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【要約】
【課題】使用履歴情報を含むログ情報を喪失しにくくし、より確実に電池モジュールの使用履歴情報を収集する。
【解決手段】様々な場所で充放電可能な電池モジュールにより電力供給を行うシステムにおける電池モジュールの使用履歴情報を収集するシステムであって、電池モジュールに設けられたログ記録用メモリおよび電池モジュールを充放電する装置に設けられたログ記録用メモリか、個々の電池モジュールの使用履歴情報を含むログ情報を取得する手段と、取得したログ情報に基づいて電池モジュール毎の使用履歴情報をデータベースに保持して管理する手段とを備える。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　様々な場所で充放電可能な電池モジュールにより電力供給を行うシステムにおける電池モジュールの使用履歴情報を収集するシステムであって、電池モジュールに設けられたログ記録用メモリおよび電池モジュールを充放電する装置に設けられたログ記録用メモリから、個々の電池モジュールの使用履歴情報を含むログ情報を取得する手段と、取得したログ情報に基づいて電池モジュール毎の使用履歴情報をデータベースに保持して管理する手段とを備えたことを特徴とする電池モジュール使用履歴情報収集システム。
【請求項２】
　請求項１に記載の電池モジュール使用履歴情報収集システムにおいて、前記電池モジュールに設けられたログ記録用メモリには、当該電池モジュールのログ情報以外に、前記装置に同時に収容された他の電池モジュールのログ情報を記録することを特徴とする電池モジュール使用履歴情報収集システム。
【請求項３】
　請求項２に記載の電池モジュール使用履歴情報収集システムにおいて、前記電池モジュールに設けられたログ記録用メモリに記録する当該電池モジュールのログ情報以外の他の電池モジュールのログ情報の範囲を調整することで、ログ情報のデータサイズを調整することを特徴とする電池モジュール使用履歴情報収集システム。
【請求項４】
　様々な場所で充放電可能な電池モジュールにより電力供給を行うシステムにおける電池モジュールの使用履歴情報を収集するシステムに用いられる装置であって、電池モジュールに設けられたログ記録用メモリおよび電池モジュールを充放電する装置に設けられたログ記録用メモリから、個々の電池モジュールの使用履歴情報を含むログ情報を取得する手段と、取得したログ情報に基づいて電池モジュール毎の使用履歴情報をデータベースに保持して管理する手段とを備えたことを特徴とする電池モジュール使用履歴情報収集装置。
【請求項５】
　様々な場所で充放電可能な電池モジュールにより電力供給を行うシステムにおける電池モジュールの使用履歴情報を収集するシステムに用いられる電池モジュール使用履歴情報収集装置が実行する処理方法であって、電池モジュールに設けられたログ記録用メモリおよび電池モジュールを充放電する装置に設けられたログ記録用メモリから、個々の電池モジュールの使用履歴情報を含むログ情報を取得する工程と、取得したログ情報に基づいて電池モジュール毎の使用履歴情報をデータベースに保持して管理する工程とを備えたことを特徴とする電池モジュール使用履歴情報収集方法。

【要約】
【課題】　光学測定において効果的にノイズを除去して微小な信号を感度よく検出する。
【解決手段】　光学測定装置は、試料を励起するポンプ光を照射する第１光源と、前記励起された試料の変化を測定するプローブ光を照射する第２光源と、前記プローブ光を検出プローブ光と参照プローブ光に分割するビームスプリッタと、前記励起された試料を透過した前記検出プローブ光を受光する第１入力ポート、前記励起された試料を透過しない前記参照プローブ光を受光する第２入力ポート、及び前記検出プローブ光と前記参照プローブ光の差分を表わす電気信号を出力する出力端を有するバランス検出器と、前記バランス検出器の出力から所定のロックイン周波数で所望の信号を検出するロックイン増幅器と、を有する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　試料を励起するポンプ光を照射する第１光源と、前記励起された試料の変化を測定するプローブ光を照射する第２光源と、前記プローブ光を検出プローブ光と参照プローブ光に分割するビームスプリッタと、前記励起された試料を透過した前記検出プローブ光を受光する第１入力ポートと、前記励起された試料を透過しない前記参照プローブ光を受光する第２入力ポートと、前記検出プローブ光と前記参照プローブ光の差分を表わす電気信号を出力する出力端と、を有するバランス検出器と、前記バランス検出器の出力から、所定のロックイン周波数で所望の信号を検出するロックイン増幅器と、を有する光学測定装置。
【請求項２】
　前記プローブ光は、第１変調周波数で変調されており、前記ポンプ光は、第２変調周波数で変調されており、前記ロックイン増幅器は、前記第１変調周波数と前記第２変調周波数の差周波数の参照信号と、前記バランス検出器の出力とを入力として、前記差周波数で前記信号をロックイン検出することを特徴とする請求項１に記載の光学測定装置。
【請求項３】
　前記第２光源は白色光源から所定の波長の光を選択して前記プローブ光として照射し、前記第１光源は、前記白色光源から前記所定の波長以外の光を選択して前記ポンプ光と
して照射し、前記ロックイン増幅器は、前記ポンプ光の強度を変調する光強度変調信号の変調周波数の参照信号と、前記バランス検出器の出力とを入力として、前記変調周波数で前記信号をロックイン検出することを特徴とする請求項１に記載の光学測定装置。
【請求項４】
　前記バランス検出器は、前記参照プローブ光を光電変換して得られる参照光電流を所定の分割比で分割し、前記分割された一方の電流成分と、前記検出プローブ光を光電変換し
て得られる検出光電流との差分を電圧信号に変換して出力し、前記所定の分割比は、前記電圧信号に含まれる直流成分が最小となるようにフィードバック制御されることを特徴とする請求項１に記載の光学測定装置。
【請求項５】
　前記フィードバック制御の上限周波数は、前記ポンプ光と前記検出プローブ光で前記試料を走査する速度よりも大きく、前記ロックイン増幅器の前記ロックイン周波数よりも小さいことを特徴とする請求項４に記載の光学測定装置。
【請求項６】
　前記ポンプ光と前記プローブ光を円環ビームに成形するビーム成形器と、前記円環ビームに成形された前記ポンプ光と前記プローブ光を前記試料に入射させる第１光学系と、をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の光学測定装置。
【請求項７】
　前記ポンプ光と前記プローブ光を同軸に重畳する第２光学系、をさらに有し、前記ビーム成形器は、前記第１光学系と前記第２光学系の間に挿入されることを特徴とする請求項６に記載の光学測定装置。
【請求項８】
　前記第１光源及び前記第２光源は、近赤外領域よりも短波長の可視領域のレーザー光を出射する半導体レーザーであることを特徴とする請求項１に記載の光学測定装置。
【請求項９】
　請求項１～８のいずれか１項に記載の光学測定装置と、前記ポンプ光及び前記プローブ光に対して前記試料を相対的に走査する走査機構と、前記ロックイン増幅器により前記試料上の各走査点で検出された前記信号を収集し、処理する演算処理部と、を有することを特徴とする顕微イメージングシステム。
（以下省略）

【課題】計測誤差を増大させず、且つ、１台のカメラで撮像した入力画像を用いて物体等の３次元位置計測を行う。
【解決手段】入力画像からの計測物体の３次元位置計測において、カメラと計測物体の相対位置関係を変えず、鏡とカメラの位置関係を変えて、カメラで鏡越しに撮像した複数の画像を入力画像として取得し、入力画像中に映る特徴パターンの位置とカメラの焦点距離に基づいて鏡平面座標を計算し、鏡平面を中心にカメラ座標を鏡映変換した鏡空間のカメラ座標系を計算して、入力画像中の計測物体の位置を用いてカメラ座標から計測物体の方向を示す光線を計算し、仮想カメラ座標原点を始点とし光線を鏡映変換したベクトルを仮想光線として計算して、複数の仮想光線の交点を計測物体の位置として算出する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像から計測物体の位置を計測する装置であって、前記入力画像はカメラで鏡越しに撮像された画像であり、前記計測物体と、前記カメラからの位置姿勢関係が所定の関係である所定の特徴パターンが映っており、前記カメラと前記計測物体の相対位置関係を固定し、鏡とカメラの位置関係を可変可能として撮像された複数の画像が前記入力画像として入力され、前記入力画像中に映る特徴パターンの位置とカメラの焦点距離に基づいて算出された鏡空間中の特徴パターンの中心位置と、カメラから既知である実空間の特徴パターンの中心位置について、鏡映変換によって、実空間の特徴パターンと鏡空間の特徴パターンの中心点を結ぶ線分の中点を鏡平面座標の原点とし、前記線分と平行なベクトルを鏡平面座標の一つの座標軸とし、前記鏡平面座標原点を通り前記座標軸に垂直な平面を鏡平面として計算し、前記座標軸と前記鏡平面に任意に設定した２つの座標軸によって表される鏡平面座標を算出する鏡平面座標計算手段と、前記鏡平面を中心にカメラ座標を鏡映変換した鏡空間のカメラ座標系を算出する仮想カメラ座標計算手段と、入力画像中の計測物体の位置を用いてカメラ座標から計測物体の方向を示す光線を算出する光線計算手段と、前記仮想カメラ座標原点を始点とし、前記鏡平面を中心に前記光線を鏡映変換したベクトルを仮想光線として算出する仮想光線計算手段を備え、複数の入力画像各々に基づいて算出された複数の仮想光線の交点を計測物体の位置として算出する仮想光線交点計算手段とを備えたことを特徴とする３次元計測装置。
【請求項２】
前記仮想光線の交点は、光線同士が交わらない場合、２光線の方向ベクトルからなる法線を計算し、前記法線と平行な２光線を結ぶ線分を計算し、前記線分の中点を交点とすることを特徴とする請求項１記載の３次元計測装置。
【請求項３】
前記仮想光線が２本線以上ある場合は、各２光線の組み合わせの複数交点の重心位置を計測物体の位置として計算することを特徴とする請求項１及び２に記載の３次元計測装置。
【請求項４】
　入力画像から計測物体の位置を計測する方法であって、前記入力画像はカメラで鏡越しに撮像された画像であり、前記計測物体と、前記カメラからの位置姿勢関係が所定の関係である所定の特徴パターンが映っており、前記カメラと前記計測物体の相対位置関係を固定し、鏡とカメラの位置関係を可変可能として撮像された複数の画像が前記入力画像として入力され、
前記入力画像中に映る特徴パターンの位置とカメラの焦点距離に基づいて算出された鏡空間中の特徴パターンの中心位置と、カメラから既知である実空間の特徴パターンの中心位置について、鏡映変換により、実空間の特徴パターンと鏡空間の特徴パターンの中心点を結ぶ線分の中点を鏡平面座標の原点とし、前記線分と平行なベクトルを鏡平面座標の一つの座標軸とし
、前記鏡平面座標原点を通り前記座標軸に垂直な平面を鏡平面として算出し、前記座標軸と前記鏡平面に任意に設定した２つの座標軸によって表される鏡平面座標を算出するステ
ップと、前記鏡平面を中心にカメラ座標を鏡映変換した鏡空間のカメラ座標系を算出するステップと、入力画像中の計測物体の位置を用いてカメラ座標から計測物体の方向を示す光線を算出するステップと、前記仮想カメラ座標原点を始点とし、前記鏡平面を中心に前記光線を鏡映変換したベクトルを仮想光線として算出するステップを備え、
複数の入力画像各々に基づいて計算された複数の仮想光線の交点を計測物体の位置として算出するステップと、を含むことを特徴とする３次元計測方法。
【請求項５】
前記仮想光線の交点は、光線同士が交わらない場合、２光線の方向ベクトルからなる法線を計算し、前記法線と平行な２光線を結ぶ線分を計算し、前記線分の中点を交点とするこ
とを特徴とする請求項４記載の３次元計測方法。
（以下省略）

【要約】
【課題】伝送線路の幅を拡大することなく、広帯域化を図ることができ、回路配置の自由度が高い高周波短絡回路を提供する。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　一端及び他端を有する２つ以上の伝送線路を備え、上記２つ以上の伝送線路は、上記一端及び他端同士がそれぞれ電気的に接続され、該一端からインピーダンスを見ることを特徴とする高周波短絡回路。
【請求項２】
　上記２つ以上の伝送線路のそれぞれは、長さ方向にわたって線路インピーダンスが一様である一様伝送線路、第１の伝送線路と、該第１の伝送線路に接続され、該第１の伝送線路の線路インピーダンスよりも小さい線路インピーダンスを有する第２の伝送線路を有するステップインピーダンス伝送線路、又は長さ方向にわたって線路インピーダンスが連続的に変化するテーパ型伝送線路のうちのいずれか１つであることを特徴とする請求項１記載の高周波短絡回路。
【請求項３】
　上記２つ以上の伝送線路は、一様伝送線路であり、
　少なくとも１つの上記一様伝送線路は、特性インピーダンス又は線路長のうち少なくとも１つが他の一様伝送線路と異なることを特徴とする請求項１又は２記載の高周波短絡回路。
【請求項４】
　上記２つ以上の伝送線路は、ステップインピーダンス伝送線路であり、少なくとも１つの上記ステップインピーダンス伝送線路は、インピーダンス比又は線路長のうち少なくとも１つが他のステップインピーダンス伝送線路と異なることを特徴とする請求項２記載の高周波短絡回路。
【請求項５】
　上記２つ以上の伝送線路は、ステップインピーダンス伝送線路であり、上記第２の伝送線路は、２つ以上の一様伝送線路を平行に配置することによって構成されることを特徴とする請求項２記載の高周波短絡回路。
【請求項６】
　上記ステップインピーダンス伝送線路は、上記第１の伝送線路と上記第２の伝送線路との接続位置同士がそれぞれ電気的に接続されることを特徴とする請求項４又は５記載の高周波短絡回路。
【請求項７】
　上記２つ以上の伝送線路は、テーパ型伝送線路であり、少なくとも１つの上記テーパ型伝送線路は、インピーダンス比、線路長又はテーパ形状のうち少なくとも１つが他のテーパ型伝送線路とは異なることを特徴とする請求項２記載の高周波短絡回路。
【請求項８】
　上記２つ以上の伝送線路は、一様伝送線路、ステップインピーダンス伝送線路又はテーパ型伝送線路のうち少なくとも２つ以上を含むことを特徴とする請求項１記載の高周波短絡回路。
【請求項９】
　上記２つ以上の伝送線路は、一様伝送線路、ステップインピーダンス伝送線路又はテーパ型伝送線路のうち２つを含むことを特徴とする請求項８記載の高周波短絡回路。

【課題】　効果的にノイズを除去して強度が微小な信号を感度よく検出する。
【解決手段】　光学測定装置は、光源と、前記光源からの光をプローブ光と参照光に分割する第１光学素子と、前記プローブ光を試料に導く第１パスと、時間軸上で前記参照光と前記プローブ光間に相対的な遅延を与えるように光路長が調整された前記参照光の第２パスと、前記試料を照射した前記プローブ光と、前記光路長が調整された前記参照光をひとつの共通の検出素子で検出して検出信号を出力する検出器と、前記検出信号のうち、前記プローブ光に由来する信号と前記参照光に由来する信号にそれぞれ逆の符号を適用して平衡化を行い、前記プローブ光に由来する信号と前記参照光に由来する信号の差分を前記試料の測定結果として出力する平衡器と、を有する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　光源と、
　前記光源からの光をプローブ光と参照光に分割する第１光学素子と、前記プローブ光を試料に導く第１パスと、時間軸上で前記参照光と前記プローブ光の間に相対的な遅延を与えるように光路長が調整された前記参照光の第２パスと、前記試料を照射した前記プローブ光と、前記光路長が調整された前記参照光をひとつの共通の検出素子で検出して検出信号を出力する検出器と、前記検出信号のうち、前記プローブ光に由来する信号と前記参照光に由来する信号にそれぞれ逆の符号を適用して平衡化を行い、前記プローブ光に由来する信号と前記参照光に由来する信号の差分を前記試料の測定結果として出力する平衡器と、を有することを特徴とする光学測定装置。
【請求項２】
　前記平衡器は、
　前記検出信号に、前記光源からの光に同期する±１の振幅の方形波を乗算する乗算器、を有し、前記乗算結果により前記差分を得ることを特徴とする請求項１に記載の光学測定装置。
【請求項３】
　前記平衡器は、前記方形波にバイアスを印加するバイアス源、をさらに有し、前記バイアスにより前記プローブ光と前記参照光の検出強度比を調整することを特徴とする請求項２に記載の光学測定装置。
【請求項４】
　前記平衡器は、　前記光源からの光の角周波数に同期する正弦波信号の位相を調整する位相シフタと、前記検出信号に、前記位相が調整された前記正弦波信号を乗算する乗算器と、を有し、前記乗算結果により前記差分を得ることを特徴とする請求項１に記載の光学測定装置。
【請求項５】
　前記平衡器は、前記乗算器の出力の直流成分を前記位相シフタにフィードバックさせるフィードバック系を有し、前記フィードバックを用いて、前記プローブ光と前記参照光の検出強度比を平衡させることを特徴とする請求項４に記載の光学測定装置。
【請求項６】
　前記検出器と前記平衡器の間に挿入される共振器をさらに有し、前記検出信号のうち特定の帯域の周波数成分が前記平衡器に入力されることを特徴とする請求項４に記載の光学測定装置。
【請求項７】
　前記プローブ光に同期して刺激を生成する刺激源、をさらに有し、前記試料は前記プローブ光に同期して前記刺激を受け、前記平衡器は前記刺激に誘起された前記試料の状態変化を前記測定結果として出力することを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の光学測定装置。
【請求項８】
　参照信号を生成する参照信号源と、
　前記参照信号の周波数で前記平衡器の出力をロックイン検出するロックイン検出部と、をさらに有し、前記刺激の強度は、前記参照信号の周波数で変調されることを特徴とする請求項７に記載の光学測定装置。
【請求項９】
　前記試料と前記検出器の間に配置される分光器、をさらに有し、前記光源は白色光源であり、前記第１光学素子は、前記光源からの光を白色プローブ光と白色参照光に分割し、前記第２光学素子は、前記白色プローブ光と前記白色参照光を重ね合わせて前記試料に導き、前記試料を透過した前記白色プローブ光と前記白色参照光は、前記分光器で複数の波長成分に分光され、前記検出器は、前記分光された波長の各々に対応して配置され、対応する波長成分の前記プローブ光と前記参照光を共通して検出することを特徴とする請求項１に記載の光学測
定装置。
（以下省略）

【要約】
【課題】成膜に要する時間を短縮することができ、且つ膜品質を向上させることが可能なダイヤモンドライクカーボン膜の成膜装置およびその形成方法を提供する。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　ダイヤモンドライクカーボン膜を成膜する成膜対象物を配置し、成膜用ガスおよび前記成膜用ガス以外のガスを流動させる流動経路と、水素ガス、窒素ガスまたはアルゴンガスの何れかを含むキャリアガスを所定流量で前記流動経路に供給するキャリアガス供給源と、ケトン体、アルコール類またはカルボン酸の何れかのガスから成る炭素源を所定流量で前記流動経路に供給する炭素源ガス供給源と、前記キャリアガス供給源および前記炭素源ガス供給源から前記流量経路へのガス流量を制御するガス制御部と、前記流動経路の温度を上昇させる加温部と、前記流動経路内の温度が所定温度となるように前記加温部を制御する温度制御部と、を備え、前記ガス制御部は、前記流動経路が成膜温度に達するまで、前記キャリアガスを前記キ
ャリアガス供給源から前記流動経路に供給するように制御すると共に、前記流動経路が成膜温度に達した際に、炭素源が所定濃度で含まれるように、前記成膜用ガスを前記キャリアガス供給源および前記炭化水素ガス供給源から前記流動経路に所定流量で供給するように制御することを特徴とするダイヤモンドライクカーボン膜の成膜装置。
【請求項２】
　前記ガス制御部は、成膜完了後において、前記キャリアガス供給源から供給されるキャリアガスを前記流動経路に供給するように制御することを特徴とする請求項１に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の成膜装置。
【請求項３】
　前記ガス制御部は、成膜前と成膜後とで、前記キャリアガスの種類を変更するように制御することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の成膜装置。
【請求項４】
　前記成膜温度は、１０００～１４００℃であることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の成膜装置。
【請求項５】
　前記成膜用ガスの前記炭素源と前記成膜用ガス以外のモル比が０．１８～０．３０：１．０であることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか１項に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の成膜装置。
【請求項６】
　前記ケトン体は、アセトンであることを特徴とする請求項１から請求項５の何れか１項に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の成膜装置。
【請求項７】
　前記キャリアガス供給源およびガス制御部によるガスの供給は、バブリングを経由して行われることを特徴とする請求項１から請求項６の何れか１項に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の成膜装置。
【請求項８】
　前記成膜対象物は、所定のセラミックまたは所定の金属で構成されることを特徴とする請求項１から請求項７の何れか１項に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の成膜装置。
【請求項９】
　水素ガスを流動させる流動経路に、ダイヤモンドライクカーボン膜を成膜する成膜対象物を配置する工程と、前記水素ガスを所定流量で前記流動経路に流すと共に前記成膜対象物を室温から所定温度まで上昇させる工程と、前記所定温度に達した際に、前記水素ガスをキャリアガスとして炭素源であるケトン体、アルコール類またはカルボン酸の何れかを所定の濃度で含む成膜用ガスを前記流動経路に所定時間にわたって流動させる工程と、前記所定温度の状態を所定時間にわたって保持する工程とを有することを特徴とするダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法。
【請求項１０】
　前記炭素源としてのケトン体は、アセトンであることを特徴とする請求項９に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法。
【請求項１１】
　前記成膜対象物は、セラミックまたは金属で構成されることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法。
【請求項１２】
　前記成膜用ガスを流す前に、前記水素ガスを流動させることにより、前記成膜対象物の表面について前記水素ガスの還元作用により不純物除去を行うことを特徴とする請求項９から請求項１１の何れか１項に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法。
【請求項１３】
　前記成膜対象物の表面には、金属からなる触媒が塗布されていることを特徴とする請求項９から請求項１２の何れか１項に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法。
【請求項１４】
　前記金属からなる触媒は、セラミックで構成されることを特徴とする請求項１３に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法。
（以下省略）

【要約】
【課題】皮膜密着性に優れた水素透過防止機能膜を有するクロム含有金属材料を提供すること。
【解決手段】ステンレス鋼又はクロムモリブデン鋼の金属材料と、前記金属材料の表面の少なくとも一部を被覆するクロム酸窒化物膜と、前記クロム酸窒化物の表面の少なくとも一部を被覆するセラミック膜と、を有し、前記クロム酸窒化物膜の膜厚は、０．０１μｍ～１μｍの範囲内にあり、前記セラミック膜の膜厚は、０．１μｍ～１０μｍの範囲内にある、クロム含有金属材料。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　ステンレス鋼又はクロムモリブデン鋼の金属材料と、前記金属材料の表面の少なくとも一部を被覆するクロム酸窒化物膜と、前記クロム酸窒化物の表面の少なくとも一部を被覆するセラミック膜と、を有し、前記クロム酸窒化物膜の膜厚は、０．０１μｍ～１μｍの範囲内にあり、前記セラミック膜の膜厚は、０．１μｍ～１０μｍの範囲内にある、クロム含有金属材料。
【請求項２】
　前記クロム酸窒化物膜中の酸素含有量は、１０ｍｏｌ％以下である、請求項１に記載のクロム含有金属材料。
【請求項３】
　前記セラミック膜は、クロム窒化物、ボロン窒化物、アルミニウム酸化物、チタン窒化物及びケイ素炭化物の群から選択されるセラミックを含む、請求項１又は２に記載のクロム含有金属材料。
【請求項４】
　前記クロム酸窒化物膜及び前記セラミック膜は、各々、結晶質であり、かつ、結晶粒径が２００ｎｍ以下である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のクロム含有金属材料。
【請求項５】
　前記金属材料はステンレス鋼であり、前記ステンレス鋼は、ＳＵＳ３１６Ｌである、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のクロム含有金属材料。
【請求項６】
　ステンレス鋼又はクロムモリブデン鋼の金属材料の表面の少なくとも一部にクロム酸窒化物膜を成膜する、第１の成膜工程と、前記クロム酸窒化物膜の少なくとも一部にセラミック膜を成膜する、第２の成膜工程と、を含み、前記クロム酸窒化物膜の膜厚は、０．０１μｍ～１μｍの範囲内にあり、前記セラミック膜の膜厚は、０．１μｍ～１０μｍの範囲内にある、クロム含有金属材料の製造方法。
【請求項７】
　前記第１の成膜工程及び前記第２の成膜工程の少なくとも一方は、物理的蒸着法により実施される、請求項６に記載のクロム含有金属材料の製造方法。
【請求項８】
　前記物理的蒸着法は、イオンプレーティング法である、請求項７に記載のクロム含有金属材料の製造方法。
【請求項９】
　前記クロム酸窒化物膜中の酸素含有量は、１０ｍｏｌ％以下である、請求項６乃至８のいずれか一項に記載のクロム含有金属材料の製造方法。
【請求項１０】
　前記セラミック膜は、クロム窒化物、ボロン窒化物、アルミニウム酸化物、チタン窒化物及びケイ素炭化物の群から選択されるセラミックを含む、請求項６乃至９のいずれか一項に記載のクロム含有金属材料の製造方法。
【請求項１１】
　前記クロム酸窒化物膜及び前記セラミック膜は、各々、結晶質であり、かつ、結晶粒径が２００ｎｍ以下である、請求項６乃至１０のいずれか一項に記載のクロム含有金属材料の製造方法。
【請求項１２】
　前記金属材料はステンレス鋼であり、前記ステンレス鋼は、ＳＵＳ３１６Ｌである、請求項６乃至１１のいずれか一項に記載のクロム含有金属材料の製造方法

【要約】
【課題】　画素単位で表示を行う表示装置において、アドレス期間の短縮と画質維持を両立する。
【解決手段】　マトリクス状に画素が配置される表示画面を有し画素単位の階調表示を行う表示装置において、連続する２フレーム分の画像データを取り込み、前記２フレームのうち、１フレーム目で前記表示画面の第１領域で複数ライン同時走査を行ない、残りの第２領域で線順次走査を行ない、２フレーム目で前記表示画面の前記第１領域で線順次走査を行ない、前記第２領域で複数ライン同時走査を行なう。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　マトリクス状に配置される複数の画素を有する表示部と、連続する２フレーム分の画像データを取り込み、前記２フレーム分の画像データの画素値を決定するデータ決定部と、決定された画素値に基づいて前記表示部を駆動する駆動回路と、前記データ決定部で決定された画素値を１フレームごとに受け取り、画素ごとに、前記決定された画素値を階調表示するデータに変換し、前記変換されたデータを前記駆動回路に出力する変換部と、を備え、前記データ決定部は、前記２フレーム分の画像データのうち、１フレーム目で前記表示部の第１領域に含まれる画素と、２フレーム目で前記表示部の残りの第２領域に含まれる画素について、連続する複数の走査ラインにわたって前記走査ラインと直交する同じ列に並ぶ画素が同一の画素値をとるように画素値を決定し、前記１フレーム目の前記第２領域に含まれる画素と、前記２フレーム目の前記第１領域に含まれる画素に対して、各走査ラインの順次走査を許容する画素値を決定することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
　前記データ決定部は、前記１フレーム目の前記第２領域に含まれる画素と、前記２フレーム目の前記第１領域に含まれる画素に対し、前記２フレーム目の前記第２領域と、前記１フレーム目の前記第１領域で前記同一の画素値が決定されたことにより生じる誤差を補正する補正値を決定することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
　前記データ決定部は、前記誤差の補正が前記表示装置の階調レベルの範囲内で可能な場合は、前記走査ラインと直交する同じ列に並ぶ画素の画素値の平均または平均近傍の値を前記同一の画素値として決定し、前記誤差の補正が前記階調レベルの範囲を逸脱する場合は前記誤差を最小にする補正値を決定することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
　前記表示装置は複数の走査電極を有し、前記駆動回路は、前記データ決定部で決定された画素値に基づいて、前記１フレーム目で前記表示部の前記第１領域で連続する複数の走査電極に対して同時に走査パルスを印加し、前記第２領域の各走査電極に対して異なるタイミングで走査パルスを印加し、前記２フレーム目で、前記第１領域の各走査電極に異なるタイミングで走査パルスを印加し、前記第２領域で前記連続する複数の走査電極に対して同時に走査パルスを印加することを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
　マトリクス状に画素が配置される表示画面を有し階調表示を行う表示装置において、連続する２フレーム分の画像データを取り込み、前記２フレームのうち、１フレーム目で前記表示画面の第１領域で複数ライン同時走査を行ない、残りの第２領域で線順次走査を行ない、２フレーム目で前記表示画面の前記第１領域で線順次走査を行ない、前記第２領域で複数ライン同時走査を行なう、ことを特徴とする表示方法。

【請求項６】
　前記２フレーム分の画像データのうち、１フレーム目の前記第１領域に含まれる画素と２フレーム目の前記第２領域に含まれる画素について、連続する複数の走査ラインにわたって前記走査ラインと直交する同じ列に並ぶ画素に対して同一の画素値を決定し、　前記1フレーム目の前記第２領域に含まれる画素と、前記２フレーム目の前記第１領域に含まれる画素について、各走査ラインの順次走査を許容する画素値を決定する工程をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の表示方法。

【要約】
【課題】トランジスタの最適負荷特性を測定するにあたって、本来期待される動作周波数帯域での直接測定は従来の測定機材では難しく、また、コンピュータシミュレーションも困難である。
【解決手段】本発明によるトランジスタ最適負荷特性測定装置およびトランジスタ最適負荷特性測定方法では、トランジスタの特性を、入力信号の周波数に依存する寄生成分特性と、寄生成分特性以外の真性部特性に対する最適負荷特性とに分けてそれぞれに測定し、これらの測定結果に基づいてトランジスタ最適負荷特性を算出する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　任意の周波数帯域における特性を測定する対象となるトランジスタの各端子を接続する接続部と、前記接続部の入力側に入力することで前記トランジスタが大信号非線形動作を行う第１入力信号を生成し、前記特性のうち入力信号の周波数に依存する寄生成分特性を測定する際に前記大信号非線形動作時の前記接続部の出力側に入力する第２入力信号を生成し、か
つ、前記特性のうち前記寄生成分特性以外の真性部特性に対する最適負荷特性を測定する際に前記大信号非線形動作時の前記接続部の前記出力側に入力する第３入力信号を生成する入力信号生成部と、前記寄生成分特性を測定し、かつ、前記真性部特性に対する最適負荷特性を測定する測定部と、前記寄生成分特性の測定値と、前記真性部特性に対する最適負荷特性の測定値とに基づいて、前記トランジスタの前記特性を算出する演算部とを具備するトランジスタ最適負荷特性測定装置。
【請求項２】
　請求項１に記載のトランジスタ最適負荷特性測定装置において、前記第２入力信号の基本周波数は、前記任意の周波数帯域に含まれており、前記第３入力信号の基本周波数は、前記任意の周波数帯域より低い周波数帯域に含まれており、前記第１入力信号は、前記真性部特性に対する最適負荷特性を測定する際には前記第３入力信号に同期しているトランジスタ最適負荷特性測定装置。
【請求項３】
　請求項１または２に記載のトランジスタ最適負荷特性測定装置において、前記接続部は、前記トランジスタのゲート、ドレインおよびソースを接続する第１接続端子、第２接続
端子および第３接続端子と、第１入力部が前記第２接続端子に接続された接続回路部とを具備し、前記接続部の前記入力側は、前記第１接続端子に導通した第１入力端子と、前記接続回路部の第２入力部に接続された第２入力端子とを具備し、前記接続部の前記出力側は、前記接続回路部の第１出力部に接続された第１出力端子と、前記接続回路部の第２出力部に接続された第２出力端子とを具備し、前記接続回路部は、前記第１入力部および前記第２入力部の間に接続された第１インピーダンス部と、前記第１インピーダンスに導通されて、かつ、前記第１出力部および前記第２出力部の間に接続された第２インピーダンス部とを具備するトランジスタ最適負荷特性測定装置。
【請求項４】
　請求項１～３のいずれかに記載のトランジスタ最適負荷特性測定装置において、前記測定部は、前記真性部特性に対する最適負荷特性をインピーダンスとして測定する第１測定部と、
　前記寄生成分特性をＳパラメータ群として測定する第２測定部とを具備し、演算部は、前記Ｓパラメータ群をＹパラメータ群に変換する変換部と、前記Ｙパラメータ群を前記真性部特性に対する最適負荷特性に加算して前記トランジスタの前記任意の周波数帯域における特性を算出する加算部とを具備するトランジスタ最適負荷特性測定装置。
【請求項５】
　請求項４に記載のトランジスタ最適負荷特性測定装置において、前記演算部は、前記特性の算出結果に基づいて、前記トランジスタに適合する負荷回路のパラメータを算出する設計部
をさらに具備するトランジスタ最適負荷特性測定装置。
【請求項６】
　任意の周波数帯域における特性を測定する対象となるトランジスタの各端子を接続部に接続することと、前記特性のうち入力信号の周波数に依存する寄生成分特性を測定することと、
　前記特性のうち前記寄生成分特性以外の真性部特性に対する最適負荷特性を測定することと、前記寄生成分特性の測定値と、前記真性部特性に対する最適負荷特性の測定値とに基づ
いて、前記トランジスタの前記特性を算出することとを具備し、前記寄生成分特性を測定することは、前記トランジスタが入力すると大信号非線形動作を行う第１入力信号を生成することと、前記第１入力信号を前記接続部の入力部に入力することと、前記任意の周波数帯域より低い周波数帯域に含まれる基本周波数を有する第３入力信号を生成することと、前記第３入力信号を前記接続部の出力側に入力することとを具備するトランジスタ最適負荷特性測定方法。
（以下省略）

【要約】
【課題】　量子効率の向上とキャリアの長寿命化を実現する太陽電池を提供する。
【解決手段】　太陽電池は、第１の導電型の半導体層と、第２の導電型の半導体層と、前記第１及び第２の導電型の半導体層の間に配置される半導体領域とを含み、前記半導体領域は、前記第１の導電型の半導体層に隣接する第１半導体層と、前記第１半導体上に形成される量子ドット層を含み、前記量子ドット層は、第１障壁層と、前記第１障壁層上に形成され面内密度が３．０×１０11ｃｍ-2～５×１０11ｃｍ-2、高さが１．５～２．０ｎｍである量子ドットとを含む。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　第１の導電型の半導体層と、第２の導電型の半導体層と、前記第１及び第２の導電型の半導体層の間に配置される半導体領域と、を含み、前記半導体領域は、　前記第１の導電型の半導体層に隣接する第１半導体層と、前記第１半導体層上に形成される量子ドット層を含み、前記量子ドット層は、第１障壁層と、前記第１障壁層上に形成され面内密度が３．０×１０11ｃｍ-2～５×１０11ｃｍ-2、高さが１．５～２．０ｎｍである量子ドットとを含むことを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
　前記量子ドット層は、Type-Iバンド構造を有することを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
　前記量子ドット層は、Type-IIバンド構造を有し、前記量子ドット上に形成されて前記第１障壁層とともに前記量子ドットを挟み込む第２障壁層、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項４】
　波長１０００ｎｍ以上の光に対する前記量子ドットからの発光の減衰時間が３～６ｎｓであることを特徴とする請求項２に記載の太陽電池。
【請求項５】
　波長１０００ｎｍ以上の光に対する前記量子ドットからの発光の減衰時間が３～１０ｎｓであることを特徴とする請求項３に記載の太陽電池。
【請求項６】
　前記障壁層はＧａＡｓＳｂであり、前記量子ドットはＩｎＡｓであることを特徴とする請求項１～５のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項７】
　前記半導体領域において、前記量子ドット層は、前記第２の導電型の半導体層から１００～２００ｎｍ離れた位置に配置されることを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項８】
　第１の導電型の半導体層上に、第１半導体層を介してアンチモン（Ｓｂ）を８～５０％含む第１障壁層を形成し、前記第１障壁層上に、基板温度４７０～４８０℃で、量子ドットを面内密度３．０×１０11ｃｍ-2～５×１０11ｃｍ-2、平均高さ１．５～２．０ｎｍに成長し、前記量子ドットの上方に、第２半導体層を介して第２の導電型の半導体層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項９】
　前記量子ドット上に第２障壁層を形成する工程、をさらに含み、前記第２障壁層上に前記第２半導体層を形成することを特徴とする請求項８に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
　前記第１障壁層の形成は、前記第１半導体層としてのＧａＡｓ層上に、ＧａＡｓＳｂ層を形成し、　前記量子ドットの形成は、前記ＧａＡｓＳｂ層上にＩｎＡｓ量子ドットを形成することを特徴とする請求項８又は９に記載の太陽電池の製造方法。

【要約】
【課題】
正常細胞の光路長変化量に基づいて算出した閾値を用いて、細胞に光を照射したときに計測される光路長変化量に基づいて細胞を識別することができる細胞識別装置又は細胞識別方法を提供すること。
【解決手段】
細胞に光を照射したときに計測される光路長変化量を用いて、前記細胞を識別する細胞識別装置であって、前記細胞を透過したときの前記光の強度に基づいて、前記光路長変化量を計測する計測手段と、正常細胞の光路長変化量に基づいて算出した閾値を用いて、前記細胞を識別する解析手段とを有する、ことを特徴とする。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　細胞に光を照射したときに計測される光路長変化量を用いて、前記細胞を識別する細胞識別装置であって、前記細胞を透過したときの前記光の強度に基づいて、前記光路長変化量を計測する計測手段と、正常細胞の光路長変化量に基づいて算出した閾値を用いて、前記細胞を識別する解析手段とを有することを特徴とする細胞識別装置。
【請求項２】
　前記解析手段は、前記正常細胞の複数の位置に対応する複数の光路長変化量を抽出し、抽出した前記複数の光路長変化量の平均値を算出し、算出した前記平均値を前記閾値とする、ことを特徴とする、請求項１に記載の細胞識別装置。
【請求項３】
　前記解析手段は、前記正常細胞の複数の位置に対応する複数の光路長変化量を抽出し、抽出した前記複数の光路長変化量について複数の平均値を算出し、算出した前記複数の平
均値においてエラーレートに基づいて前記閾値を設定することを特徴とする、請求項１に記載の細胞識別装置。
【請求項４】
　前記解析手段は、前記閾値以下の前記光路長変化量の前記細胞を正常な細胞とし、該閾値を越える該光路長変化量の該細胞を異常な細胞とする、ことを特徴とする、請求項１乃
至請求項３のいずれか一項に記載の細胞識別装置。
【請求項５】
　前記解析手段は、前記癌細胞の転移性癌細胞の複数の位置に対応する複数の光路長変化量に基づいて算出される第２の閾値を用いて、前記閾値を越え且つ前記第２の閾値以下の光路長変化量の癌細胞を転移性癌細胞とし、該第２の閾値を越える光路長変化量の癌細胞を非転移性癌細胞とする、ことを特徴とする、請求項４に記載の細胞識別装置。
【請求項６】
　前記解析手段は、前記正常細胞の複数の光路長変化量のうちの値が大きい方から所定の数の光路長変化量を抽出する、ことを特徴とする、請求項１乃至請求項５のいずれか一項
に記載の細胞識別装置。
【請求項７】
　前記計測手段は、前記細胞を透過しない場合の前記光の強度と同一となるように、ピエゾ素子に電圧を印加して該細胞に照射する該光の光路長を変更し、印加した前記電圧に基
づいて前記光路長変化量を計測する、ことを特徴とする、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の細胞識別装置。
【請求項８】
　計測した前記光路長変化量に基づいて、前記細胞の外形及び屈折率差若しくは位相差に対応する画像を生成する画像生成部と、生成した前記画像を表示する出力部とを更に有す
る、ことを特徴とする、請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の細胞識別装置。
【請求項９】
　複数の細胞に光を夫々照射して、複数の光路長変化量を計測する計測ステップと、正常細胞の光路長変化量に基づいて算出した閾値を用いて、前記複数の細胞を夫々識別する識別ステップとを含むことを特徴とする細胞識別方法。
【請求項１０】
　前記識別ステップは、前記正常細胞の複数の位置に対応する複数の光路長変化量を抽出し、抽出した前記複数の光路長変化量の平均値を算出し、算出した前記平均値を前記閾値とすることを特徴とする、請求項９に記載の細胞識別方法。
【請求項１１】
　前記識別ステップは、前記正常細胞の複数の位置に対応する複数の光路長変化量を抽出し、抽出した前記複数の光路長変化量について複数の平均値を算出し、算出した前記複数
の平均値においてエラーレートに基づいて前記閾値を設定することを特徴とする、請求項９に記載の細胞識別方法。
【請求項１２】
　前記計測ステップは、前記細胞に照射する前記光の光路長を変更する変更ステップと、前記細胞を透過しない場合の前記光の強度と同一となるように、該細胞に照射する該光の
光路長を変更するフィードバック制御ステップとを含む、ことを特徴とする、請求項９乃至請求項１１のいずれか一項に記載の細胞識別方法。
【請求項１３】
　請求項９乃至請求項１２のいずれか一項に記載の細胞識別方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１４】
　請求項１３に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。

【要約】
量子ドット間のコアレッセンスを抑制しつつ、高密度な量子ドット配列を実現する量子ドットの形成方法と、これを利用した太陽電池を提供する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　ＧａＡｓバッファ層上にＩｎＡｓ層を成長する際に、前記ＩｎＡｓ層の成長が３次元成長に移行する前の濡れ層の段階で、アンチモン（Ｓｂ）を供給圧力２．０×１０-7～３．６×１０-7 Torrで導入してＩｎＡｓＳｂ濡れ層を成長し、前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層が０．５ＭＬ～１．５ＭＬ成長したところで前記Ｓｂの導入を停止して引き続きＩｎＡｓ層を成長してＩｎＡｓ量子ドットを形成する、ことを特徴とする量子ドットの形成方法。
【請求項２】
　前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層および前記ＩｎＡｓ量子ドットの成長温度は、４６０℃～４７０℃であることを特徴とする請求項１に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項３】
　前記成長温度が４６０℃のときに、前記Ｓｂの供給圧力が３．６×１０-7 Torrで前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層を１．０～１．５ＭＬ成長して、前記ＩｎＡｓ量子ドットを、８．０×１０11ｃｍ-2～１．０×１０12ｃｍ-2の面内密度で形成することを特徴とする請求項１または２に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項４】
　前記成長温度が４７０℃のときに、前記Ｓｂの供給圧力が２．２×１０-7～３．５×１０-7 Torrの範囲で、前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層を０．８ＭＬ～１．５ＭＬ成長して、前記ＩｎＡｓ量子ドットを６．０×１０11ｃｍ-2～７．６×１０11ｃｍ-2の面内密度で形成することを特徴とする請求項１または２に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項５】
　前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層の成長において、Ａｓの供給圧力は７．３×１０-6 Torrであることを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項６】
　透明電極と、
　第１導電型の半導体層と、
　第２導電型の半導体層と、前記第１導電型の半導体層と前記第２導電型の半導体層の間に位置する光吸収層と、前記透明電極と反対側の面に位置する電極と、を含み、前記光吸収層は、ＧａＡｓバッファ層と、前記ＧａＡｓバッファ層上に形成されたＩｎＡｓＳｂ濡れ層及び前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層上に成長したＩｎＡｓ量子ドットを含む量子ドット層と、前記量子ドット層を覆うＧａＡｓ中間層と、を含み、前記量子ドット層と前記ＧａＡｓ中間層は、交互に１層以上積層されていることを特徴とする太陽電池。
【請求項７】
　前記ＩｎＡｓ量子ドットの面内密度は４．０×１０11ｃｍ-2～１．０×１０12ｃｍ-2であることを特徴とする請求項６に記載の太陽電池。
【請求項８】
　前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層の成長量は０．５～１．５ＭＬであることを特徴とする請求項６または７に記載の太陽電池。
【請求項９】
　前記ＩｎＡｓ量子ドットの高さは１．６～３．０ｎｍであることを特徴とする請求項８～８のいずれか１項に記載の太陽電池。

【要約】透明樹脂チューブ同士を複雑なチューブ回転機構や高価なレーザースキャン機構を用いることなく、簡単な機構により、短時間で溶着加工できる装置と方法を
提供する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　２つの異径の熱可塑性樹脂チューブである外側チューブと内側チューブとを密着するように嵌め合わせた嵌合体を赤外線レーザー光を用いて加熱溶着する装置であって、前記嵌合体を支持する支持部材と、前記外側チューブの外周側に接触するように配置される赤外線透過性の固体ヒートシンクと、前記内側チューブの内周に接するように内側チューブ内に挿入される金属棒又は金属チューブと、前記固体ヒートシンク側に配置され、当該固体ヒートシンクを通して前記嵌合体に赤外線レーザー光を照射するレーザー光源とを具備することを特徴とする熱可塑性樹脂チューブの溶着装置。
【請求項２】
　前記固体ヒートシンクとレーザー光源との間に、前記嵌合体に照射される赤外線レーザー光の断面積を規定するマスクが介設されることを特徴とする請求項１に記載の熱可塑性樹脂チューブの溶着装置。
【請求項３】
　前記嵌合体に照射される赤外線レーザー光の直径が、前記外側チューブの直径以上に設定されることを特徴とする請求項１に記載の熱可塑性樹脂チューブの溶着装置。
【請求項４】
　前記外側チューブの外径が３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の熱可塑性樹脂チューブの溶着装置。
【請求項５】
　２つの異径の熱可塑性樹脂チューブである外側チューブと内側チューブとを密着するように嵌め合わせて嵌合体を構成する工程と、前記小径チューブの内側にそれの内周に接するように金属棒又は金属チューブを挿入する工程と、前記嵌合体を支持部材上に支持する工程と、前記外側チューブの外周側に接触するように赤外線透過性の固体ヒートシンクを配置する工程と、前記固体ヒートシンク側のレーザー光源から当該固体ヒートシンクを通して前記嵌合体に赤外線レーザー光を照射する工程とを含むことを特徴とする熱可塑性樹脂チューブの溶着方法。
【請求項６】
　前記固体ヒートシンクとレーザー光源との間に、前記嵌合体に照射される赤外線レーザー光の断面積を規定するマスクを介設する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の熱可塑性樹脂チューブの溶着方法。
【請求項７】
　前記嵌合体に照射される赤外線レーザー光の直径が、前記外側チューブの直径以上に設定されることを特徴とする請求項５に記載の熱可塑性樹脂チューブの溶着方法。
【請求項８】
　前記外側チューブの外径が３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項５ないし７に記載の熱可塑性樹脂チューブの溶着方法。

【要約】　より容易に製造可能であり、かつ、設計自由度も向上させることができるナノファイバーフォトニック結晶を提供する

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　表面に光透過性を有する凹凸構造体が形成された光学的機能部材と、伝搬光の波長以下の径を有する光導波路部を有し、前記凹凸構造体上に配置され、かつ、前記光導波路部に光が伝搬した際に生成される近接場と前記凹凸構造体の一部とが重なるような位置に配置されたナノ光ファイバーとを備えるナノファイバーフォトニック結晶。
【請求項２】
　前記凹凸構造体が、所定周期のグレーティングであり、前記グレーティングを構成する凸部の延在方向が、前記光導波路部の延在方向と直交する請求項１に記載のナノファイバーフォトニック結晶。
【請求項３】
　前記凹凸構造体が、ポリマーで形成されている請求項１又は２に記載のナノファイバーフォトニック結晶。
【請求項４】
　前記ナノ光ファイバーが、コア及びクラッドを含む光ファイバー部と、前記光導波路部及び前記光ファイバー部間を接続し、径が前記光導波路部から前記光ファイバー部に向かって連続的に大きくなる接続部とを有する請求項１～３のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶。
【請求項５】
　前記ナノ光ファイバーが、前記光導波路部の表面にポリマーで形成されたコーティング層を有する請求項１～４のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶。

【要約】　より高精度にかつより簡易に屈折率が所定パターンで変化するナノ構造体をナノ光ファイバーの表面に形成する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　レーザー光源からレーザー光を射出することと、前記レーザー光を分光素子で回折して、＋１次の回折光及び－１次の回折光を抽出することと、前記抽出された＋１次の回折光及び－１次の回折光を、それぞれ第１光学系及び第２光学系を介してナノ光ファイバーの所定領域に導いて集光し、該所定領域に光の干渉縞を生成することと、前記ナノ光ファイバーの所定領域に集光された光を、前記ナノ光ファイバーのレンズ効果によりさらに集光して、前記ナノ光ファイバーに凹部を形成することとを含むナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項２】
　前記凹部が、ナノ光ファイバーの光照射側とは反対側の面に形成される請求項１に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項３】
　前記ナノ光ファイバーの延在方向に沿って、前記ナノ光ファイバーの所定領域に光の干渉縞を生成して、複数の前記凹部を形成する請求項１又は２に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項４】
　前記レーザー光が、パルスレーザー光である　請求項１～３のいずれかい一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項５】
　前記レーザー光源が、フェムト秒パルスレーザーである請求項１～４のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項６】
　前記分光素子が、位相マスクである　請求項１～５のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項７】
　前記第１光学系及び前記第２光学系がともに、反射ミラーで構成される請求項１～６のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項８】
　前記ナノ光ファイバーの所定領域の径が、該所定領域を伝搬する光の波長以下の値である請求項１～７のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項９】
　レーザー光源と、前記レーザー光源から射出されたレーザー光をナノ光ファイバーの所定領域に集光する集光レンズと、前記ナノ光ファイバーの所定領域及び前記集光レンズ間に設けられ、前記集光レンズを介して入射されたレーザー光を回折して、＋１次の回折光及び－１次の回折光を抽出する分光素子と、　前記ナノ光ファイバーの所定領域及び前記分光素子間に設けられ、前記分光素子で抽出された＋１次の回折光を前記ナノ光ファイバーの所定領域に導く第１光学系と、　前記ナノ光ファイバーの所定領域及び前記分光素子間に設けられ、前記分光素子で抽出された－１次の回折光を前記ナノ光ファイバーの所定領域に導く第２光学系とを備えるナノファイバーフォトニック結晶の製造装置。
【請求項１０】
　さらに、前記ナノ光ファイバーの所定領域及び前記位相マスク間の領域において、前記ナノ光ファイバーの所定領域の真上に設けられ、かつ、前記位相マスクで前記レーザー光を回折した際に生成される０次の回折光が前記ナノ光ファイバーの所定領域の照射されることを防止するような位置に設けられた遮蔽板を備える請求項９に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造装置。

【要約】

【課題】
発振スペクトルが狭窄化されていないレーザー光でも効率的に波長変換する。

【解決手段】
基本波光を波長変換素子５０によって波長変換する波長変換装置１であって、基本波光Ｌ１として発振スペクトルが非狭窄化されたレーザー光を連続的に発振するレーザー発振部１０と、レーザー発振部で発振された基本波光のビーム径を拡大する拡大光学系部２０と、拡大光学系部でビーム径が拡大された拡大基本波光Ｌ２を透過させて当該拡大基本波光の波長を分散させる回折格子３２が設けられる波長分散部３０と、波長分散部から所定の大きさの光学的距離を介して設けられ、波長が分散された拡大基本波光Ｌ３を集光レンズ４２で集光して波長変換素子に導く波長・角度分散部４０と、を備えることを特徴とする。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
基本波光を波長変換素子によって波長変換する波長変換装置であって、
前記基本波光として発振スペクトルが非狭窄化されたレーザー光を連続的に発振するレーザー発振部と、
前記レーザー発振部で発振された前記基本波光のビーム径を拡大する拡大光学系部と、
前記拡大光学系部で前記ビーム径が拡大された拡大基本波光を透過させて該拡大基本波光の波長を分散させる回折格子が設けられる波長分散部と、
前記波長分散部から所定の大きさの光学的距離を介して設けられ、前記波長が分散された拡大基本波光を集光レンズで集光して前記波長変換素子に導く波長・角度分散部と、を備えることを特徴とする波長変換装置。

【請求項２】
前記レーザー発振部は、ファイバーレーザーによって前記レーザー光が連続発振されることを特徴とする請求項１に記載の波長変換装置。

【請求項３】
前記波長・角度分散部は、前記光学的距離が下記の条件式を満たすように設定されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の波長変換装置。
Ｌ／ｆ＝１．２６×δｃｏｓβ
Ｌ：回折格子と集光レンズとの距離
ｆ：集光レンズの焦点距離
δ：回折格子の溝の間隔
β：回折格子による回折角

【請求項４】
前記波長分散部は、一又は複数の透過型回折格子から構成され、前記透過型回折格子によって前記拡大基本波光を回折させて、該拡大基本波光の前記波長を分散させることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の波長変換装置。

【請求項５】
前記波長分散部には、前記透過型回折格子によって回折された前記拡大基本波光を反射させる一又は複数の反射ミラーが更に設けられ、前記反射ミラーによって反射後の前記拡大基本波光を前記透過型回折格子に戻し、再度回折させることを特徴とする請求項４に記載の波長変換装置。

【請求項６】
前記拡大光学系部は、入力段側に設けられる第１レンズと出力段側に設けられる第２レンズが所定の距離を介して対向するように構成され、前記第１レンズと前記第２レンズとの距離を変更することによって、前記基本波光の前記ビーム径を調整することを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の波長変換装置。

【請求項７】
基本波光を波長変換素子によって波長変換する波長変換方法であって、
発振スペクトルが非狭窄化されたレーザー光を前記基本波光として連続的に発振するレーザー光発振工程と、
前記基本波光のビーム径を拡大するビーム径拡大工程と、
前記ビーム径が拡大された拡大基本波光を回折格子に透過させて該拡大基本波光の波長を分散させる波長分散工程と、
前記波長が分散された拡大基本波光を前記回折格子から所定の大きさの光学的距離を介して設けられた集光レンズによって前記波長変換素子に導く波長・角度分散工程と、を含むことを特徴とする波長変換方法。

【要約】

【課題】
ねじりに強く曲げやすい異形線コイルばね、及び、マニピュレータの低コスト化及び小型化が図られる。

【解決手段】
所定の断面形状を有する金属線材を円筒状に巻回して形成されたコイルばねを、コイルばねの軸方向に所定の圧力で押圧する。これにより、コイルばねの巻線の断面形状がコイルばねの半径方向に長い横長形状となるように塑性加工された異形線コイルばね１を得る。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
所定の断面形状を有する金属線材を円筒状に巻回して形成されたコイルばねを、前記コイルばねの軸方向に所定の圧力で押圧することで、前記コイルばねの巻線の断面形状が前記コイルばねの半径方向に長い横長形状となるように塑性加工された
異形線コイルばね。

【請求項２】
外径は５ｍｍ以上１０ｍ以下である
請求項１に記載の異形線コイルばね。

【請求項３】
塑性加工される前の前記巻線の断面形状は円形である
請求項１又は２に記載の異形線コイルばね。

【請求項４】
塑性加工される前の前記巻線の断面形状は四角形状である
請求項１又は２に記載の異形線コイルばね。

【請求項５】
塑性加工される前の前記巻線は筒状である
請求項１又は２に記載の異形線コイルばね。

【請求項６】
所定の断面形状を有する金属線材を円筒状に巻回して形成されたコイルばねを、前記コイルばねの軸方向に所定の圧力で押圧することで、前記コイルばねの巻線の断面形状が前記コイルばねの半径方向に長い横長形状となるように塑性加工する工程
を有する異形線コイルばねの製造方法。

【請求項７】
所定の断面形状を有する金属線材を円筒状に巻回して形成されたコイルばねを、前記コイルばねの軸方向に所定の圧力で押圧することで、前記コイルばねの巻線の断面形状が前記コイルばねの半径方向に長い横長形状となるように塑性加工された異形線コイルばねによって構成された関節部と、
前記関節部の先端側に設けられ、把持動作を行うグリッパーと
を備えるマニピュレータ。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
入力画像から所定の幅の帯状構造を検出する装置であって、
前記入力画像の複数の探索位置において、前記探索位置を中心とし、前記所定の幅以下の直径を有する内円の周上または前記内円の内部にある複数の第１の判別位置、および、前記探索位置を中心とし、前記所定の幅より大きい直径を有する外円の周上、または、前記外円と前記内円の円周間の領域にある複数の第２の判別位置における画像特徴が前記帯状構造の画像特徴と同じもしくは類似するかを判別し、
前記第１の判別位置の画像特徴が前記帯状構造の画像特徴と同じもしくは類似すると判別され、かつ、前記第２の判別位置のうち前記帯状構造の画像特徴と同じでも類似でもない位置からなる連続領域が、前記内円を挟んで対向するように存在する場合、前記探索位置を帯状構造候補点として検出する帯状構造候補検出手段と、
前記帯状構造候補点群に対して線をフィッティングすることによって前記帯状構造を検出する帯状構造検出手段と、
を備えたことを特徴とする帯状構造検出装置。

【請求項２】
前記内円の直径が前記所定の幅と同じであることを特徴とする請求項１記載の帯状構造検出装置。

【請求項３】
前記入力画像はカメラで撮像された画像であり、
前記入力画像を俯瞰位置から見た画像となる俯瞰画像に変換する俯瞰処理手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１または２記載の帯状構造検出装置。

【請求項４】
前記第１および第２の判別位置は、各々、前記内円および外円の円周上の８箇所に等間隔配置されたものであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の帯状構造検出装置。

【請求項５】
入力画像から所定の幅の帯状構造を検出する方法であって、前記方法は、
前記入力画像の複数の探索位置において、前記探索位置を中心とし、前記所定の幅以下の直径を有する内円の周上または前記内円の内部にある複数の第１の判別位置、および、前記探索位置を中心とし、前記所定の幅より大きい直径を有する外円の周上、または、前記外円と前記内円の円周間の領域にある複数の第２の判別位置における画像特徴が前記帯状構造の画像特徴と同じもしくは類似するかを判別するステップと、
前記第１の判別位置の画像特徴が前記帯状構造の画像特徴と同じもしくは類似すると判別され、かつ、前記第２の判別位置のうち前記帯状構造の画像特徴と同じでも類似でもない位置からなる連続領域が、前記内円を挟んで対向するように存在する場合、前記探索位置を帯状構造候補点として検出するステップと、
前記帯状構造候補点群に対して線をフィッティングすることによって前記帯状構造を検出するステップと、
を含むことを特徴とする帯状構造検出方法。

【請求項６】
コンピュータに、入力画像から所定の幅の帯状構造を検出させるプログラムであって、前記プログラムは、
前記入力画像の複数の探索位置において、前記探索位置を中心とし、前記所定の幅以下の直径を有する内円の周上または前記内円の内部にある複数の第１の判別位置、および、前記探索位置を中心とし、前記所定の幅より大きい直径を有する外円の周上、または、前記外円と前記内円の円周間の領域にある複数の第２の判別位置における画像特徴が前記帯状構造の画像特徴と同じもしくは類似するかを判別するステップと、
前記第１の判別位置の画像特徴が前記帯状構造の画像特徴と同じもしくは類似すると判別され、かつ、前記第２の判別位置のうち前記帯状構造の画像特徴と同じでも類似でもない位置からなる連続領域が、前記内円を挟んで対向するように存在する場合、前記探索位置を帯状構造候補点として検出するステップと、
前記帯状構造候補点群に対して線をフィッティングすることによって前記帯状構造を検出するステップと、
を前記コンピュータに実行させるものであることを特徴とする帯状構造検出プログラム。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
壁面と略平行な幅方向に、境界層の厚さの４倍以上または壁無次元長さに換算すると８００以上の幅を有し、前記壁面と略平行であって前記幅方向に略垂直な奥行き方向に、境界層の厚さ以上の長さの奥行きを有し、前記壁面の法線と略平行な高さ方向に、前記境界層の厚さ以上の高さを有し、前記壁面に配設される筺体と、
前記筺体の一部として、又は前記筺体内に挿入されるフィンであって、前記壁面からの前記高さ方向の距離が、壁無次元長さに換算して略５０の位置と、壁無次元長さに換算して略１００の位置とに少なくとも配設される複数のフィンと
を備える乱流摩擦抵抗低減装置。

【請求項２】
前記複数のフィンの各々は、前記壁面からＲｏｔｔａ厚さの略０．０４倍乃至略０．２５倍の間に配設される
請求項１に記載の乱流摩擦抵抗低減装置。

【請求項３】
壁面と略平行な幅方向に、境界層の厚さの４倍以上または壁無次元長さに換算すると８００以上の幅を有し、前記壁面と略平行であって前記幅方向に略垂直な奥行き方向に、境界層の厚さ以上の長さの奥行きを有し、前記壁面の法線と略平行な高さ方向に、前記境界層の厚さ以上の高さを有する筺体を、前記壁面に配設し、
複数のフィンを、前記筺体内であって、前記壁面からの前記高さ方向の距離が、壁無次元長さに換算して略５０の位置と、壁無次元長さに換算して略１００の位置とに少なくとも配設する
乱流摩擦抵抗低減方法。

【請求項４】
前記複数のフィンの各々を、前記壁面からＲｏｔｔａ厚さの略０．０４倍乃至略０．２５倍の間に配設する
請求項３に記載の乱流摩擦抵抗低減方法。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
各々が第１ノードと第２ノードとを含む複数のノードペアと、
前記複数のノードペアの前記第１ノード同士を網目状に電気的に接続する第１抵抗ネットワークと、
前記複数のノードペアの前記第２ノード同士を網目状に電気的に接続する第２抵抗ネットワークと、
周囲の環境に応じた検出電流を生成するセンサ素子と
を備え、
前記複数のノードペアは、
前記第１ノードと前記第２ノードとの間に前記センサ素子が電気的に接続され、前記第１ノードと前記第２ノードとの間に前記検出電流が流れるセンサノードペアと、
前記第１ノードと前記第２ノードとの間に前記センサ素子が接続されない非センサノードペアと
を含み、
前記センサノードペアは、前記第１抵抗ネットワーク及び前記第２抵抗ネットワーク上で閉ループを形成するようにリング状に配置され、前記センサ素子は、円柱の側周面を一周し、前記円柱の円周方向に配置され、
前記センサノードペアの前記第１ノードと前記第２ノードとの間には、前記センサ素子として、並列に接続された２以上の近接覚センサ素子が前記円柱の長手方向に並んで配置され、
前記２以上の近接覚センサ素子の各々は、発光素子と受光素子とを備え、
前記受光素子は、前記発光素子から放射される光の物体からの反射光が入射することにより、前記反射光の強度に応じた前記検出電流を生成し、
前記非センサノードペアは、前記第１抵抗ネットワーク及び前記第２抵抗ネットワーク上で前記閉ループの内側に配置されている
リング型センサ。

【請求項２】
請求項１に記載のリング型センサであって、
前記複数のノードペアは、Ｍ行×Ｎ列のマトリックス状に配置され、
Ｍは２以上の整数であり、Ｎは２以上の整数であり、
前記第１抵抗ネットワークは、第ｉ行第ｊ列の前記第１ノードと第（ｉ＋１）行第ｊ列の前記第１ノードとを電気的に接続し、第ｋ行第ｌ列の前記第１ノードと第ｋ行第（ｌ＋１）列の前記第１ノードとを電気的に接続し、
前記第２抵抗ネットワークは、第ｉ行第ｊ列の前記第２ノードと第（ｉ＋１）行第ｊ列の前記第２ノードとを電気的に接続し、第ｋ行第ｌ列の前記第２ノードと第ｋ行第（ｌ＋１）列の前記第２ノードとを電気的に接続し、
ｉは１～（Ｍ－１）の範囲の整数であり、ｊは１～Ｎの範囲の整数であり、ｋは１～Ｍの範囲の整数であり、ｌは１～（Ｎ－１）の範囲の整数である
リング型センサ。

【請求項３】
請求項２に記載のリング型センサであって、
前記センサノードペアは、第ｍ１行第ｎ１列～第ｍ１行第ｎ２列、第ｍ１行第ｎ１列～第ｍ２行第ｎ１列、第ｍ１行第ｎ２列～第ｍ２行第ｎ２列、及び第ｍ２行第ｎ１列～第ｍ２行第ｎ２列に配置されており、
ｍ１は１以上（Ｍ－１）以下のいずれかの整数であり、ｍ２はｍ１より大きくＭ以下のいずれかの整数であり、ｎ１は１以上（Ｎ－１）以下のいずれかの整数であり、ｎ２はｎ１より大きくＮ以下のいずれかの整数である
リング型センサ。

【請求項４】
請求項２又は３に記載のリング型センサであって、
前記第１抵抗ネットワークは、
第１列の前記第１ノードに接続された第１出力端子と、
第Ｎ列の前記第１ノードに接続された第２出力端子と
を有し、
前記第２抵抗ネットワークは、
第１行の前記第２ノードに接続された第３出力端子と、
第Ｍ行の前記第２ノードに接続された第４出力端子と
を有する
リング型センサ。

【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載のリング型センサであって、
前記各近接覚センサ素子の前記発光素子は、所定の制御方式に従って、ＯＮ／ＯＦＦ制御される
リング型センサ。

【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のリング型センサであって、
前記リング状に配置された前記センサノードペアのうちの互いに隣接するセンサノードペアの前記第１ノード同士は同一の抵抗値を有する接続構造で接続され、
前記リング状に配置された前記センサノードペアのうちの互いに隣接するセンサノードペアの前記第２ノード同士は前記同一の抵抗値を有する接続構造で接続される
リング型センサ。