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【特許請求の範囲】

【請求項１】
結合素子と前記結合素子の一端に分布定数線路の長手方向における任意の点を接続した共振回路とを有するユニットを１段以上備えてなり、互いに異なる周波数帯域の信号を通過させる帯域通過フィルタを２以上有し、
前記各帯域通過フィルタの一端が共通のポートに直接接続され、
前記各帯域通過フィルタの前記ポートに最も近い１段目の前記結合素子及び前記共振回路は、共振手段としての機能に加え、前記各帯域通過フィルタのインピーダンスマッチング手段としての機能をそれぞれ具備することを特徴とする分波回路。

【請求項２】
前記１段目の各結合素子の値及び前記１段目の各共振回路のインピーダンス、前記分布定数線路と前記結合素子との接続点である結合位置、位相定数が、前記各帯域通過フィルタにおける信号の通過帯域がそれぞれ所望の周波数になるように、選択されていることにより、前記１段目の各結合素子及び前記１段目の各共振回路は、共振手段としての機能に加え、前記各帯域通過フィルタのインピーダンスマッチング手段としての機能をそれぞれ具備することを特徴とする請求項１に記載の分波回路。

【請求項３】
前記各帯域通過フィルタは、各中心周波数において、
所要の帯域通過フィルタに信号を通過させる際に、他の帯域通過フィルタにおける前記共振回路の接点が短絡状態となって、前記所要の帯域通過フィルタのボート側から見たアドミタンスが所望値となり、
前記短絡状態で、前記結合素子に対応する第１の仮想結合素子を考え、前記所要の帯域通過フィルタについて、当該所要の帯域通過フィルタの前記結合素子、当該所要の帯域通過フィルタに影響を与える前記他の帯域通過フィルタの前記結合素子及び前記第１の仮想結合素子について前記ポート側から見たアドミタンスが所望値となり、
前記第１の仮想結合素子と対をなす第２の仮想結合素子を考え、前記共振回路と前記第２の仮想結合素子とを含む回路系が所望の中心周波数で共振条件を満たすと共に、
前記共振回路と前記第２の仮想結合素子とを含んだ部分のサセプタンススロープパラメータが、前記共振回路に対応する集中定数素子型共振回路のサセプタンススロープパラメータと一致するように、
設計したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の分波回路。

【請求項４】
前記複数の帯域通過フィルタは、送信信号を通過させる送信側帯域通過フィルタと受信信号を通過させる受信側帯域通過フィルタであり、
前記ポートをアンテナに接続したことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の分波回路。

【請求項５】
前記複数の帯域通過フィルタのうち一の帯域通過フィルタの前記共振回路における前記分布定数線路の前記結合素子との接続点から前記分布定数線路の一方の端部までの長さである一方のスタブの長さを他の帯域通過フィルタの通過帯域周波数に対応した減衰極を生成するように設計したことを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の分波回路。

【請求項６】
各々少なくとも結合素子と前記結合素子の一端に分布定数線路の長手方向における任意の点を接続した共振回路とを備え、互いに異なる周波数帯域の信号を通過させる２以上の帯域通過フィルタの一端を共通のポートに直接接続し、
前記各帯域通過フィルタは、各中心周波数において、
所要の帯域通過フィルタに信号を通過させる際に、他の帯域通過フィルタにおける前記共振回路の接点が短絡状態となって、前記所要の帯域通過フィルタのポート側から見たアドミタンスが所望値となり、
前記短絡状態で、前記結合素子に対応する第１の仮想結合素子を考え、前記所要の帯域通過フィルタについて、当該所要の帯域通過フィルタの前記結合素子、当該所要の帯域通過フィルタに影響を与える前記他の帯域通過フィルタの前記結合素子及び前記第１の仮想結合素子について前記ポート側から見たアドミタンスが所望値となり、
前記第１の仮想結合素子と対をなす第２の仮想結合素子を考え、前記共振回路と前記第２の仮想結合素子とを含んだ部分が所望の中心周波数で共振条件を満たすと共に、
前記共振回路と前記第２の仮想結合素子とを含んだ部分のサセプタンススロープパラメータが、前記共振回路に対応する集中定数素子型共振回路のサセプタンススロープパラメータと一致するように、
設計したことを特徴とする分波回路の設計方法。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
相互に通信可能となる複数の無線通信装置を含み、送信元の無線通信装置から宛先の無線通信装置まで一または複数の無線通信装置を中継したマルチホップにより情報の伝送を行なう無線メッシュネットワーク通信システムであって、
前記複数の無線通信装置のそれぞれは、複数Ｍの周波数それぞれでの無線通信が可能となり、
前記送信元の無線通信装置から前記宛先の無線通信装置までマルチホップにより情報の伝送を行なうべき無線通信装置の連なりとなる通信経路であって、前記Ｍ以下の複数ｍの周波数それぞれでの無線通信による情報の伝送が可能となる当該通信経路を設定する経路設定手段を有することを特徴とする無線メッシュネットワーク通信システム。

【請求項２】
前記経路設定手段は、複数ｍの周波数それぞれにて前記送信元の無線装置から一または複数の無線通信装置を経由して所定の要求情報を前記宛先の無線通信装置に伝送させる第１手段と、
前記複数ｍの周波数それぞれにて前記宛先の無線通信装置から前記要求情報が経由した一または複数の無線通信装置をその経由順序と逆の順序にて所定の応答情報を前記送信元の無線通信装置まで転送させる第２手段とを有し、
前記応答情報が転送された一または複数の無線通信装置の前記送信元の無線通信装置から前記宛先の無線通信装置までの連なりを前記複数ｍの周波数それぞれでの無線通信による情報の伝送が可能となる通信経路として設定することを特徴とする請求項１記載の無線メッシュネットワーク通信システム。

【請求項３】
前記第１手段は、前記送信元の無線通信装置にあって、前記要求情報を前記複数Ｍ以下でｍ以上の数の周波数それぞれにて送信する手段と、
前記各無線通信装置にあって、前記要求情報を受信したときに送信が許容される複数の周波数それぞれにて前記要求情報を送信する手段とを有することを特徴とする請求項２記載の無線メッシュネットワーク通信システム。

【請求項４】
前記第２手段は、前記宛先の無線通信装置にあって、前記要求情報を受信したときにその受信に用いられた数ｍの周波数それぞれにて、前記応答情報を前記要求情報の送り元の無線通信装置に送信する手段と、
前記各無線通信装置にあって、前記複数ｍの周波数それぞれにて前記応答情報を受信したときに、前記複数ｍの周波数それぞれにて、前記要求情報を受信した際の送り元の無線通信装置に前記応答情報を送信する手段とを有することを特徴とする請求項１または２記載の無線メッシュネットワーク通信システム。

【請求項５】
前記経路設定手段は、各無線通信装置にあって、前記複数ｍの周波数それぞれにて前記応答情報を受信したときに、その応答情報の送り元の無線通信装置を記録する手段を有し、各無線通信装置に記録された無線通信装置の連なりを前記複数ｍの周波数それぞれでの無線通信による情報の伝送が可能となる通信経路として設定することを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の無線メッシュネットワーク通信システム。

【請求項６】
相互に通信可能となる複数の無線通信装置を含み、送信元の無線通信装置から宛先の無線通信装置まで一または複数の無線通信装置を中継したマルチホップにより情報の伝送を行なう無線メッシュネットワーク通信システムであって、
前記複数の無線通信装置のそれぞれは、複数の周波数それぞれでの無線通信が可能となり、
前記送信元の無線通信装置から前記宛先の無線通信装置までマルチホップにより情報の伝送を行なうべき無線通信装置の連なりとなる複数の通信経路であって、無線通信による情報の伝送に使用可能な周波数の数が異なる当該複数の通信経路を設定する経路設定手段を有することを特徴とする無線メッシュネットワーク通信システム。

（以下、詳細は特許公報をご参照ください）

【特許請求の範囲】

【請求項１】
眼の周辺に装着した少なくとも３点以上の複数の電極によって検出される電位を、適宜組み合わせてその差電圧を取り出し、
取り出された複数の差電位の情報を用いて、眼球を電池とみなしたモデルで眼球の網膜側から角膜側に流れる電流密度もしくは網膜と角膜に帯電しているとみなされる電荷の大きさと、眼球位置と、電極の貼付された位置と、眼球の大きさとを推定し、
該推定した電極貼付位置と眼球半径を利用して、その後に取り出された電位差に基づき、
前記眼球位置の推定と前記電流密度の推定とを、複数の時間サイクルにわたって交互に繰り返すＥＭ（Expectation and Maximization）アルゴリズム手法を用いて、前記眼球位置と前記電流密度もしくは網膜と角膜に帯電しているとみなされる電荷の大きさの推定を行う
ことを特徴とする眼球位置計測方法。

【請求項２】
前記計測された電位から求められた電位差をデジタル信号として送信し、これを受信した受信回路に接続されたプロセッサ及びデータ処理回路において、前記眼球位置の推定と前記電流密度の推定のための計算が行われることを特徴とする請求項１に記載の眼球位置計測方法。

【請求項３】
眼の周辺に装着した少なくとも３点以上の複数の電極と、
該電極間の任意の組み合わせから複数の電極間の電位差を検出する信号変換回路と、
前記信号変換回路から抽出される電位差から、電極貼付位置と眼球を電池とみなしたモデルで眼球の網膜側から角膜側に流れる電流密度もしくは網膜と角膜に帯電しているとみなされる電荷の大きさと眼球位置とを繰り返し計算によって推定するプロセッサ及びデータ処理回路とを備え、
前記データ処理回路の計算において、ＥＭ（Expectation and Maximization）アルゴリズム手法によって、前記眼球位置の推定と、電流密度の推定とを複数サイクルにわたって計算して求める
ことを特徴とする眼球位置計測装置。

【請求項４】
前記計測された電位から求められた電位差をデジタル信号に変換して送信する送信回路と、該送信回路から有線または無線にて送られた信号を受信する受信回路とをさらに備えた請求項３に記載の眼球位置計測装置。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
複数種類の触刺激の中から選択された所望の触刺激要素に対応する触刺激を出力し、
上記選択された触刺激要素を時系列に並べ、
上記時系列に並べられた触刺激の時系列パターンを構成し、
上記構成された触刺激の時系列パターンをユーザと対応関係を付けて登録し、
上記登録されている触刺激時系列パターンが再現されたとき、上記登録されている触刺激時系列パターンを再現したユーザを登録者本人と判定する個人認証方法であり、
上記触刺激時系列パターンの最初の触刺激要素として、全ての触刺激時系列パターンに共通の触刺激要素を配置したことを特徴とする個人認証方法。

【請求項２】
請求項１記載の個人認証方法において、
上記触刺激時系列パターンの触刺激要素の一つに触刺激の出力なしの要素を加え、
上記触刺激時系列パターンの最初の触刺激要素としての共通の触刺激要素の次に、上記触刺激の出力なしの要素を配置したことを特徴とする個人認証方法。

【請求項３】
複数種類の触刺激の中から所望の触刺激要素を選択して入力する入力手段と、
上記入力された触刺激要素に対応する触刺激を出力する触刺激手段と、
上記選択された触刺激要素を時系列に並べることにより、触刺激の時系列パターンを構成するパターン構成手段と、
上記構成された触刺激の時系列パターンをユーザと対応関係を付けて登録する登録手段と、
上記登録されている触刺激時系列パターンが上記入力手段により再現されて入力されたとき、上記登録されている触刺激時系列パターンを再現したユーザを登録者本人と判定する判定手段と、
を備え、
上記触刺激時系列パターンの最初の触刺激要素として、全ての触刺激時系列パターンに共通の触刺激要素を配置したことを特徴とする個人認証システム。

【請求項４】
請求項３記載の個人認証システムにおいて、
上記触刺激時系列パターンの触刺激要素の一つに触刺激の出力なしの要素を加え、
上記触刺激時系列パターンの最初の触刺激要素としての共通の触刺激要素の次に、上記触刺激の出力なしの要素を配置したことを特徴とする個人認証システム。

【請求項５】
入力手段により複数種類の触刺激の中から所望の触刺激要素を選択して入力された触刺激要素に対応する触刺激を触刺激手段から出力すると共に認証判定のための処理を実行するコンピュータを、
上記選択された触刺激要素を時系列に並べることにより、触刺激の時系列パターンを構成するパターン構成手段と、
上記構成された触刺激の時系列パターンをユーザと対応関係を付けて登録する登録手段と、
上記登録されている触刺激時系列パターンが上記入力手段により再現されて入力されたとき、上記登録されている触刺激時系列パターンを再現したユーザを登録者本人と判定する判定手段、
として機能させるための個人認証プログラムであり、
上記触刺激時系列パターンの最初の触刺激要素として、全ての触刺激時系列パターンに共通の触刺激要素を配置したことを特徴とする個人認証プログラム。

【請求項６】
請求項５記載の個人認証プログラムにおいて、
上記触刺激時系列パターンの触刺激要素の一つに触刺激の出力なしの要素を加え、
上記触刺激時系列パターンの最初の触刺激要素としての共通の触刺激要素の次に、上記触刺激の出力なしの要素を配置したことを特徴とする個人認証プログラム。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
母相合金組織に直径１～３〔μｍ〕にして、かつ当該母相合金結晶組織より高硬度の第二相粒子を分散させてなる金属材料を、転位の上昇運動と消滅さらには再配列を促し、転位密度を減少させるが、粒界移動が起りにくい温度で、多軸鍛造加工することにより、上記母相合金組織の結晶粒を微細化する
ことを特徴とする金属材料製造方法。

【請求項２】
母相合金結晶組織に直径１～３〔μｍ〕にして、かつ当該母相合金結晶組織より高硬度の第二相粒子を分散させてなる金属材料を、０．４Ｔｍないし０．７Ｔｍ（Ｔｍは上記母相合金結晶組織の絶対温度の融点）の圧縮加工温度で、多軸鍛造加工することにより、上記母相合金結晶組織の結晶粒を微細化する
ことを特徴とする金属材料製造方法。

【請求項３】
母相合金結晶組織に直径１～３〔μｍ〕にして、かつ当該母相合金結晶組織より高硬度の第二相粒子を分散させてなる金属材料を、０．４Ｔｍないし０．７Ｔｍ（Ｔｍは上記母相合金結晶組織の絶対温度の融点）の圧縮加工温度で、多軸鍛造加工することにより、上記母相合金結晶組織の結晶粒を微細化する多軸鍛造手段
を具えることを特徴とする金属材料製造装置。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向へ移動し得る第１移動部と、当該第１方向と異なる第２方向へ移動し得る第２移動部とが一体に構成されてなる移動装置であって、
上記第１移動部は、
磁性体でなる第１基台に対して永久磁石の磁力により吸着される第１脚部と、
上記第１基台に対して永久磁石の磁力により吸着される第２脚部と、
上記第１脚部及び上記第２脚部の移動可能方向を上記第１方向に制限する第１移動方向制限部と、
上記第１方向に関する上記第１脚部と上記第２脚部との間隔を変更する第１間隔変更部と、
上記第１脚部における磁力を強化することにより上記第１基台に対する上記第１脚部の吸着力を強化する第１磁力強化手段と、
上記第２脚部における磁力を強化することにより上記第１基台に対する上記第２脚部の吸着力を強化する第２磁力強化手段と
を具え、
上記第２移動部は、
磁性体でなる第２基台に対して上記永久磁石の磁力により吸着される第３脚部と、
上記第２基台に対して上記永久磁石の磁力により吸着される第４脚部と、
上記第３脚部及び上記第４脚部の移動可能方向を上記第２方向に制限する第２移動方向制限部と、
上記第２方向に関する上記第３脚部と上記第４脚部との間隔を変更する第２間隔変更部と、
上記第３脚部における磁力を強化することにより上記第２基台に対する上記第３脚部の吸着力を強化する第３磁力強化手段と、
上記第４脚部における磁力を強化することにより上記第２基台に対する上記第４脚部の吸着力を強化する第４磁力強化手段と、
を具えることを特徴とする移動装置。
【請求項２】
上記第１間隔変更部及び上記第２間隔変更部は、
それぞれ圧電素子でなる
ことを特徴とする請求項１に記載の移動装置。
【請求項３】
上記第１移動方向制限部は、
上記第１方向に沿って上記第１基台に形成された第１溝部であり、
上記第２移動方向制限部は、
上記第２方向に沿って上記第２基台に形成された第２溝部である
ことを特徴とする請求項１に記載の移動装置。
【請求項４】
上記第１基台は、
少なくとも上記第１溝部が磁性体でなり、
上記第２基台は、
少なくとも上記第２溝部が磁性体でなる
ことを特徴とする請求項３に記載の移動装置。
【請求項５】
上記第１脚部は、
上記第１基台に対して２以上の接点により当接し、上記第１磁力強化手段により磁力が強化された際、上記第１基台との間に閉ループ磁気回路を形成し、
上記第２脚部は、
上記第１基台に対して２以上の接点により当接し、上記第２磁力強化手段により磁力が強化された際、上記第１基台との間に閉ループ磁気回路を形成し、
上記第３脚部は、
上記第２基台に対して２以上の接点により当接し、上記第３磁力強化手段により磁力が強化された際、上記第２基台との間に閉ループ磁気回路を形成し、
上記第４脚部は、
上記第２基台に対して２以上の接点により当接し、上記第４磁力強化手段により磁力が強化された際、上記第２基台との間に閉ループ磁気回路を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の移動装置。

（以下、詳細は特許公報をご参照ください。）

【特許請求の範囲】

【請求項１】
追跡対象となる物体の画像を取り込む画像取込手段と、
上記取り込まれた画像から、上記追跡対象の尤度モデルに基づく仮説より上記追跡対象の動作予測をしながら上記追跡対象の尤度を生成して、上記物体の追跡処理を行う追跡処理手段と、
上記生成された上記追跡対象の尤度と予め定められた閾値との比較により上記物体の追跡処理の異常状態を検知する異常状態検知手段と、
上記異常状態が一定時間継続されたときに上記追跡対象は他の追跡対象により遮蔽された状態であると判定する遮蔽状態判定手段と、
上記遮蔽状態であると判定されたときに上記尤度モデルを追加登録すると共に上記閾値を上記追加登録された回数毎に低下させて更新する尤度モデル更新手段と、
を備えたことを特徴とする物体追跡装置。

【請求項２】
上記遮蔽状態判定手段は、上記遮蔽状態であると判定された後に、最後に上記追加登録された上記尤度モデルよりも大きな尤度が生成された上記尤度モデルが存在するときに上記遮蔽状態が解消されたと判定し、
上記尤度モデル更新手段は、最大の尤度が生成された上記尤度モデルよりも後に上記追加登録された上記尤度モデルの登録をすべて削除し、上記閾値を上記削除された尤度モデルの個数毎に増大させて更新することを特徴とする請求項１に記載の物体追跡装置。

【請求項３】
追跡対象となる物体の画像から、上記追跡対象の尤度モデルに基づく仮説より上記追跡対象の動作予測をしながら上記追跡対象の尤度を生成して、上記物体の追跡処理を行う際の異常状態を検知する異常状態検知装置であって、
上記生成された上記追跡対象の尤度と予め定められた閾値との比較により上記物体の追跡処理の異常状態を検知する異常状態検知手段と、
上記異常状態が検知されたときに上記追跡対象と異なる他の追跡対象の尤度モデルを作成する尤度モデル作成手段と、
上記異常状態が一定時間継続されたときに上記追跡対象は他の追跡対象により遮蔽された状態であると判定する遮蔽状態判定手段と、
上記遮蔽状態であると判定されたときに上記作成された上記尤度モデルを追加登録すると共に上記閾値を上記追加登録された回数毎に低下させて更新する尤度モデル更新手段と、
を備えたことを特徴とする異常状態検知装置。

【請求項４】
上記遮蔽状態判定手段は、上記遮蔽状態であると判定された後に、最後に上記追加登録された上記尤度モデルよりも大きな尤度が生成された上記尤度モデルが存在するときに上記遮蔽状態が解消されたと判定し、
上記尤度モデル更新手段は、最大の尤度が生成された上記尤度モデルよりも後に上記追加登録された上記尤度モデルの登録をすべて削除し、上記閾値を上記削除された尤度モデルの個数毎に増大させて更新することを特徴とする請求項３に記載の異常状態検知装置。

【請求項５】
追跡対象となる物体の画像から、上記追跡対象の尤度モデルに基づく仮説より上記追跡対象の動作予測をしながら上記追跡対象の尤度を生成して、上記物体の追跡処理を行う追跡処理ステップと、
上記生成された上記追跡対象の尤度と予め定められた閾値との比較により上記物体の追跡処理の異常状態を検知する異常状態検知ステップと、
上記異常状態が検知されたときに上記追跡対象と異なる他の追跡対象の尤度モデルを作成する尤度モデル作成ステップと、
上記異常状態が一定時間継続されたときに上記追跡対象は他の追跡対象により遮蔽された状態であると判定する遮蔽状態判定ステップと、
上記遮蔽状態であると判定されたときに上記作成された上記尤度モデルを追加すると共に上記閾値を上記追加された回数毎に低下させて更新する尤度モデル追加ステップと、
上記遮蔽状態であると判定された後に、最後に上記追加された上記尤度モデルよりも大きな尤度が生成された上記尤度モデルが存在するときに上記遮蔽状態が解消されたと判定する遮蔽状態解消判定ステップと、
上記遮蔽状態が解消されたと判定されたときに上記尤度モデルを削除すると共に上記閾値を上記削除された上記尤度モデルの個数毎に増大させて更新する尤度モデル削除ステップと、
を含むことを特徴とする物体追跡方法。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
実空間上に立体像を表示する立体像表示手段と、
前記立体像表示手段により立体表示可能な像を手書きで描画する描画手段と、
前記描画手段により描画された立体像の中の特定範囲の部材を指定する指定手段と、
前記指定手段により指定された部材の立体的な動きを割り当てる動き割り当て手段とを備え、
前記動き割り当て手段により割り当てられた動きを前記立体像表示手段により表示された前記部材に与えることを備えたことを特徴とする３Ｄデザイン支援システム。

【請求項２】
請求項１に記載の３Ｄデザイン支援システムにおいて、
前記立体像表示手段は、操作者の頭部に装着するヘッドマウントディスプレイであり、当該ヘッドマウントディスプレイ自身の位置及び方向を算出する機能を備えて、位置と方向に対応した立体像を表示させることを特徴とする３Ｄデザイン支援システム。

【請求項３】
請求項１に記載の３Ｄデザイン支援システムにおいて、
前記描画手段は、描画時の実空間位置を算出する機能を備えて、算出された実空間位置を、描画位置とすることを特徴とする３Ｄデザイン支援システム。

【請求項４】
請求項１に記載の３Ｄデザイン支援システムにおいて、
前記動き割り当て手段により割り当てられた動きは、前記部材を第１の空間位置と第２の空間位置との間で前記部材を往復移動させる動きであることを特徴とする３Ｄデザイン支援システム。

【請求項５】
請求項１に記載の３Ｄデザイン支援システムにおいて、
前記動き割り当て手段により割り当てられた動きは、空間上の軸を中心にして前記部材を回動させる動きであることを特徴とする３Ｄデザイン支援システム。

【請求項６】
請求項１に記載の３Ｄデザイン支援システムにおいて、
前記指定手段による前記部材の指定は、直方体としての部材の対角線を指定することで行うことを特徴とする３Ｄデザイン支援システム。

【請求項７】
請求項１に記載の３Ｄデザイン支援システムにおいて、
前記指定手段による前記部材の指定は、立方体としての部材を複数の方向から囲むことを特徴とする３Ｄデザイン支援システム。

【請求項８】
請求項１に記載の３Ｄデザイン支援システムにおいて、
前記描画手段による像の描画を行う際に、所定距離の線が描画されるごとに、前記立体像表示手段での線の表示形態を変化させたことを特徴とする３Ｄデザイン支援システム。

【請求項９】
請求項１に記載の３Ｄデザイン支援システムにおいて、
前記描画手段による像の描画を行う際に、空間に描いた仮想的な物体と、前記仮想的な物体の周囲にある実物とを結ぶ線を描き、
前記実物の動きに連動して、前記結ぶ線の描画位置及び長さを変化させることを特徴とする３Ｄデザイン支援システム。

【請求項１０】
請求項１に記載の３Ｄデザイン支援システムにおいて、
前記描画手段により描画された像を、前記立体像表示手段で拡大表示して、実空間上にほぼ実物大の立体像を表示させることを特徴とする３Ｄデザイン支援システム。

【請求項１１】
実空間上に立体像を表示する立体像表示処理と、
前記立体表示される像を手書きで描画する描画処理と、
前記描画処理により描画されて表示された立体像の中の特定範囲の部材を指定する指定処理と、
前記指定処理により指定された部材の立体的な動きを割り当てる動き割り当て処理とを行い、
前記動き割り当て処理により割り当てられた動きを前記立体像表示処理で表示された前記部材に与えることを特徴とする３Ｄデザイン支援方法。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
主軸と、この主軸の軸線周りに回転自在の回転体と、複数のリンク部材をパンタグラフ状に組み合わせて成り、前記回転体に対して前記主軸の径方向に伸縮自在に取り付けられたパンタグラフリンクと、前記主軸に対して平行かつ翼弦が前記リンク部材の長手方向となるように前記リンク部材に取り付けられた翼と、前記回転体の回転に伴って前記パンタグラフリンクを伸縮させるパンタグラフリンク駆動手段とを備え、前記回転体が前記主軸の軸線周りに一回転する間に前記翼に生じる流体力の合力が特定の方向に向くようにしたことを特徴とする回転翼機構。

【請求項２】
前記パンタグラフ駆動手段は、前記主軸に対して接近及び離間するように前記回転体上に摺動自在に取り付けられたスライダと、前記主軸に対して偏心した位置に固定配置され、前記主軸と平行な従節軸と、一端が前記従節軸により回動自在に軸支され、前記従節軸の径方向外側に向けて延びると共に他端が前記スライダに対して前記主軸と平行な軸線まわりに回動自在に連結された従節クランクとを備え、前記パンタグラフリンクは、前記従節クランクと前記スライダとの連結点と、前記回転体上における前記スライダよりも内側の部位に設定された支点との二点において伸縮自在に軸支されたことを特徴とする請求項１記載の回転翼機構。

【請求項３】
前記パンタグラフ駆動手段は、前記主軸に対して偏心した位置に固定配置され、前記主軸と平行な従節軸と、一端が前記従節軸により回動自在に軸支され、前記従節軸の径方向外側に向けて延びる従節クランクと、一端が前記従節クランクの他端に対して前記主軸と平行な軸線まわりに回動自在に連結され、他端が前記回転体の先端部に対して前記主軸と平行な軸線まわりに回動自在に連結されたカプラリンクとを備え、前記パンタグラフリンクは、前記従節クランクと前記カプラリンクとの連結点と、前記回転体上の中間部に設定された支点との二点において伸縮自在に軸支されたことを特徴とする請求項１記載の回転翼機構。

【請求項４】
前記パンタグラフ駆動手段は、前記主軸に対して接近及び離間するように前記回転体上に摺動自在に取り付けられたスライダと、このスライダを前記主軸の周りの閉じた非真円状の軌跡に沿って摺動自在に案内するレールとを備え、前記パンタグラフリンクは、前記スライダ上に設定された支点と、前記回転体上における前記スライダよりも内側の部位に設定された支点との二点において伸縮自在に軸支されたことを特徴とする請求項１記載の回転翼機構。

【請求項５】
請求項１記載の回転翼機構を備え、前記回転翼機構を回転駆動することにより発生する推進力で移動するようにしたことを特徴とする移動体。

【請求項６】
請求項１記載の回転翼機構を備え、前記回転翼機構が流体から与えられる力で回転することにより発生する回転力で発電を行うようにしたことを特徴とする発電機。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
装着者の体幹部に装着される体幹保持手段と、
上記体幹保持手段の左及び右側位置に取り付けられた第１回動部と、該第１回動部によって回動動作する第１棒状部材と、該第１棒状部材の下端に取り付けられた第２回動部と、該第２回動部によって回動動作する第２棒状部材と、該第２棒状部材の下端に取り付けられた足部とをそれぞれ有し、上記体幹部から下肢の両側に沿いかつ当該下肢とは離間した状態で下方向に上記足部に至るまでそれぞれ延在する左側及び右側下肢補助手段と、
上記下肢が地面から離れている遊脚期において、上記下肢の足首部分に設けた第１の検出部材と上記第２棒状部材の対応部分に設けた第２の検出部材との相互間の動きを検出し、当該第１の検出部材及び第２の検出部材間の間隔が離れることがないように上記左側及び右側下肢補助手段の上記第１及び第２回動部を回動動作させることにより上記左側及び右側下肢補助手段を上記下肢の動きに追従動作させる追従手段と、
上記下肢が上記地面に着地している支持脚期中、上記左側及び右側の下肢補助手段の上記第２棒状部材の先端で上記地面を押し付け続けることにより装着者自身の自重によって関節部位に生じる負荷を低減させる抜重制御手段と
を具えることを特徴とする歩行補助装置。

【請求項２】
上記歩行補助装置は、
上記下肢の位置に基づいて上記下肢が地面に接地するよりも先、若しく上記下肢が地面に接地するのとほぼ同時に上記左側及び右側下肢補助手段の上記第２棒状部材の先端で上記地面を押し付けることにより上記下肢に対する衝撃荷重を軽減させる衝撃荷重軽減制御手段
をさらに具えることを特徴とする請求項１に記載の歩行補助装置。

【請求項３】
上記追従手段は、上記体幹部の所定位置に設けられた第１の回転駆動手段と、上記下肢の膝付近に設けられた第２の回転駆動手段とを介して、上記左側及び右側下肢補助手段を上記下肢の動きに合わせて追従動作させる
ことを特徴とする請求項１に記載の歩行補助装置。

【請求項４】
上記追従手段は、比例微分制御により生成した駆動信号を用いて上記第１の回転駆動手段及び上記第２の回転駆動手段を回転駆動させる
ことを特徴とする請求項３に記載の歩行補助装置。

【請求項５】
上記左側及び右側下肢補助手段の先端は、地面に接触する部分が半月状に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の歩行補助装置。

【請求項６】
上記左側及び右側下肢補助手段の先端には、所定の衝撃緩衝材が取り付けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の歩行補助装置。

【請求項７】
上記左側及び右側下肢補助手段は、下肢の長さに合わせて、その長さを調節可能な長さ調整手段が設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の歩行補助装置。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
荷重が負荷されると第１電極から第２電極までの電気抵抗が変化する複数の検出エレメントと、
前記複数の検出エレメントのうちの隣り合う隣接検出エレメントを接合し、前記隣接検出エレメントのうちの第１検出エレメントの第１電極を前記隣接検出エレメントのうちの第２検出エレメントの第１電極に第１抵抗器を介して電気的に接続し、前記第１検出エレメントの第２電極を前記第２検出エレメントの第２電極に第２抵抗器を介して電気的に接続する複数のケーブル
とを具備する二次元分布荷重中心位置検出センサ。

【請求項２】
請求の範囲１において、
前記ケーブルは、変形可能である
二次元分布荷重中心位置検出センサ。

【請求項３】
請求の範囲２において、
前記複数の検出エレメントは、格子状に配置される
二次元分布荷重中心位置検出センサ。

【請求項４】
請求の範囲１～請求の範囲３のいずれかにおいて、
前記電気抵抗は、前記荷重に概ね反比例する
二次元分布荷重中心位置検出センサ。

【請求項５】
請求の範囲１～請求の範囲４のいずれかに記載される二次元分布荷重中心位置検出センサと、
制御装置とを具備し、
前記二次元分布荷重中心位置検出センサは、
前記複数の検出エレメントのうちの第１方向の端に配置される検出エレメントの第１電極に電気的に接続される第１端子と、
前記複数の検出エレメントのうちの前記第１方向の反対方向の端に配置される検出エレメントの第１電極に電気的に接続される第２端子と、
前記複数の検出エレメントのうちの前記第１方向と異なる第２方向の端に配置される検出エレメントの第２電極に電気的に接続される第３端子と、
前記複数の検出エレメントのうちの前記第２方向の反対方向の端に配置される検出エレメントの第２電極に電気的に接続される第４端子とを備え、
前記制御装置は、前記二次元分布荷重中心位置検出センサに電流が流れるように前記第１端子と前記第２端子と前記第３端子と前記第４端子との間に電圧を印加し、前記第１端子を流れる電流と前記第２端子を流れる電流と前記第３端子を流れる電流と前記第４端子を流れる電流とに基づいて前記二次元分布荷重中心位置検出センサに作用する荷重の位置を算出する
二次元分布荷重中心位置検出装置。

【請求項６】
請求の範囲５において、
前記制御装置は、更に、前記第１端子を流れる電流と前記第２端子を流れる電流と前記第３端子を流れる電流と前記第４端子を流れる電流とに基づいて前記荷重を算出する
二次元分布荷重中心位置検出装置。

【請求項７】
請求の範囲１～請求の範囲４のいずれかにおいて、
前記複数の検出エレメントの各々は、
前記第１電極と前記第２電極とが表面に配置される基板と、
前記第１電極と前記第２電極との両方に電気的に接続される感圧素材とを備え、
前記第１電極と前記第２電極とは、前記基板と前記感圧素材とに挟まれる
二次元分布荷重中心位置検出センサ。

【請求項８】
請求の範囲１と請求の範囲２と請求の範囲３と請求の範囲４と請求の範囲７とのうちのいずれかにおいて、
弾性体から形成されるエラストマ層を更に具備し、
前記エラストマ層は、前記複数の検出エレメントと前記複数のケーブルとから形成される層を被覆する
二次元分布荷重中心位置検出センサ。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
コンピュータが仮想環境上のキャラクタの表情を変化させる処理を行うキャラクタ情報処理方法であって、
前記キャラクタの置かれている状況を表す状況情報を取得する工程と、
前記キャラクタの置かれ得る状況と、前記キャラクタの心理状態を表すための心理的要因の構成要素と、瞳孔の拡大縮小、充血程度、涙滴量の少なくとも１つを含む眼球の状態変化との対応関係を示した感情モデルを用いて、前記取得された状況情報に対応する、前記感情モデルに示された心理的要因の構成要素に基づいたキャラクタの心理状態を表す心理的要因情報を生成する工程と、
前記感情モデルを用い、前記心理的要因情報に対応する、前記キャラクタの眼球の状態変化を表す眼球状態変化情報を生成する工程と
を有することを特徴とするキャラクタ情報処理方法。

【請求項２】
前記眼球の状態変化が、瞳孔の拡大縮小、充血程度、涙滴量のすべてを含むことを特徴とする請求項１記載のキャラクタ情報処理方法。

【請求項３】
前記キャラクタの眼球に入射された光の強度とその変化量との少なくとも一方を含む生理的要因情報を生成する工程をさらに有し、
前記眼球状態変化情報を生成する工程において、前記生成された生理的要因情報と前記心理的要因情報とに基づいて、前記眼球状態変化情報を生成する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のキャラクタ情報処理方法。

【請求項４】
前記眼球状態変化情報を生成する工程において、前記生理的要因情報から決定される眼球状態変化情報と前記心理的要因情報から決定される眼球状態変化情報とが対立する場合は、前記心理的要因情報から決定される眼球状態変化情報を優先して採択する
ことを特徴とする請求項３に記載のキャラクタ情報処理方法。

【請求項５】
前記眼球状態変化情報を生成する工程において、前記生理的要因情報である前記キャラクタの眼球に入射された光の強度の対数に比例した前記眼球状態変化情報を生成する
ことを特徴とする請求項３又は４に記載のキャラクタ情報処理方法。

【請求項６】
前記眼球状態変化情報を生成する工程において、前記キャラクタの位置によって求められる光の強度に基づいて、前記眼球状態変化情報を生成する
ことを特徴とする請求項３～５いずれか１項に記載のキャラクタ情報処理方法。

【請求項７】
仮想環境上のキャラクタの表情を変化させるためのキャラクタ情報処理装置であって、
前記キャラクタの置かれ得る状況と、前記キャラクタの心理状態を表すための心理的要因の構成要素と、瞳孔の拡大縮小、充血程度、涙滴量の少なくとも１つを含む眼球の状態変化要因との対応関係を示した感情モデルを取得する手段と、
前記キャラクタの置かれている状況を表す状況情報を取得する手段と、
前記感情モデルを用いて、前記取得された状況情報に対応する、前記感情モデルに示された心理的要因の構成要素に基づいたキャラクタの心理状態を表す心理的要因情報を生成する手段と、
前記感情モデルを用い、前記心理的要因情報に対応する、前記キャラクタの眼球の状態変化を表す眼球状態変化情報を生成する手段と
を備えることを特徴とするキャラクタ情報処理装置。

【請求項８】
前記キャラクタの眼球に入射された光の強度とその変化量の少なくとも一方を含む生理的要因情報を生成する手段をさらに有し、
前記眼球状態変化情報を生成する手段において、前記生成された生理的要因情報と前記心理的要因情報とに基づいて、前記眼球状態変化情報を生成する
ことを特徴とする請求項７記載のキャラクタ情報処理装置。

【請求項９】
前記眼球状態変化情報を生成する手段において、前記生理的要因情報から決定される眼球状態変化情報と前記心理的要因情報から決定される眼球状態変化情報とが対立する場合は、前記心理的要因情報から決定される眼球状態変化情報を優先して採択する
ことを特徴とする請求項８に記載のキャラクタ情報処理装置。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
柱状の空孔を有する多孔体が表面に設けられた導電層を一方の電極として、炭素を含有する有機溶剤を電気分解して、前記空孔の側壁に炭素層を形成する工程と、
前記多孔体を取り除く工程と
を具備する
カーボンチューブの製造方法。

【請求項２】
請求項１に記載のカーボンチューブの製造方法において、
前記多孔体は、アルミナである
カーボンチューブの製造方法。

【請求項３】
請求項２に記載のカーボンチューブの製造方法において、
前記導電層上のアルミニウム層を陽極酸化して、前記多孔体としてのアルミナを形成する工程を更に具備する
カーボンチューブの製造方法。

【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のカーボンチューブの製造方法において、
前記有機溶剤は、アルコール系溶剤である
カーボンチューブの製造方法。

【請求項５】
請求項４に記載のカーボンチューブの製造方法において、
前記アルコール系溶剤は、メタノール、エタノール、及びエチレングリコールのうちの少なくとも一つを含む
カーボンチューブの製造方法。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
仮想的に定義された３次元座標上において仮想的な立体形状であるソリッドモデルを作成するローカルカーネルと、該ローカルカーネルにネットワークを介して接続されたリモートカーネルを含み、これらのカーネル間で共通のデータを相互運用する３次元CADシステムであって、
前記リモートカーネル側において作成されたリモートソリッドモデルを構成する各要素に対し、それぞれの要素を識別するグローバルIDを付与する第1のグローバルID生成部と、
前記リモートソリッドモデルを作成した操作情報履歴を、前記グローバルIDと関連づけて蓄積する操作情報履歴蓄積部と、
前記操作情報履歴と、これに関連づけられたグローバルIDとをセットとして前記ローカルカーネルに送信する操作情報履歴送信部と、
前記ローカルカーネル側において、前記リモートソリッドモデルの操作情報履歴及びグローバルIDを受信する操作情報履歴受信部と、
受信された操作情報履歴に含まれるリモートカーネルにおける各操作を、当該各操作に対応する当該ローカルカーネルが有する操作に置換する操作情報翻訳部と、
受信された操作情報履歴に基づいて、前記置換された操作を順次実行し、ローカルカーネルを作成する操作情報実行部と、
操作情報実行部により生成されたローカルソリッドモデルの要素に対して、前記決定規則と同一の規則に基づいて、グローバルIDを付与する第2のグローバルID生成部と、
を備え、
前記要素は、前記ソリッドモデルを構成する最小単位形状であって、単一のモデリング操作によって生成される面、及び面が接する稜線の集合であり、
前記第1及び第2のグローバルID生成部は、前記要素のそれぞれを内接するように包含するバウンディングボックスの前記三次元座標上における座標位置に基づく決定規則に従って、各要素及び各要素に含まれる形状、面又は稜線に対して前記グローバルIDを付与する
ことを特徴とする3次元CADシステム。

【請求項２】
前記第1及び第2のグローバルID生成部は、前記バウンディングボックスが一致する複数の面がある場合に、これら複数の面の法線ベクトルを求め、法線ベクトルの相違に基づいて、当該複数の面を区別し、区別された複数の面それぞれに対して異なるグローバルIDを付与することを特徴とする請求項1に記載の3次元CADシステム。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
Ｓｉからなる基体の表面上に、Ｎｉを含む金属化合物、Ｃｏを含む金属化合物、およびＦｅを含む金属化合物から選ばれる１種又は２種以上の金属化合物を含有する溶液を塗布し、この基体の表面上に前記金属化合物を形成させる工程と、
前記金属化合物が表面上に形成された基体を、常圧の炭化水素ガス含有雰囲気中で１４００℃以上に加熱することにより、前記基体の表面上に、炭化水素ガスの熱分解によるダイヤモンドライクカーボン膜を形成する工程とを有し、
前記金属化合物の金属原子の数量が、基体を構成する原子の単位表面積当たりの原子の個数の１００分の１を超え、１未満となる範囲にて、前記金属化合物は前記基体の表面上に形成されることを特徴とするダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
光を照射する光源部を有し、人体の頭部に装着される装着部と、
反射部及びカバー部を有する光線剣本体とを備え、
前記反射部は、棒状で、前記光源部から照射された前記光を入射した方向に反射させ、
前記カバー部は、前記反射部を包周及び保護することを特徴とする光線剣装置。

【請求項２】
前記光線剣本体は、
前記カバー部が物体に接触した状態を検知する検知部と、
前記検知部が検知した事象を示す信号を送信する信号送信部と、
前記信号送信部が送信した前記信号を受信し、前記信号に基づいて効果音を送出する音声送出部
とを更に備えることを特徴とする請求項１に記載の光線剣装置。

【請求項３】
前記装着部は、前記光源部が照射する前記光を反射して、前記光線剣本体に前記光が照射されるように調整するハーフミラー部を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の光線剣装置。

【請求項４】
前記光線剣本体は、
前記反射部の端部側に配置され、前記人体の手部により把持可能に構成された把持部を備え、
前記反射部を当該反射部の長手方向軸を中心として前記把持部に対して回転させる回転手段、及び前記反射部を振動させる振動手段のうち、少なくともいずれか一方の手段を更に備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光線剣装置。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
先端部分に光源を持ち、前記光源が出力する光の消滅及び出現を切り替える手段を有するポインティングデバイスと、
前記ポインティングデバイスの発する前記光が作る楕円または円の平面投影像を映す平面状の投影部と、
前記光源が出力する光の消滅及び出現を切り替える手段により前記光源の光を消滅させることで前記平面投影像が消えたときから一定時間、前記光の消滅及び出現をＯＮ／ＯＦＦ情報として時間的に羅列するシグナルパターンを取得する信号取得部と、
前記シグナルパターンに基づいて複数の入力処理を識別する入力処理識別手段と、
予め登録された異なる複数のシグナルパターンの情報に対応した個別処理を実行する個別処理実行部と、
前記平面投影像を撮影する撮像機器と、
前記撮像機器により撮影された画像から前記平面投影像の特徴量を算出する特徴量算出手段と、
前記特徴量から前記ポインティングデバイスの３次元位置及び回転角を算出する位置算出手段とを具備し、
前記入力処理識別手段は、前記一定時間内に出現した前記シグナルパターンと前記予め登録された異なる複数のシグナルパターンとの一致を判断し、一致した場合は前記個別処理実行部が前記個別処理を実行し、一致しない場合は、前記信号取得部が新たにシグナルパターンを再取得し、前記新たなシグナルパターンと前記予め登録された異なる複数のシグナルパターンとの一致を判断することを特徴とする３次元位置入力装置。

【請求項２】
前記ポインティングデバイスは、光源の光軸を中心に円錐状の光線を発することを特徴とする請求項１に記載の３次元位置入力装置。

【請求項３】
前記ポインティングデバイスは、光源の光軸を通る光線を発生することを特徴とする請求項１または２に記載の３次元位置入力装置。

【請求項４】
前記ポインティングデバイスの発する平面投影像は、1箇所、欠けを生じ、前記位置算出手段は、前記欠けを利用して前記回転角を算出することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の３次元位置入力装置。

【請求項５】
前記ポインティングデバイスは、楕円の周上または円周上に複数の光の点を発生し、前記位置算出手段は、前記複数の光の点のうち、ある光の点に着目して前記回転角を算出することを特徴とする請求項１に記載の３次元位置入力装置。

【請求項６】
前記撮像機器は、前記特徴量算出手段と前記位置算出手段とを具備することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の３次元位置入力装置。

【請求項７】
前記平面状の投影部は、光を感知する機能を具備し、前記ポインティングデバイスの発する前記平面投影像もしくは前記複数の光の点の位置情報を読み取る平面状の光感知器であって、
この光感知器により読み取った前記平面投影像の特徴量もしくは前記複数の光の点の特徴量を算出する特徴量算出手段と、
前記特徴量から前記ポインティングデバイスの３次元位置及び回転角を算出する位置算出手段とを具備することを特徴とする請求項1乃至５のいずれか１項に記載の３次元位置入力装置。

【請求項８】
前記特徴量は、楕円の中心座標と焦点の座標と長軸の長さと短軸の長さと傾き、または円の中心座標と半径であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の３次元位置入力装置。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
母相結晶中に第二相粒子が析出又は分散している金属材料加工素材を冷間雰囲気内で微小単位加工量だけひずみ加工する低ひずみ加工ステップと、
上記低ひずみ加工ステップに続いて、上記金属材料加工素材の加工組織を温間雰囲気内で回復させることにより、上記微小単位加工量に対応する加工ひずみを蓄積させる温間回復処理ステップと
を含む加工サイクルを、複数サイクル繰り返すことにより、上記金属材料加工素材の結晶粒を微細化加工し、
上記低ひずみ加工ステップにおける上記微小単位加工量は、直後の上記温間回復処理ステップにおける回復処理時に再結晶を発現させない大きさであり、
かつ上記温間回復処理ステップにおける加工熱処理温度は、動的あるいは静的再結晶が起らず回復のみが起る温度であり、
これにより上記複数サイクルにおける上記加工サイクルの微細化加工処理ごとに上記金属材料加工素材のひずみ量を蓄積加工する
ことを特徴とする結晶粒微細化加工方法。

【請求項２】
母相結晶中に第二相粒子が析出又は分散している金属材料加工素材を温間雰囲気内で微小単位加工量だけひずみ加工する低ひずみ加工ステップと、
上記低ひずみ加工ステップに続いて、上記金属材料加工素材の加工組織を温間雰囲気内で回復させることにより、上記微小単位加工量に対応する加工ひずみを蓄積させる温間回復処理ステップと
を含む加工サイクルを、複数サイクル繰り返すことにより、上記金属材料加工素材の結晶粒を微細化加工し、
上記低ひずみ加工ステップにおける上記微小単位加工量は、当該低ひずみ加工処理時及び直後の上記温間回復処理ステップにおける回復処理時に再結晶を発現させない大きさであり、
かつ上記温間回復処理ステップにおける加工熱処理温度は、動的あるいは静的再結晶が起らず回復のみが起る温度であり、
これにより上記複数サイクルにおける上記加工サイクルの微細化加工処理ごとに上記金属材料加工素材のひずみ量を蓄積加工する
ことを特徴とする結晶粒微細化加工方法。

【請求項３】
母相結晶中に第二相粒子が析出又は分散している金属材料加工素材を冷間雰囲気内で微小単位加工量だけひずみ加工する第１の低ひずみ加工ステップと、上記第１の低ひずみ加工ステップに続いて、上記金属材料加工素材の加工組織を温間雰囲気内で回復させることにより、上記微小単位加工量に対応する加工ひずみを蓄積させる第１の温間回復処理ステップとを含む第１の加工サイクルと、
上記金属材料加工素材を温間雰囲気内で微小単位加工量だけひずみ加工する第２の低ひずみ加工ステップと、上記第２の低ひずみ加工ステップに続いて、上記金属材料加工素材の加工組織を温間雰囲気内で回復させることにより、上記微小単位加工量に対応する加工ひずみを蓄積させる第２の温間回復処理ステップとを含む第２の加工サイクルと、
を含む加工サイクルを、複数サイクル繰り返すことにより、上記金属材料加工素材の結晶粒を微細化加工し、
上記第１及び第２の低ひずみ加工ステップにおける上記微小単位加工量は、当該第１及び第２の低ひずみ加工処理時及び直後の上記第１及び第２の温間回復処理ステップにおける回復処理時に再結晶を発現させない大きさであり、
かつ上記第１及び第２の温間回復処理ステップにおける加工熱処理温度は、動的あるいは静的再結晶が起らず回復のみが起る温度であり、
これにより上記複数サイクルにおける上記加工サイクルの微細化加工処理ごとに上記金属材料加工素材のひずみ量を蓄積加工する
ことを特徴とする結晶粒微細化加工方法。

【請求項４】
上記温間回復処理ステップの上記加工熱処理温度は、０.５Ｔｍ（融点Ｔｍの半分の温度）以下である
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の結晶粒微細化加工方法。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
下部治具部に対して上部治具部を上下方向に移動させることによって圧縮室内の鍛造試料を圧縮加工する多軸鍛造用圧縮治具であって、
上記下部治具部は、上記上部治具部の上部アンビルを上方から挿脱動作される上記圧縮室と、上記圧縮室の下面に連通する位置から前端面に至るまでの間に形成された通路と、上記通路に挿脱される下部アンビルとを具え、
上記通路に上記下部アンビルを挿入することにより上記下部アンビルの上面によって上記圧縮室の下面を閉塞し、かつ上記上部治具部を上記下部治具部から離れる方向に移動させることにより上記上部アンビルを上記圧縮室から引き抜いた状態において、上記圧縮室に上記鍛造試料を入れた後上記上部治具部を上記下部治具部の方向に移動させることにより上記圧縮室に挿入された上記上部アンビルと上記下部アンビルと上記圧縮室の壁面との間に上記鍛造試料を第１の圧縮軸方向に圧縮加工し、
次に上記下部アンビルを上記通路から引き出した後、上記上部治具部を上記下部治具部の方向に移動させることにより上記上部アンビルによって上記加工後の鍛造試料を上記通路に突き落し、
次に当該加工後の鍛造試料を上記通路を介して外部に取り出した後当該通路に上記下部アンビルを挿入すると共に、上記上部治具部を上記下部治具部から離れる方向に移動させることにより上記上部アンビルを上記圧縮室から引き抜いた状態にし、これにより上記圧縮室に上記加工後の鍛造試料を入れることにより当該加工後の鍛造試料を上記第１の圧縮軸方向とは異なる第２の圧縮軸方向に圧縮加工できるようにする
ことを特徴とする多軸鍛造用圧縮治具。

【請求項２】
上記上部治具部及び上記下部治具部間に挿脱される圧縮高さ調節板を具え、
該圧縮高さ調節板は、上記上部アンビルによって上記鍛造試料を圧縮加工する際には上記上部治具部及び上記下部治具部間位置に挿入されると共に、当該圧縮加工された上記鍛造試料を上記圧縮室から上記通路に突き落す際には上記上部治具部及び上記下部治具部間位置から引き抜かれる
ことを特徴とする請求項１に記載の多軸鍛造用圧縮治具。

【請求項３】
下部治具部に対して上部治具部を移動させることによって圧縮室内の鍛造試料を圧縮加工する多軸鍛造用圧縮治具であって、
上記上部治具部は、第１の底面部の一端縁部に、圧縮上面と該圧縮上面に連接する圧縮側面とでなる圧縮凹所を有し、
上記下部治具部は、上記上部治具部の上記第１の底面部に対応する第２の底面部をもつ案内凹所を有し、
上記上部治具部を上記下部治具部から離れる方向に移動させることにより上記上部治具部を上記案内凹所から引き抜いた状態において、上記案内凹所のうち上記圧縮凹所に対応する位置に上記鍛造試料を入れた後、上記上部治具部を上記下部治具部の方向に移動させることにより、上記圧縮凹所の上記圧縮上面及び上記圧縮側面と、上記案内凹所の上記第２の底面部及び当該第２の底面部に連接する側面部とによって上記圧縮室を形成すると共に、上記圧縮凹所の上記圧縮上面によって上記下部治具部の上記第２の底面部との間に上記鍛造試料を第１の圧縮軸方向に圧縮加工し、
次に上記上部治具部を上記下部治具部から離れる方向に移動させた後上記上部治具部を上記案内凹所から引き抜いた状態において、上記鍛造試料を上記案内凹所から外部に取り出して入れ直すことにより当該鍛造試料を上記第１の圧縮軸方向とは異なる第２の圧縮軸方向に圧縮加工できるようにする
ことを特徴とする多軸鍛造用圧縮治具。

【請求項４】
上記案内凹所は、横断面がほぼ多角形形状になるように形成されると共に、上記第２の底面部は上記多角形形状の突出角部の方向に行くに従って深くなるように傾斜することにより、上記案内凹所に入れられる上記鍛造試料を上記突出角部の位置に位置決めし易くする
ことを特徴とする請求項３に記載の多軸鍛造用圧縮治具。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
ＧａＡｓ基板の表面に、ＧａＡｓバッファ層を成長して形成し、
前記ＧａＡｓバッファ層の表面または前記ＧａＡｓバッファ層の上層に、ＧａＳｂｘＡｓ１－ｘ（ｘ＝１）層を０．２４～１．５２ＭＬ厚に成長して形成し、
前記ＧａＳｂｘＡｓ１－ｘ（ｘ＝１）層の表面に、ＩｎＡｓ量子ドットを成長して自己形成する
ことを特徴とする量子ドットの形成方法。

【請求項２】
前記ＧａＳｂｘＡｓ１－ｘ（ｘ＝１）層は、Ａｓ－Ｓｂ交換反応によって形成されることを特徴とする請求項１に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項３】
前記ＩｎＡｓ量子ドットは、１．１×１０11ｃｍ-2以上のドット密度で自己形成されることを特徴とする請求項１に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項４】
前記ＩｎＡｓ量子ドットの自己形成ステップにおいて、コアレッセンスの発生が抑制されることを特徴とする請求項１に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項５】
前記ＩｎＡｓ量子ドットは、その成長初期において、細線状の２次元島が形成されることを特徴とする請求項１に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項６】
ＧａＡｓ基板の表面に、ＧａＡｓバッファ層を成長して形成し、
前記ＧａＡｓバッファ層の表面に、ＧａＡｓＳｂ混晶バッファ層を成長して形成し、
前記ＧａＡｓＳｂ混晶バッファ層上にＧａＡｓ層を成長して形成し、
前記ＧａＡｓ層の表面にＩｎＡｓ量子ドットを、前記基板面内の所定の方向に、正方格子状に自己配列させて形成することを特徴とする量子ドットの形成方法。

【請求項７】
前記ＩｎＡｓ量子ドットは、（００１）基板面内上の＜０１０＞方向に沿って正方格子状に配列することを特徴とする請求項６に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項８】
前記ＩｎＡｓ量子ドットは、１×１０11ｃｍ-2以上のドット密度で正方格子状に自己配列することを特徴とする請求項６に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項９】
前記ＧａＡｓＳｂ混晶バッファ層を、Ａｓ4／Ｓｂ4 照射フラックス比３～９で形成することを特徴とする請求項６に記載の量子ドットの形成方法。

【請求項１０】
ＧａＡｓ基板と、
前記ＧａＡｓ基板上の活性層と、
前記活性層に電流を注入する電極と
を備え、前記活性層は、
０．２４～１．５２ＭＬ厚のＧａＳｂ層と、
前記ＧａＳｂ層の表面に成長したＩｎＡｓ量子ドットと、
前記ＩｎＡｓ量子ドットを埋め込むＧａＡｓ埋め込み層と、
を含み、前記ＩｎＡｓ量子ドットは、１．１×１０11ｃｍ-2以上の密度で配置されることを特徴とする量子ドットレーザ。