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【要約】
【課題】　量子効率の向上とキャリアの長寿命化を実現する太陽電池を提供する。
【解決手段】　太陽電池は、第１の導電型の半導体層と、第２の導電型の半導体層と、前記第１及び第２の導電型の半導体層の間に配置される半導体領域とを含み、前記半導体領域は、前記第１の導電型の半導体層に隣接する第１半導体層と、前記第１半導体上に形成される量子ドット層を含み、前記量子ドット層は、第１障壁層と、前記第１障壁層上に形成され面内密度が３．０×１０11ｃｍ-2～５×１０11ｃｍ-2、高さが１．５～２．０ｎｍである量子ドットとを含む。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　第１の導電型の半導体層と、第２の導電型の半導体層と、前記第１及び第２の導電型の半導体層の間に配置される半導体領域と、を含み、前記半導体領域は、　前記第１の導電型の半導体層に隣接する第１半導体層と、前記第１半導体層上に形成される量子ドット層を含み、前記量子ドット層は、第１障壁層と、前記第１障壁層上に形成され面内密度が３．０×１０11ｃｍ-2～５×１０11ｃｍ-2、高さが１．５～２．０ｎｍである量子ドットとを含むことを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
　前記量子ドット層は、Type-Iバンド構造を有することを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
　前記量子ドット層は、Type-IIバンド構造を有し、前記量子ドット上に形成されて前記第１障壁層とともに前記量子ドットを挟み込む第２障壁層、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項４】
　波長１０００ｎｍ以上の光に対する前記量子ドットからの発光の減衰時間が３～６ｎｓであることを特徴とする請求項２に記載の太陽電池。
【請求項５】
　波長１０００ｎｍ以上の光に対する前記量子ドットからの発光の減衰時間が３～１０ｎｓであることを特徴とする請求項３に記載の太陽電池。
【請求項６】
　前記障壁層はＧａＡｓＳｂであり、前記量子ドットはＩｎＡｓであることを特徴とする請求項１～５のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項７】
　前記半導体領域において、前記量子ドット層は、前記第２の導電型の半導体層から１００～２００ｎｍ離れた位置に配置されることを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項８】
　第１の導電型の半導体層上に、第１半導体層を介してアンチモン（Ｓｂ）を８～５０％含む第１障壁層を形成し、前記第１障壁層上に、基板温度４７０～４８０℃で、量子ドットを面内密度３．０×１０11ｃｍ-2～５×１０11ｃｍ-2、平均高さ１．５～２．０ｎｍに成長し、前記量子ドットの上方に、第２半導体層を介して第２の導電型の半導体層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項９】
　前記量子ドット上に第２障壁層を形成する工程、をさらに含み、前記第２障壁層上に前記第２半導体層を形成することを特徴とする請求項８に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
　前記第１障壁層の形成は、前記第１半導体層としてのＧａＡｓ層上に、ＧａＡｓＳｂ層を形成し、　前記量子ドットの形成は、前記ＧａＡｓＳｂ層上にＩｎＡｓ量子ドットを形成することを特徴とする請求項８又は９に記載の太陽電池の製造方法。

【要約】
【課題】
正常細胞の光路長変化量に基づいて算出した閾値を用いて、細胞に光を照射したときに計測される光路長変化量に基づいて細胞を識別することができる細胞識別装置又は細胞識別方法を提供すること。
【解決手段】
細胞に光を照射したときに計測される光路長変化量を用いて、前記細胞を識別する細胞識別装置であって、前記細胞を透過したときの前記光の強度に基づいて、前記光路長変化量を計測する計測手段と、正常細胞の光路長変化量に基づいて算出した閾値を用いて、前記細胞を識別する解析手段とを有する、ことを特徴とする。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　細胞に光を照射したときに計測される光路長変化量を用いて、前記細胞を識別する細胞識別装置であって、前記細胞を透過したときの前記光の強度に基づいて、前記光路長変化量を計測する計測手段と、正常細胞の光路長変化量に基づいて算出した閾値を用いて、前記細胞を識別する解析手段とを有することを特徴とする細胞識別装置。
【請求項２】
　前記解析手段は、前記正常細胞の複数の位置に対応する複数の光路長変化量を抽出し、抽出した前記複数の光路長変化量の平均値を算出し、算出した前記平均値を前記閾値とする、ことを特徴とする、請求項１に記載の細胞識別装置。
【請求項３】
　前記解析手段は、前記正常細胞の複数の位置に対応する複数の光路長変化量を抽出し、抽出した前記複数の光路長変化量について複数の平均値を算出し、算出した前記複数の平
均値においてエラーレートに基づいて前記閾値を設定することを特徴とする、請求項１に記載の細胞識別装置。
【請求項４】
　前記解析手段は、前記閾値以下の前記光路長変化量の前記細胞を正常な細胞とし、該閾値を越える該光路長変化量の該細胞を異常な細胞とする、ことを特徴とする、請求項１乃
至請求項３のいずれか一項に記載の細胞識別装置。
【請求項５】
　前記解析手段は、前記癌細胞の転移性癌細胞の複数の位置に対応する複数の光路長変化量に基づいて算出される第２の閾値を用いて、前記閾値を越え且つ前記第２の閾値以下の光路長変化量の癌細胞を転移性癌細胞とし、該第２の閾値を越える光路長変化量の癌細胞を非転移性癌細胞とする、ことを特徴とする、請求項４に記載の細胞識別装置。
【請求項６】
　前記解析手段は、前記正常細胞の複数の光路長変化量のうちの値が大きい方から所定の数の光路長変化量を抽出する、ことを特徴とする、請求項１乃至請求項５のいずれか一項
に記載の細胞識別装置。
【請求項７】
　前記計測手段は、前記細胞を透過しない場合の前記光の強度と同一となるように、ピエゾ素子に電圧を印加して該細胞に照射する該光の光路長を変更し、印加した前記電圧に基
づいて前記光路長変化量を計測する、ことを特徴とする、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の細胞識別装置。
【請求項８】
　計測した前記光路長変化量に基づいて、前記細胞の外形及び屈折率差若しくは位相差に対応する画像を生成する画像生成部と、生成した前記画像を表示する出力部とを更に有す
る、ことを特徴とする、請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の細胞識別装置。
【請求項９】
　複数の細胞に光を夫々照射して、複数の光路長変化量を計測する計測ステップと、正常細胞の光路長変化量に基づいて算出した閾値を用いて、前記複数の細胞を夫々識別する識別ステップとを含むことを特徴とする細胞識別方法。
【請求項１０】
　前記識別ステップは、前記正常細胞の複数の位置に対応する複数の光路長変化量を抽出し、抽出した前記複数の光路長変化量の平均値を算出し、算出した前記平均値を前記閾値とすることを特徴とする、請求項９に記載の細胞識別方法。
【請求項１１】
　前記識別ステップは、前記正常細胞の複数の位置に対応する複数の光路長変化量を抽出し、抽出した前記複数の光路長変化量について複数の平均値を算出し、算出した前記複数
の平均値においてエラーレートに基づいて前記閾値を設定することを特徴とする、請求項９に記載の細胞識別方法。
【請求項１２】
　前記計測ステップは、前記細胞に照射する前記光の光路長を変更する変更ステップと、前記細胞を透過しない場合の前記光の強度と同一となるように、該細胞に照射する該光の
光路長を変更するフィードバック制御ステップとを含む、ことを特徴とする、請求項９乃至請求項１１のいずれか一項に記載の細胞識別方法。
【請求項１３】
　請求項９乃至請求項１２のいずれか一項に記載の細胞識別方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１４】
　請求項１３に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。

【要約】
量子ドット間のコアレッセンスを抑制しつつ、高密度な量子ドット配列を実現する量子ドットの形成方法と、これを利用した太陽電池を提供する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　ＧａＡｓバッファ層上にＩｎＡｓ層を成長する際に、前記ＩｎＡｓ層の成長が３次元成長に移行する前の濡れ層の段階で、アンチモン（Ｓｂ）を供給圧力２．０×１０-7～３．６×１０-7 Torrで導入してＩｎＡｓＳｂ濡れ層を成長し、前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層が０．５ＭＬ～１．５ＭＬ成長したところで前記Ｓｂの導入を停止して引き続きＩｎＡｓ層を成長してＩｎＡｓ量子ドットを形成する、ことを特徴とする量子ドットの形成方法。
【請求項２】
　前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層および前記ＩｎＡｓ量子ドットの成長温度は、４６０℃～４７０℃であることを特徴とする請求項１に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項３】
　前記成長温度が４６０℃のときに、前記Ｓｂの供給圧力が３．６×１０-7 Torrで前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層を１．０～１．５ＭＬ成長して、前記ＩｎＡｓ量子ドットを、８．０×１０11ｃｍ-2～１．０×１０12ｃｍ-2の面内密度で形成することを特徴とする請求項１または２に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項４】
　前記成長温度が４７０℃のときに、前記Ｓｂの供給圧力が２．２×１０-7～３．５×１０-7 Torrの範囲で、前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層を０．８ＭＬ～１．５ＭＬ成長して、前記ＩｎＡｓ量子ドットを６．０×１０11ｃｍ-2～７．６×１０11ｃｍ-2の面内密度で形成することを特徴とする請求項１または２に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項５】
　前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層の成長において、Ａｓの供給圧力は７．３×１０-6 Torrであることを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の量子ドットの形成方法。
【請求項６】
　透明電極と、
　第１導電型の半導体層と、
　第２導電型の半導体層と、前記第１導電型の半導体層と前記第２導電型の半導体層の間に位置する光吸収層と、前記透明電極と反対側の面に位置する電極と、を含み、前記光吸収層は、ＧａＡｓバッファ層と、前記ＧａＡｓバッファ層上に形成されたＩｎＡｓＳｂ濡れ層及び前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層上に成長したＩｎＡｓ量子ドットを含む量子ドット層と、前記量子ドット層を覆うＧａＡｓ中間層と、を含み、前記量子ドット層と前記ＧａＡｓ中間層は、交互に１層以上積層されていることを特徴とする太陽電池。
【請求項７】
　前記ＩｎＡｓ量子ドットの面内密度は４．０×１０11ｃｍ-2～１．０×１０12ｃｍ-2であることを特徴とする請求項６に記載の太陽電池。
【請求項８】
　前記ＩｎＡｓＳｂ濡れ層の成長量は０．５～１．５ＭＬであることを特徴とする請求項６または７に記載の太陽電池。
【請求項９】
　前記ＩｎＡｓ量子ドットの高さは１．６～３．０ｎｍであることを特徴とする請求項８～８のいずれか１項に記載の太陽電池。

【要約】透明樹脂チューブ同士を複雑なチューブ回転機構や高価なレーザースキャン機構を用いることなく、簡単な機構により、短時間で溶着加工できる装置と方法を
提供する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　２つの異径の熱可塑性樹脂チューブである外側チューブと内側チューブとを密着するように嵌め合わせた嵌合体を赤外線レーザー光を用いて加熱溶着する装置であって、前記嵌合体を支持する支持部材と、前記外側チューブの外周側に接触するように配置される赤外線透過性の固体ヒートシンクと、前記内側チューブの内周に接するように内側チューブ内に挿入される金属棒又は金属チューブと、前記固体ヒートシンク側に配置され、当該固体ヒートシンクを通して前記嵌合体に赤外線レーザー光を照射するレーザー光源とを具備することを特徴とする熱可塑性樹脂チューブの溶着装置。
【請求項２】
　前記固体ヒートシンクとレーザー光源との間に、前記嵌合体に照射される赤外線レーザー光の断面積を規定するマスクが介設されることを特徴とする請求項１に記載の熱可塑性樹脂チューブの溶着装置。
【請求項３】
　前記嵌合体に照射される赤外線レーザー光の直径が、前記外側チューブの直径以上に設定されることを特徴とする請求項１に記載の熱可塑性樹脂チューブの溶着装置。
【請求項４】
　前記外側チューブの外径が３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の熱可塑性樹脂チューブの溶着装置。
【請求項５】
　２つの異径の熱可塑性樹脂チューブである外側チューブと内側チューブとを密着するように嵌め合わせて嵌合体を構成する工程と、前記小径チューブの内側にそれの内周に接するように金属棒又は金属チューブを挿入する工程と、前記嵌合体を支持部材上に支持する工程と、前記外側チューブの外周側に接触するように赤外線透過性の固体ヒートシンクを配置する工程と、前記固体ヒートシンク側のレーザー光源から当該固体ヒートシンクを通して前記嵌合体に赤外線レーザー光を照射する工程とを含むことを特徴とする熱可塑性樹脂チューブの溶着方法。
【請求項６】
　前記固体ヒートシンクとレーザー光源との間に、前記嵌合体に照射される赤外線レーザー光の断面積を規定するマスクを介設する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の熱可塑性樹脂チューブの溶着方法。
【請求項７】
　前記嵌合体に照射される赤外線レーザー光の直径が、前記外側チューブの直径以上に設定されることを特徴とする請求項５に記載の熱可塑性樹脂チューブの溶着方法。
【請求項８】
　前記外側チューブの外径が３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項５ないし７に記載の熱可塑性樹脂チューブの溶着方法。

【要約】
【課題】
複数の情報源から送信される情報を効率よく収集することを重視したワイヤレスセンサネットワークシステムおよびその通信方法を提供する。
【解決手段】
本発明のワイヤレスセンサネットワークシステムおよびワイヤレスセンサネットワーク通信方法によれば、複数の送信端末のそれぞれが、第１情報群と、
第２情報群とを、送信周波数群と、送信時刻群との組み合わせに変換した上で送信する複数の送信信号群を、無線ネットワークを介して受信サーバが受信する。こうす
ることで、多数の情報をリアルタイムに通信することが可能となる。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　複数の送信信号群を送信する複数の送信端末と、無線ネットワークを介して前記複数の送信信号群を受信する受信サーバとを具備し、前記複数の送信信号群は、　前記複数の送信端末のそれぞれが送信する送信信号群を具備し、前記それぞれの送信端末は、第１情報群を生成する第１回路部と、第２情報群を生成する第２回路部と、
　前記第１情報群および前記第２情報群の組み合わせを、送信周波数群および送信時刻群の組み合わせに変換する変換部と、前記送信周波数群を有する前記送信信号群を前記送信時刻群に含まれるそれぞれの時刻に送信する送信部とを具備し、前記受信サーバは、前記複数の送信信号群を受信する受信部と、前記複数の送信信号群が示す前記送信周波数群および前記送信時刻群から前記第１情報群および前記第２情報群を復元する復元部とを具備するワイヤレスセンサネットワークシステム。
【請求項２】
　請求項１に記載のワイヤレスセンサネットワークシステムにおいて、前記第１情報群および前記第２情報群の少なくとも一方は、２次元の情報を具備するワイヤレスセンサネットワークシステム。
【請求項３】
　請求項２に記載のワイヤレスセンサネットワークシステムにおいて、前記第１回路は、前記第１情報群を取得するセンサを具備し、前記第２情報群は、２次元座標上の位置情報を具備し、前記第２回路は、前記それぞれの送信端末の前記位置情報を取得する位置情報取得部を具備するワイヤレスセンサネットワークシステム。
【請求項４】
　請求項２に記載のワイヤレスセンサネットワークシステムにおいて、前記第１回路は、前記第１情報群を取得するセンサを具備し、前記第２情報群は、２次元座標上の位置情報を具備し、前記第２回路は、前記送信端末の前記位置情報を予め記憶している記憶部を具備するワイヤレスセンサネットワークシステム。
【請求項５】
　請求項３または４に記載のワイヤレスセンサネットワークシステムにおいて、前記受信サーバは、前記複数の送信端末に向けて要求信号を送信する送信部をさらに具備し、前記それぞれの送信端末は、前記要求信号を受信する受信部をさらに具備し、前記第１回路は、前記要求信号に応じて前記第１情報群を取得するワイヤレスセンサネットワークシステム。
【請求項６】
　請求項１～５のいずれかに記載のワイヤレスセンサネットワークシステムにおいて、前記変換部は、前記第１情報群を前記送信周波数群に変換する第１変換部と、　前記第２情報群を前記送信時刻群に変換する第２変換部とを具備するワイヤレスセンサネットワークシステム。
【請求項７】
　請求項６に記載のワイヤレスセンサネットワークシステムにおいて、前記第２情報群は２次元の情報を含み、前記第２変換部は、前記第２情報群を、第１送信時刻および第２送信時刻の組み合わせに変換し、前記それぞれの送信時刻群は、前記第１送信時刻と、前記第２送信時刻とを具備し、前記推定部は、複数の送信信号群から、前記複数の送信時刻群に共通する前記送信周波数群を検索して、前記第１情報群および前記第２情報群を推定するワイヤレスセンサネットワークシステム。
【請求項８】
　請求項７に記載のワイヤレスセンサネットワークシステムにおいて、前記受信サーバは、前記複数の送信端末の位置情報を予め記憶しているメモリをさらに具備し、
　前記復元部は、前記メモリに記憶された前記位置情報を参照して前記復元を行うワイヤレスセンサネットワークシステム。
【請求項９】
　請求項１～８のいずれかに記載のワイヤレスセンサネットワークシステムにおいて、前記第１情報群は、
　１次元の情報を具備し、前記第１回路は、前記第１情報群のそれぞれを前記送信周波数群のいずれかに割り当て、前記復元部は、前記割り当ての逆変換式を演算して前記第１情報群を推定するワイヤレスセンサネットワークシステム。
（以下省略）