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【要約】
【課題】提示ペプチドのシステイン残基が特異的に化学修飾されているファージを提供する。
【解決手段】T7ファージを、還元剤の存在下で、修飾化合物と反応させることにより、提示ペプチド中のシステイン残基を特異的に修飾する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　遺伝子操作によってキャプシドタンパク質gp10のC末端に導入された、少なくとも１つのシステイン残基を含むペプチドと、該システイン残基の硫黄原子を介して連結された化学的修飾要素と、を有するT７ファージ。
【請求項２】
　 前記化学的修飾要素が、下記式（1）または式（2）：　－CHR1C(＝O)－ 　　　(1)　－R2－SO2－　　　(2)
（R1は水素原子またはメチレン基であり、R2は炭素数１～５のアルキレン基である）で表される構造を含む、少なくとも１つの連結部を有し、式(1)のカルボニル基のα炭素で、または、式(2)のR2で、前記硫黄原子に連結されている、請求項１記載のT７ファージ。
【請求項３】
　前記式(1)中のカルボニル基の炭素原子が窒素原子に結合されている、請求項２記載のT７ファージ。
【請求項４】
　前記化学的修飾要素が、前記ペプチド中の、前記システイン残基とは別の位置にある残基にも連結されている、請求項１～３のいずれかに記載のT7ファージ。
【請求項５】
　前記別の位置にある残基が、システイン残基である、請求項４に記載のT7ファージ。
（以下省略）

【要約】
【課題】伝送遅延の差が大きい複数の経路を利用したマルチパス通信において、より効率的に帯域幅を活用することができるようにする。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　複数のＴＣＰコネクションをまとめた単一のコネクションを確立し、ＡＰＩ（Application Program Interface）により、アプリケーションプログラムに提供する情報処理装置であって、前記複数のＴＣＰコネクションのそれぞれに対応するサブフローを介して送信されるセグメントを蓄積するキューに対応づけられた到達予想時間に基づいて、送信バッファから取り出したセグメントを挿入するキューを選択するキュー選択部と、前記キューから前記セグメントが送出されるときの輻輳ウィンドウサイズを予測するウィンドウサイズ予測部と、前記サブフローの遅延時間、および、前記輻輳ウィンドウサイズに基づいて、前記キューに挿入されたセグメントが前記キューから送出されるまでに要すると推測される送出予想時間を算出する送出予想時間算出部と、前記送出予想時間に基づいて、前記キューに対応づけられた到達予想時間を更新する更新部と、前記サブフローのいずれかにおいて輻輳またはパケットロスが発生した場合、少なくとも前記輻輳またはパケットロスの発生したサブフローに対応するキューに対応付けられた到達予想時間を再計算するとともに、前記輻輳またはパケットロスの発生したサブフローに対応するキューに蓄積されたセグメントの少なくとも一部を、他のサブフローに対応するキューに分配する輻輳時キュー制御部とを備える情報処理装置。
【請求項２】
　前記輻輳時キュー制御部は、前記輻輳またはパケットロスの発生に伴って縮小された輻輳ウィンドウサイズを初期値として取得し、　前記輻輳またはパケットロスの発生したサブフローのキューに、前記キューに蓄積されていたセグメントを１つずつ仮想的に挿入し、前記キューに対応づけられた到達予想時間を、前記セグメント毎に再計算し、前記再計算により、前記輻輳またはパケットロスの発生したサブフロー以外のサブフローに対応するキューのそれぞれに対応づけられた到達予想時間のうち、最大の到達予想時間を超える到達予想時間が得られた場合、そのセグメントより送信順が後のセグメントを、前記輻輳またはパケットロスの発生したサブフロー以外のサブフローに対応するキューに分配する請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
　前記複数のサブフローは、それぞれ伝送遅延が異なるネットワーク上でのデータの送受信により生成されたＴＣＰコネクションに対応する請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
　前記複数のＴＣＰコネクションのうちの少なくともいずれか１つは、広域無線通信によるネットワークを利用する請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項５】
複数のＴＣＰコネクションをまとめた単一のコネクションを確立し、ＡＰＩ（Application Program Interface）により、アプリケーションプログラムに提供する情報処理装置の情報処理方法であって、キュー選択部が、前記複数のＴＣＰコネクションのそれぞれに対応するサブフローを介して送信されるセグメントを蓄積するキューに対応づけられた到達予想時間に基づいて、送信バッファから取り出したセグメントを挿入するキューを選択し、ウィンドウサイズ予測部が、前記キューから前記セグメントが送出されるときの輻輳ウィンドウサイズを予測し、送出予想時間算出部が、前記サブフローの遅延時間、および、前記輻輳ウィンドウサイズに基づいて、前記キューに挿入されたセグメントが前記キューから送出されるまでに要すると推測される送出予想時間を算出し、更新部が、前記送出予想時間に基づいて、前記キューに対応づけられた到達予想時間を更新し、輻輳時キュー制御部が、前記サブフローのいずれかにおいて輻輳またはパケットロスが発生した場合、少なくとも前記輻輳またはパケットロスの発生したサブフローに対応するキューに対応付けられた到達予想時間を再計算するとともに、前記輻輳またはパケットロスの発生したサブフローに対応するキューに蓄積されたセグメントの少なくとも一部を、他のサブフローに対応するキューに分配するステップを含む情報処理方法。
（以下省略）

【要約】
【課題】高輝度及び高効率であり、化学的安定性が高い蛍光体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）：（Ｌｎ１‐ｘＲＥｘ）４（ＳｉＳ４）３で表され、ＬｎはＳｃ、Ｙ、Ｇｄ及びＬｕからなる群より選ばれる１種以上であり、ＲＥはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｂｉ及びＭｎからなる群より選ばれる一種以上であり、ｘは０．００１≦ｘ≦０．６である、蛍光体である。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　一般式（１）：（Ｌｎ１‐ｘＲＥｘ）４（ＳｉＳ４）３で表され、ＬｎはＳｃ、Ｙ、Ｇｄ及びＬｕからなる群より選ばれる１種以上であり、ＲＥはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｂｉ及びＭｎからなる群より選ばれる一種以上であり、ｘは０．００１≦ｘ≦０．６である、蛍光体。
【請求項２】
　結晶構造が単斜晶（空間群Ｐ２１／ｎ、Ｎｏ．１４）である、請求項１に記載の蛍光体。
【請求項３】
　一般式（１）において前記ＬｎがＹ及び／またはＧｄを含み、前記ＲＥがＣｅを含み、波長３００ｎｍ～５００ｎｍにピークを有する光で励起する場合に、波長４５０ｎｍ～６５０ｎｍに発光ピークを有する、請求項１または２に記載の蛍光体。
【請求項４】
　一般式（１）において前記ＬｎがＹ及び／またはＧｄを含み、前記ＲＥがＴｂを含み、波長３００ｎｍ～５００ｎｍにピークを有する光で励起する場合に、波長５３０ｎｍ～５５０ｎｍに半値全幅１～５０ｎｍの発光ピークを有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の蛍光体。
【請求項５】
　一般式（２）：（Ｒ１‐ｙＲＥｙ）６Ｓｉ４Ｓ１７で表され、ＲはＬａであり、ＲＥはＳｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｂｉ及びＭｎからなる群より選ばれる一種以上であり、ｙは０．００１≦ｙ≦０．１である、蛍光体。
【請求項６】
　結晶構造が三斜晶（空間群Ｐ‐１、Ｎｏ．２）である、請求項５に記載の蛍光体。
【請求項７】
　一般式（２）において前記ＲＥがＣｅを含み、波長３００ｎｍ～５００ｎｍにピークを有する光で励起する場合に、波長４００ｎｍ～６５０ｎｍに発光ピークを有する、請求項
５または６に記載の蛍光体。
【請求項８】
　請求項１から４のいずれか１項に記載の蛍光体と、請求項５から７のいずれか１項に記載の蛍光体とを含む、蛍光体。
【請求項９】
　Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ及びＬｕからなる群より選ばれる一種類以上の化合物と、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｂｉ及びＭｎからなる群より選ばれる一種類以上の化合物と、Ｓｉ及び／またはＳｉ化合物と、Ｓ及び／またはＳ化合物とを含む原料を混合する工程、及び前記原料を１０００℃から１１５０℃で焼成する工程を含み、前記Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ及びＬｕからなる群より選ばれる一種類以上の化合物と前記Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｂｉ及びＭｎからなる群より選ばれる一種類以上の化合物との混合物中の化学量論比が０．９９９：０．００１～０．４：０．６である、蛍光体の製造方法。
【請求項１０】
　前記焼成後、冷却速度１５０℃／分以上で冷却する工程をさらに含む、請求項９に記載の蛍光体の製造方法。
【請求項１１】
　前記Ｓ及び／またはＳ化合物がＳ粉末及び／または硫化シリコン粉末であり、前記焼成を真空、不活性ガス雰囲気または還元雰囲気の閉管内で行う、請求項９または１０に記載の蛍光体の製造方法。
【請求項１２】
　前記Ｓ及び／またはＳ化合物が硫化水素及び二硫化炭素からなる群から選択させる１種以上のガスを含む、請求項９から１１のいずれか１項に記載の蛍光体の製造方法。
【請求項１３】
　請求項１から８のいずれか１項に記載の蛍光体を有する、発光装置。

【要約】
【課題】　画素単位で表示を行う表示装置において、アドレス期間の短縮と画質維持を両立する。
【解決手段】　マトリクス状に画素が配置される表示画面を有し画素単位の階調表示を行う表示装置において、連続する２フレーム分の画像データを取り込み、前記２フレームのうち、１フレーム目で前記表示画面の第１領域で複数ライン同時走査を行ない、残りの第２領域で線順次走査を行ない、２フレーム目で前記表示画面の前記第１領域で線順次走査を行ない、前記第２領域で複数ライン同時走査を行なう。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　マトリクス状に配置される複数の画素を有する表示部と、連続する２フレーム分の画像データを取り込み、前記２フレーム分の画像データの画素値を決定するデータ決定部と、決定された画素値に基づいて前記表示部を駆動する駆動回路と、前記データ決定部で決定された画素値を１フレームごとに受け取り、画素ごとに、前記決定された画素値を階調表示するデータに変換し、前記変換されたデータを前記駆動回路に出力する変換部と、を備え、前記データ決定部は、前記２フレーム分の画像データのうち、１フレーム目で前記表示部の第１領域に含まれる画素と、２フレーム目で前記表示部の残りの第２領域に含まれる画素について、連続する複数の走査ラインにわたって前記走査ラインと直交する同じ列に並ぶ画素が同一の画素値をとるように画素値を決定し、前記１フレーム目の前記第２領域に含まれる画素と、前記２フレーム目の前記第１領域に含まれる画素に対して、各走査ラインの順次走査を許容する画素値を決定することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
　前記データ決定部は、前記１フレーム目の前記第２領域に含まれる画素と、前記２フレーム目の前記第１領域に含まれる画素に対し、前記２フレーム目の前記第２領域と、前記１フレーム目の前記第１領域で前記同一の画素値が決定されたことにより生じる誤差を補正する補正値を決定することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
　前記データ決定部は、前記誤差の補正が前記表示装置の階調レベルの範囲内で可能な場合は、前記走査ラインと直交する同じ列に並ぶ画素の画素値の平均または平均近傍の値を前記同一の画素値として決定し、前記誤差の補正が前記階調レベルの範囲を逸脱する場合は前記誤差を最小にする補正値を決定することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
　前記表示装置は複数の走査電極を有し、前記駆動回路は、前記データ決定部で決定された画素値に基づいて、前記１フレーム目で前記表示部の前記第１領域で連続する複数の走査電極に対して同時に走査パルスを印加し、前記第２領域の各走査電極に対して異なるタイミングで走査パルスを印加し、前記２フレーム目で、前記第１領域の各走査電極に異なるタイミングで走査パルスを印加し、前記第２領域で前記連続する複数の走査電極に対して同時に走査パルスを印加することを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
　マトリクス状に画素が配置される表示画面を有し階調表示を行う表示装置において、連続する２フレーム分の画像データを取り込み、前記２フレームのうち、１フレーム目で前記表示画面の第１領域で複数ライン同時走査を行ない、残りの第２領域で線順次走査を行ない、２フレーム目で前記表示画面の前記第１領域で線順次走査を行ない、前記第２領域で複数ライン同時走査を行なう、ことを特徴とする表示方法。

【請求項６】
　前記２フレーム分の画像データのうち、１フレーム目の前記第１領域に含まれる画素と２フレーム目の前記第２領域に含まれる画素について、連続する複数の走査ラインにわたって前記走査ラインと直交する同じ列に並ぶ画素に対して同一の画素値を決定し、　前記1フレーム目の前記第２領域に含まれる画素と、前記２フレーム目の前記第１領域に含まれる画素について、各走査ラインの順次走査を許容する画素値を決定する工程をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の表示方法。

【要約】
【課題】多周波の特性を有するとともに、各帯域が可変であるアンテナ、すなわち多周波リコンフィギュラブルアンテナの構造を提供する。
【解決手段】アンテナを複数のアンテナ導体に分離し、これら複数のアンテナ導体を複数のインピーダンス回路部を介して直列に接続する。これら複数のインピーダンス回路部にバラクタなどの可変容量素子を設ける。複数の可変容量素子の容量値を適宜に変更することで、複数の使用可能周波数帯域ごとに特性を調整出来る。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　給電部と、前記給電部の一方の端部に接続された第１導体と、前記第１導体に一方の端部が接続された第１インピーダンス回路部と、前記第１導体から分離され、かつ、前記第１インピーダンス回路部の他方の端部に接続された第２導体と、前記第２導体に一方の端部が接続された第２インピーダンス回路部と、前記第１導体および前記第２導体から分離され、かつ、前記第２インピーダンス回路部の他方の端部に接続された第３導体と、前記第３導体に一方の端部が接続されたビアと、前記第１～前記第３導体から分離され、かつ、前記ビアの他方の端部に接続された接続導体と、前記接続導体に一方の端部が接続された第３インピーダンス回路部と、前記第１～前記第３導体および前記接続導体から分離され、かつ、前記第３インピーダンス回路部に一方の端部が接続され、かつ、他方の端部が前記給電部の他方の端部に接続された線路導体とを具備し、前記第１インピーダンス回路部は、前記一方の端部および前記他方の端部の間に接続された第１インダクタと、前記第１インダクタに接続された第１バラクタとを具備し、　前記第２インピーダンス回路部は、前記一方の端部および前記他方の端部の間に接続された直列容量を具備し、前記第３インピーダンス回路部は、前記一方の端部および前記他方の端部の間に接続された第２インダクタと、前記第２インダクタに接続された第２バラクタとを具備する
　アンテナ。
【請求項２】
　請求項１に記載のアンテナにおいて、前記給電部の前記一方の端部に接続された第１接地導体と、前記線路導体の前記他方の端部に接続された第２接地導体と、前記第１接地導体および前記第２接地導体を接続する給電ビア群と、　前記ビアおよび前記給電ビアに貫通された基板とをさらに具備し、　前記基板の一方の表面には、前記第１～前記第３導体および前記第１接地導体が配置されており、前記基板の他方の表面には、前記接続導体、前記線路導体および前記第２接地導体が配置されており、　前記第１バラクタは、前記第１インダクタに並列または直列に接続されており、前記第２バラクタは、前記第２インダクタに並列または直列に接続されている　アンテナ。
【請求項３】
　請求項１または２に記載のアンテナにおいて、前記直列容量は、直列バラクタを具備するアンテナ。
【請求項４】
　請求項３に記載のアンテナにおいて、前記給電部と並列に接続された並列バラクタをさらに具備するアンテナ。
【請求項５】
　請求項２に記載のアンテナにおいて、前記基板の前記一方の表面に配置され、前記給電部の他方の端部に接続された第４導体と、前記第４導体に一方の端部が接続された第４インピーダンス回路部と、前記基板の前記一方の表面に配置され、前記第１～前記第４導体および前記接続導体から分離され、かつ、前記第４インピーダンス回路部の他方の端部に接続された第５導体と、前記第５導体に一方の端部が接続された第５インピーダンス回路部と、前記基板の前記一方の表面に配置され、前記第１～前記第５導体および前記接続導体から分離され、かつ、前記第５インピーダンス回路部の他方の端部に接続された第６導体と前記基板を貫通し、前記第６導体に一方の端部が接続された他のビアと、前記基板の前記他方の表面に配置され、前記第１～前記第６導体および前記接続導体から分離され、かつ、前記他のビアの他方の端部に接続された他の接続導体と、　前記他の接続導体に一方の端部が接続され、かつ、他方の端部が前記線路導体の他方の端部に接続された第６インピーダンス回路部とをさらに具備し、前記第４インピーダンス回路部は、前記一方の端部および前記他方の端部の間に並列または直列に接続された第３バラクタおよび第３インダクタを具備し、前記第５インピーダンス回路部は、前記一方の端部および前記他方の端部の間に接続された他の直列容量を具備し、前記第６インピーダンス回路部は、前記一方の端部および前記他方の端部の間に並列または直列に接続された第４バラクタおよび第４インダクタを具備するアンテナ。
（以下省略）