方法：
（１）前記設計変数の入力選好度が０の場合における、設計対象についての性能値の可能性分布を示す計算モデルを、前記コンピュータの算出手段が算出するステップ；
（２）前記コンピュータにおける算出手段が、任意の入力選好度における設計変数に対応する性能値を、前記計算モデルを用いて内挿により算出することにより、前記可能性分布を取得するステップ。

【請求項１】
管形状又は管の一部を長さ方向に切り欠いた形状の周側壁と、この周側壁の内部を長さ方向に仕切るリブとを備えた押出加工物の製造方法であって、押出方向に貫通孔が設けられたマンドレルと、このマンドレルの周囲に配されたダイスとを備えた成形用金型を準備し、前記周側壁を形成するための母材を前記マンドレルと前記ダイスの間の空間内に充填して押出方向に力を付与しつつ前記リブを形成するための被接合材を前記貫通孔を通して押出方向に供給し、前記ダイスの出口又はその付近で前記被接合材の長さ方向両側端部が前記母材の内周部に食い込んで前記母材と接合されるようにしたことを特徴とする押出加工物の製造方法。
【請求項２】
前記被接合材と前記母材が、これらの摩擦により生じる熱で溶着接合されるようにしたことを特徴とする請求項１記載の押出加工物の製造方法。
【請求項３】
前記被接合材と前記母材が同じ材料から成ることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の押出加工物の製造方法。
【請求項４】
前記被接合材の降伏応力又は縦弾性係数が前記母材の降伏応力又は縦弾性係数よりも高いことを特徴とする請求項１記載の押出加工物の製造方法。
【請求項５】
前記マンドレルの先端部形状は、外周部が押出方向に向かって連続的に縮小したテーパ状又は外周部が段状に縮小した段付き状であることを特徴とする請求項１記載の押出加工物の製造方法。
【請求項６】
前記マンドレルの先端部に開口した前記被接合材の供給口の所定の部位と前記ダイスの出口の開口面との押出方向の距離ｄが、－０．５Ｄ≦ｄ≦０．５Ｄ（但しＤは前記ダイスの出口の内径）の範囲内となるように、前記マンドレルと前記ダイスを組み合わせたことを特徴とする請求項５記載の押出加工物の製造方法。
【請求項７】
前記ダイスの出口の近傍に、前記母材を前記マンドレルの径方向外側へ導くフローガイドが設けられたことを特徴とする請求項５記載の押出加工物の製造方法。
【請求項８】
前記フローガイドは、前記ダイスの出口の周囲に形成された段差部であることを特徴とする請求項７記載の押出加工物の製造方法。
【請求項９】
前記フローガイドは、前記ダイスの出口の周縁部に形成されたテーパ面であることを特徴とする請求項７記載の押出加工物の製造方法。
【請求項１０】
前記マンドレルの外周面に沿って前記被接合材の長さ方向両側面に向かって流れる前記母材を、前記マンドレルの先端部に開口した前記被接合材の供給口よりも上流側において前記被接合材の両面から離反する方向に分岐させた後、前記被接合材と前記母材の接合が行われる位置で前記被接合材を両面から挟み込むように合流させる母材誘導部が前記マンドレルに設けられたことを特徴とする請求項１記載の押出加工物の製造方法。
【請求項１１】
前記母材誘導部は、前記マンドレルの外周面上に設けられた突起であることを特徴とする請求項１０記載の押出加工物の製造方法。
【請求項１２】
管形状又は管の一部を長さ方向に切り欠いた形状の周側壁と、この周側壁の内部を長さ方向に仕切るリブとを備えた押出加工物であって、前記リブが前記周側壁とは別体であり、かつ前記リブの長さ方向両側端部が前記周側壁の内周部に食い込んだ状態で前記周側壁と接合されたことを特徴とする押出加工物。
【請求項１３】
前記リブの長さ方向両側端部と前記周側壁が溶着接合されたことを特徴とする請求項１２記載の押出加工物。
【請求項１４】
前記リブと前記周側壁が同じ材料から成ることを特徴とする請求項１２又は請求項１３記載の押出加工物。
【請求項１５】
前記リブの表面に沿って形成される熱交換流体の層流に乱流を生じさせる貫通孔が前記リブに設けられたことを特徴とする請求項１２記載の押出加工物。
【請求項１６】
前記リブの表面に沿って形成される熱交換流体の層流に乱流を生じさせる凹凸が前記リブに設けられたことを特徴とする請求項１２記載の押出加工物。
【請求項１７】
前記リブが長さ方向に座屈可能に形成されたことを特徴とする請求項１２記載の押出加工物。
【請求項１８】
前記リブの長さ方向両側端部が凹凸状に形成されたことを特徴とする請求項１２記載の押出加工物。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
単一縦モード波長を出力する、少なくとも２個以上の種光発生手段と、 前記種光発生手段から出力された種光を合成する合成手段と、 前記合成された種光を特定波長に同期させ、該種光毎に生成される周波数純度が良く且つ光強度の高いレーザー光を出力するレーザー光発生手段と、前記レーザー光を予め定める波長別に弁別する弁別手段と、弁別されたレーザー光を電気信号に変換し、予め設定された基準信号と比較して、該電気信号と該基準信号に差分が生じた場合には、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振器長のいずれかの値を基準とし、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振器長の各値が所定の関係になるように基準以外の値を補正値として求め、前記種光発生手段又は前記レーザー光発生手段に求めた補正値を出力して前記種光発生手段又は前記レーザー光発生手段の共振器長を駆動制御する駆動制御手段と、 を備えることを特徴とするレーザー光発生装置。

【請求項２】
単一縦モード波長を出力する少なくとも２個以上の種光発生手段と、 前記種光発生手段から出力された種光を合成する合成手段と、 前記合成された種光を特定波長に同期させ、該種光毎に生成される周波数純度が良く且つ光強度の高いレーザー光を出力するレーザー光発生手段と、 前記レーザー光を電気信号に変換する光電変換手段と、前記電気信号を予め定められる周波数の電気信号毎に弁別する電気信号弁別手段と、弁別された電気信号を、予め設定された基準信号と比較して、該基準信号と該電気信号に差分が生じた場合には、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振器長のいずれかの値を基準とし、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振器長の各値が所定の関係になるように基準以外の値を補正値として求め、各前記種光発生手段又は前記レーザー光発生手段に求めた補正値を出力して前記種光発生手段又は前記レーザー光発生手段の共振器長を駆動制御する駆動制御手段と、前記種光発生手段にレーザー光に重畳させる変調信号を前記種光発生手段に出力する変調信号発生手段と、を備えることを特徴とするレーザー光発生装置。

【請求項３】
前記種光発生手段に前記補正値を出力する場合は、該種光発生手段毎に前記駆動制御手段を設けることを特徴とする請求項１又は２記載のレーザー光発生装置。

【請求項４】
前記種光発生手段に変調信号を出力する変調信号発生手段を備えることを特徴とする請求項１記載のレーザー光発生装置。

【請求項５】
前記駆動制御手段は、前記基準信号に対する前記電気信号の変位方向と変位量に基づいて補正値を算出し、該補正値を含む補正信号を共振器長に出力することを特徴とする請求項１又は２記載のレーザー光発生装置。

【請求項６】
前記弁別手段は、前記レーザー光発生手段から出力されたレーザー光を波長毎に分光する分光手段と、分光された光を電気信号に変換する光電変換手段を有することを特徴とする請求項１記載のレーザー光発生装置。

【請求項７】
前記種光発生手段毎に前記変調信号発生手段を設けることを特徴とする請求項２記載のレーザー光発生装置。

【請求項８】
単一縦モード波長を出力する、少なくとも２個以上の種光発生手段と、前記種光発生手段から出力された種光を合成する合成手段と、前記合成された種光をもとに光ソリトン列を形成する非線形媒質と、前記非線形媒質から出力されたレーザー光をパワーオシレーターの増幅周波数領域に一致させるための高調波発生手段と、光ソリトン又はその高調波を特定波長に同期させ高出力化された光ソリトン列を発生させるレーザー光発生手段と、該レーザー光を予め定められる波長別に弁別する弁別手段と、弁別されたレーザー光を電気信号に変換する光電変換手段と、該電気信号と予め設定された基準信号と比較して、該電気信号と該基準信号に差分が生じた場合には、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振器長のいずれかの値を基準とし、各種光発生手段の波長又はレーザー光発生手段の実効共振長の各値が所定の関係になるように基準以外の値を補正値として求め、前記種光発生手段又は前記レーザー光発生手段に求めた補正値を出力して前記種光発生手段又はレーザー光発生手段の共振器長を駆動制御する手段とを備えることを特徴とするレーザー光発生装置。

※以下、詳細は特許公報をご参照ください。