お客様の課題解決を
産学官連携・オープンイノベーションで実践する広域TLO

【要約】
量子ドット間のコアレッセンスを抑制しつつ、高密度な量子ドット配列を実現する量子ドットの形成方法と、これを利用した太陽電池を提供する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　ＧａＡｓバッファ層上にＩｎＡｓ層を成長する際に、前記ＩｎＡｓ層の成長が３次元成長に移行する前の濡れ層の段階で、アンチモン（Ｓｂ）を供給圧力２．０×１０-7～３．６×１０-7 Torrで導入してＩｎＡｓＳｂ濡れ層を成長し、前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層が０．５ＭＬ～１．５ＭＬ成長したところで前記Ｓｂの導入を停止して引き続きＩｎＡｓ層を成長してＩｎＡｓ量子ドットを形成する、ことを特徴とする量子ドットの形成方法。
【請求項２】
　前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層および前記ＩｎＡｓ量子ドットの成長温度は、４６０℃～４７０℃であることを特徴とする請求項１に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項３】
　前記成長温度が４６０℃のときに、前記Ｓｂの供給圧力が３．６×１０-7 Torrで前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層を１．０～１．５ＭＬ成長して、前記ＩｎＡｓ量子ドットを、８．０×１０11ｃｍ-2～１．０×１０12ｃｍ-2の面内密度で形成することを特徴とする請求項１または２に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項４】
　前記成長温度が４７０℃のときに、前記Ｓｂの供給圧力が２．２×１０-7～３．５×１０-7 Torrの範囲で、前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層を０．８ＭＬ～１．５ＭＬ成長して、前記ＩｎＡｓ量子ドットを６．０×１０11ｃｍ-2～７．６×１０11ｃｍ-2の面内密度で形成することを特徴とする請求項１または２に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項５】
　前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層の成長において、Ａｓの供給圧力は７．３×１０-6 Torrであることを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項６】
　透明電極と、
　第１導電型の半導体層と、
　第２導電型の半導体層と、前記第１導電型の半導体層と前記第２導電型の半導体層の間に位置する光吸収層と、前記透明電極と反対側の面に位置する電極と、を含み、前記光吸収層は、ＧａＡｓバッファ層と、前記ＧａＡｓバッファ層上に形成されたＩｎＡｓＳｂ濡れ層及び前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層上に成長したＩｎＡｓ量子ドットを含む量子ドット層と、前記量子ドット層を覆うＧａＡｓ中間層と、を含み、前記量子ドット層と前記ＧａＡｓ中間層は、交互に１層以上積層されていることを特徴とする太陽電池。
【請求項７】
　前記ＩｎＡｓ量子ドットの面内密度は４．０×１０11ｃｍ-2～１．０×１０12ｃｍ-2であることを特徴とする請求項６に記載の太陽電池。
【請求項８】
　前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層の成長量は０．５～１．５ＭＬであることを特徴とする請求項６または７に記載の太陽電池。
【請求項９】
　前記ＩｎＡｓ量子ドットの高さは１．６～３．０ｎｍであることを特徴とする請求項８～８のいずれか１項に記載の太陽電池。

【要約】透明樹脂チューブ同士を複雑なチューブ回転機構や高価なレーザースキャン機構を用いることなく、簡単な機構により、短時間で溶着加工できる装置と方法を
提供する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　２つの異径の熱可塑性樹脂チューブである外側チューブと内側チューブとを密着するように嵌め合わせた嵌合体を赤外線レーザー光を用いて加熱溶着する装置であって、前記嵌合体を支持する支持部材と、前記外側チューブの外周側に接触するように配置される赤外線透過性の固体ヒートシンクと、前記内側チューブの内周に接するように内側チューブ内に挿入される金属棒又は金属チューブと、前記固体ヒートシンク側に配置され、当該固体ヒートシンクを通して前記嵌合体に赤外線レーザー光を照射するレーザー光源とを具備することを特徴とする熱可塑性樹脂チューブの溶着装置。
【請求項２】
　前記固体ヒートシンクとレーザー光源との間に、前記嵌合体に照射される赤外線レーザー光の断面積を規定するマスクが介設されることを特徴とする請求項１に記載の熱可塑性樹脂チューブの溶着装置。
【請求項３】
　前記嵌合体に照射される赤外線レーザー光の直径が、前記外側チューブの直径以上に設定されることを特徴とする請求項１に記載の熱可塑性樹脂チューブの溶着装置。
【請求項４】
　前記外側チューブの外径が３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の熱可塑性樹脂チューブの溶着装置。
【請求項５】
　２つの異径の熱可塑性樹脂チューブである外側チューブと内側チューブとを密着するように嵌め合わせて嵌合体を構成する工程と、前記小径チューブの内側にそれの内周に接するように金属棒又は金属チューブを挿入する工程と、前記嵌合体を支持部材上に支持する工程と、前記外側チューブの外周側に接触するように赤外線透過性の固体ヒートシンクを配置する工程と、前記固体ヒートシンク側のレーザー光源から当該固体ヒートシンクを通して前記嵌合体に赤外線レーザー光を照射する工程とを含むことを特徴とする熱可塑性樹脂チューブの溶着方法。
【請求項６】
　前記固体ヒートシンクとレーザー光源との間に、前記嵌合体に照射される赤外線レーザー光の断面積を規定するマスクを介設する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の熱可塑性樹脂チューブの溶着方法。
【請求項７】
　前記嵌合体に照射される赤外線レーザー光の直径が、前記外側チューブの直径以上に設定されることを特徴とする請求項５に記載の熱可塑性樹脂チューブの溶着方法。
【請求項８】
　前記外側チューブの外径が３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項５ないし７に記載の熱可塑性樹脂チューブの溶着方法。

【要約】
【課題】
複数の情報源から送信される情報を効率よく収集することを重視したワイヤレスセンサネットワークシステムおよびその通信方法を提供する。
【解決手段】
本発明のワイヤレスセンサネットワークシステムおよびワイヤレスセンサネットワーク通信方法によれば、複数の送信端末のそれぞれが、第１情報群と、
第２情報群とを、送信周波数群と、送信時刻群との組み合わせに変換した上で送信する複数の送信信号群を、無線ネットワークを介して受信サーバが受信する。こうす
ることで、多数の情報をリアルタイムに通信することが可能となる。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　複数の送信信号群を送信する複数の送信端末と、無線ネットワークを介して前記複数の送信信号群を受信する受信サーバとを具備し、前記複数の送信信号群は、　前記複数の送信端末のそれぞれが送信する送信信号群を具備し、前記それぞれの送信端末は、第１情報群を生成する第１回路部と、第２情報群を生成する第２回路部と、
　前記第１情報群および前記第２情報群の組み合わせを、送信周波数群および送信時刻群の組み合わせに変換する変換部と、前記送信周波数群を有する前記送信信号群を前記送信時刻群に含まれるそれぞれの時刻に送信する送信部とを具備し、前記受信サーバは、前記複数の送信信号群を受信する受信部と、前記複数の送信信号群が示す前記送信周波数群および前記送信時刻群から前記第１情報群および前記第２情報群を復元する復元部とを具備するワイヤレスセンサネットワークシステム。
【請求項２】
　請求項１に記載のワイヤレスセンサネットワークシステムにおいて、前記第１情報群および前記第２情報群の少なくとも一方は、２次元の情報を具備するワイヤレスセンサネットワークシステム。
【請求項３】
　請求項２に記載のワイヤレスセンサネットワークシステムにおいて、前記第１回路は、前記第１情報群を取得するセンサを具備し、前記第２情報群は、２次元座標上の位置情報を具備し、前記第２回路は、前記それぞれの送信端末の前記位置情報を取得する位置情報取得部を具備するワイヤレスセンサネットワークシステム。
【請求項４】
　請求項２に記載のワイヤレスセンサネットワークシステムにおいて、前記第１回路は、前記第１情報群を取得するセンサを具備し、前記第２情報群は、２次元座標上の位置情報を具備し、前記第２回路は、前記送信端末の前記位置情報を予め記憶している記憶部を具備するワイヤレスセンサネットワークシステム。
【請求項５】
　請求項３または４に記載のワイヤレスセンサネットワークシステムにおいて、前記受信サーバは、前記複数の送信端末に向けて要求信号を送信する送信部をさらに具備し、前記それぞれの送信端末は、前記要求信号を受信する受信部をさらに具備し、前記第１回路は、前記要求信号に応じて前記第１情報群を取得するワイヤレスセンサネットワークシステム。
【請求項６】
　請求項１～５のいずれかに記載のワイヤレスセンサネットワークシステムにおいて、前記変換部は、前記第１情報群を前記送信周波数群に変換する第１変換部と、　前記第２情報群を前記送信時刻群に変換する第２変換部とを具備するワイヤレスセンサネットワークシステム。
【請求項７】
　請求項６に記載のワイヤレスセンサネットワークシステムにおいて、前記第２情報群は２次元の情報を含み、前記第２変換部は、前記第２情報群を、第１送信時刻および第２送信時刻の組み合わせに変換し、前記それぞれの送信時刻群は、前記第１送信時刻と、前記第２送信時刻とを具備し、前記推定部は、複数の送信信号群から、前記複数の送信時刻群に共通する前記送信周波数群を検索して、前記第１情報群および前記第２情報群を推定するワイヤレスセンサネットワークシステム。
【請求項８】
　請求項７に記載のワイヤレスセンサネットワークシステムにおいて、前記受信サーバは、前記複数の送信端末の位置情報を予め記憶しているメモリをさらに具備し、
　前記復元部は、前記メモリに記憶された前記位置情報を参照して前記復元を行うワイヤレスセンサネットワークシステム。
【請求項９】
　請求項１～８のいずれかに記載のワイヤレスセンサネットワークシステムにおいて、前記第１情報群は、
　１次元の情報を具備し、前記第１回路は、前記第１情報群のそれぞれを前記送信周波数群のいずれかに割り当て、前記復元部は、前記割り当ての逆変換式を演算して前記第１情報群を推定するワイヤレスセンサネットワークシステム。
（以下省略）
　

【要約】　より容易に製造可能であり、かつ、設計自由度も向上させることができるナノファイバーフォトニック結晶を提供する

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　表面に光透過性を有する凹凸構造体が形成された光学的機能部材と、伝搬光の波長以下の径を有する光導波路部を有し、前記凹凸構造体上に配置され、かつ、前記光導波路部に光が伝搬した際に生成される近接場と前記凹凸構造体の一部とが重なるような位置に配置されたナノ光ファイバーとを備えるナノファイバーフォトニック結晶。
【請求項２】
　前記凹凸構造体が、所定周期のグレーティングであり、前記グレーティングを構成する凸部の延在方向が、前記光導波路部の延在方向と直交する請求項１に記載のナノファイバーフォトニック結晶。
【請求項３】
　前記凹凸構造体が、ポリマーで形成されている請求項１又は２に記載のナノファイバーフォトニック結晶。
【請求項４】
　前記ナノ光ファイバーが、コア及びクラッドを含む光ファイバー部と、前記光導波路部及び前記光ファイバー部間を接続し、径が前記光導波路部から前記光ファイバー部に向かって連続的に大きくなる接続部とを有する請求項１～３のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶。
【請求項５】
　前記ナノ光ファイバーが、前記光導波路部の表面にポリマーで形成されたコーティング層を有する請求項１～４のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶。

【要約】　より高精度にかつより簡易に屈折率が所定パターンで変化するナノ構造体をナノ光ファイバーの表面に形成する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　レーザー光源からレーザー光を射出することと、前記レーザー光を分光素子で回折して、＋１次の回折光及び－１次の回折光を抽出することと、前記抽出された＋１次の回折光及び－１次の回折光を、それぞれ第１光学系及び第２光学系を介してナノ光ファイバーの所定領域に導いて集光し、該所定領域に光の干渉縞を生成することと、前記ナノ光ファイバーの所定領域に集光された光を、前記ナノ光ファイバーのレンズ効果によりさらに集光して、前記ナノ光ファイバーに凹部を形成することとを含むナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項２】
　前記凹部が、ナノ光ファイバーの光照射側とは反対側の面に形成される請求項１に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項３】
　前記ナノ光ファイバーの延在方向に沿って、前記ナノ光ファイバーの所定領域に光の干渉縞を生成して、複数の前記凹部を形成する請求項１又は２に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項４】
　前記レーザー光が、パルスレーザー光である　請求項１～３のいずれかい一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項５】
　前記レーザー光源が、フェムト秒パルスレーザーである請求項１～４のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項６】
　前記分光素子が、位相マスクである　請求項１～５のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項７】
　前記第１光学系及び前記第２光学系がともに、反射ミラーで構成される請求項１～６のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項８】
　前記ナノ光ファイバーの所定領域の径が、該所定領域を伝搬する光の波長以下の値である請求項１～７のいずれか一項に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造方法。
【請求項９】
　レーザー光源と、前記レーザー光源から射出されたレーザー光をナノ光ファイバーの所定領域に集光する集光レンズと、前記ナノ光ファイバーの所定領域及び前記集光レンズ間に設けられ、前記集光レンズを介して入射されたレーザー光を回折して、＋１次の回折光及び－１次の回折光を抽出する分光素子と、　前記ナノ光ファイバーの所定領域及び前記分光素子間に設けられ、前記分光素子で抽出された＋１次の回折光を前記ナノ光ファイバーの所定領域に導く第１光学系と、　前記ナノ光ファイバーの所定領域及び前記分光素子間に設けられ、前記分光素子で抽出された－１次の回折光を前記ナノ光ファイバーの所定領域に導く第２光学系とを備えるナノファイバーフォトニック結晶の製造装置。
【請求項１０】
　さらに、前記ナノ光ファイバーの所定領域及び前記位相マスク間の領域において、前記ナノ光ファイバーの所定領域の真上に設けられ、かつ、前記位相マスクで前記レーザー光を回折した際に生成される０次の回折光が前記ナノ光ファイバーの所定領域の照射されることを防止するような位置に設けられた遮蔽板を備える請求項９に記載のナノファイバーフォトニック結晶の製造装置。