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【要約】
【課題】高い活性を有し、良好な耐久性を有する固体高分子形燃料電池カソード用の触媒の製造方法。
【解決手段】遷移金属のイオンを含む溶液を調製するステップであって、前記遷移金属は、スズ、インジウム、タンタル、セリウム、タングステン、およびモリブデンからなる群から選定された少なくとも一つであるステップと、前記溶液中に、貴金属粒子が担持されたカーボン粒子を添加して、スラリー液を調製するステップであって、前記貴金属は、白金または白金合金であるステップと、前記スラリー液中で電解を行い、前記貴金属粒子上に前記遷移金属を電析させ、触媒粒子を形成するステップであって、前記電解は、前記遷移金属が前記貴金属粒子上には電析するものの、前記カーボン粒子上には実質的に電析されないような電位で実施されるステップと、前記触媒粒子を回収するステップと、を有する触媒の製造方法。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　固体高分子形燃料電池カソード用の触媒の製造方法であって、（ａ）遷移金属のイオンを含む溶液を調製するステップであって、前記遷移金属は、スズ（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、タンタル（Ｔａ）、セリウム（Ｃｅ）、タングステン（Ｗ）、およびモリブデン（Ｍｏ）からなる群から選定された少なくとも一つであるステップと、（ｂ）前記溶液中に、貴金属粒子が担持されたカーボン粒子を添加して、スラリー液を調製するステップであって、前記貴金属は、白金（Ｐｔ）または白金合金であるステップと、（ｃ）前記スラリー液中で電解を行い、前記貴金属粒子上に前記遷移金属を電析させ、触媒粒子を形成するステップであって、前記電解は、前記遷移金属が前記貴金属粒子上には電析するものの、前記カーボン粒子上には実質的に電析されないような電位で実施されるステップと、（ｄ）前記触媒粒子を回収するステップと、を有することを特徴とする製造方法。
【請求項２】
　前記（ｃ）のステップにより得られる前記触媒粒子において、前記貴金属と前記遷移金属の存在比（モル比）は、３：１から１０：１の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
　前記（ｄ）のステップの後、さらに、（ｅ）回収された前記触媒粒子中の前記遷移金属を酸化させるステップを有することを特徴とする請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
　前記（ｄ）または（ｅ）のステップの後、さらに、（ｆ）酸化物に変化しなかった前記遷移金属の少なくとも一部を溶解させるステップを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項５】
　前記遷移金属のイオンを含む溶液は、水溶液、有機溶媒、または溶融塩であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項６】
　前記遷移金属のイオンは、スズイオンであり、前記遷移金属のイオンを含む溶液は、過塩素酸水溶液または硫酸水溶液であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項７】
　前記白金合金は、白金－コバルト（Ｃｏ）合金、白金－金（Ａｕ）合金、白金－パラジウム（Ｐｄ）合金、白金－ニッケル（Ｎｉ）合金、および白金－鉄（Ｆｅ）合金からなる群から選定されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項８】
　前記（ｃ）のステップにおける電解は、室温（２０℃～２５℃）以上、１００℃未満の温度で実施されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項９】
　前記（ｃ）のステップにおける電解において、作用電極として、メッシュ状電極が使用されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項１０】
　固体高分子形燃料電池カソード用の触媒であって、当該触媒は、貴金属粒子が担持されたカーボン粒子を有し、前記貴金属粒子には、遷移金属の酸化物が配置され、前記貴金属は、白金（Ｐｔ）または白金合金であり、　前記遷移金属は、スズ（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、タンタル（Ｔａ）、セリウム（Ｃｅ）、タングステン（Ｗ）、およびモリブデン（Ｍｏ）からなる群から選定された少なくとも一つであることを特徴とする触媒。
【請求項１１】
　前記白金合金は、白金－コバルト（Ｃｏ）合金、白金－金（Ａｕ）合金、白金－パラジウム（Ｐｄ）合金、白金－ニッケル（Ｎｉ）合金、および白金－鉄（Ｆｅ）合金からなる群から選定されることを特徴とする請求項１０に記載の触媒。
【請求項１２】
　前記遷移金属の酸化物は、酸化スズ（ＳｎＯおよび／またはＳｎＯ２）であり、前記貴金属と前記酸化物の存在比（モル比）は、３：１から１０：１の範囲であることを特徴とする請求項１０または１１に記載の触媒。
（以下省略）

【要約】
【課題】適切な位置と範囲への刺激の付与を可能とする。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　刺激信号を複数生成し、生成した各刺激信号をそれぞれ異なる出力部から出力する信号生成装置と、人体の皮膚に貼付されて、入力する刺激信号に応じた刺激を出力する複数の電極部と、前記各電極部側に固定点を設けた電流制御部を有し、利用者に刺激を与えるタイミングで前記各電極部と接続させる前記信号生成装置の出力部を選択し、前記各電極部を選択された出力部と接続させる選択装置と、を備えることを特徴とする電気刺激システム。
【請求項２】
　前記電極部は、人体の皮膚の所定面積内において略等間隔に配置されて貼付され、入力する刺激信号に応じた刺激をそれぞれ出力することを特徴とする請求項１の電気刺激システム。
【請求項３】
　前記選択装置は、人体の動きに関するデータを計測する生体計測センサと接続され、当該生体計測センサの計測結果を利用して出力部を選択することを特徴とする請求項１又は２に記載の電気刺激システム。
【請求項４】
　前記信号生成装置は、高周波の二相性矩形波を低周波で変調させた波形の刺激信号を生成することを特徴とする請求項１乃至３に記載の電気刺激システム。
【請求項５】
　人体の皮膚に貼付され、人体の関節の動作によって人体で生じる電位を取得する複数の電極部と、複数の入力部を有し、前記電極部で取得した電位を計測する筋電計と、前記各電極部側に固定点を設けた電流制御部を有し、利用者の電位を計測するタイミングで前記筋電計の入力部と接続される電極部を選択し、前記各電極部を選択された入力部と接続させる選択装置と、を備えることを特徴とする計測システム。
【請求項６】
　前記電極部は、人体の皮膚に貼付され、人体の関節の動作によって人体で生じる電位を取得可能であって、複数の入力部を有し、前記電極部で取得した電位を計測する筋電計と、前記筋電計の入力部と接続される電極部を選択し、前記各電極部を選択された入力部と接続させる第２選択装置と、をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電気刺激システム。

【要約】
【課題】提示ペプチドのシステイン残基が特異的に化学修飾されているファージを提供する。
【解決手段】T7ファージを、還元剤の存在下で、修飾化合物と反応させることにより、提示ペプチド中のシステイン残基を特異的に修飾する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　遺伝子操作によってキャプシドタンパク質gp10のC末端に導入された、少なくとも１つのシステイン残基を含むペプチドと、該システイン残基の硫黄原子を介して連結された化学的修飾要素と、を有するT７ファージ。
【請求項２】
　 前記化学的修飾要素が、下記式（1）または式（2）：　－CHR1C(＝O)－ 　　　(1)　－R2－SO2－　　　(2)
（R1は水素原子またはメチレン基であり、R2は炭素数１～５のアルキレン基である）で表される構造を含む、少なくとも１つの連結部を有し、式(1)のカルボニル基のα炭素で、または、式(2)のR2で、前記硫黄原子に連結されている、請求項１記載のT７ファージ。
【請求項３】
　前記式(1)中のカルボニル基の炭素原子が窒素原子に結合されている、請求項２記載のT７ファージ。
【請求項４】
　前記化学的修飾要素が、前記ペプチド中の、前記システイン残基とは別の位置にある残基にも連結されている、請求項１～３のいずれかに記載のT7ファージ。
【請求項５】
　前記別の位置にある残基が、システイン残基である、請求項４に記載のT7ファージ。
（以下省略）

【要約】
【課題】伝送遅延の差が大きい複数の経路を利用したマルチパス通信において、より効率的に帯域幅を活用することができるようにする。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　複数のＴＣＰコネクションをまとめた単一のコネクションを確立し、ＡＰＩ（Application Program Interface）により、アプリケーションプログラムに提供する情報処理装置であって、前記複数のＴＣＰコネクションのそれぞれに対応するサブフローを介して送信されるセグメントを蓄積するキューに対応づけられた到達予想時間に基づいて、送信バッファから取り出したセグメントを挿入するキューを選択するキュー選択部と、前記キューから前記セグメントが送出されるときの輻輳ウィンドウサイズを予測するウィンドウサイズ予測部と、前記サブフローの遅延時間、および、前記輻輳ウィンドウサイズに基づいて、前記キューに挿入されたセグメントが前記キューから送出されるまでに要すると推測される送出予想時間を算出する送出予想時間算出部と、前記送出予想時間に基づいて、前記キューに対応づけられた到達予想時間を更新する更新部と、前記サブフローのいずれかにおいて輻輳またはパケットロスが発生した場合、少なくとも前記輻輳またはパケットロスの発生したサブフローに対応するキューに対応付けられた到達予想時間を再計算するとともに、前記輻輳またはパケットロスの発生したサブフローに対応するキューに蓄積されたセグメントの少なくとも一部を、他のサブフローに対応するキューに分配する輻輳時キュー制御部とを備える情報処理装置。
【請求項２】
　前記輻輳時キュー制御部は、前記輻輳またはパケットロスの発生に伴って縮小された輻輳ウィンドウサイズを初期値として取得し、　前記輻輳またはパケットロスの発生したサブフローのキューに、前記キューに蓄積されていたセグメントを１つずつ仮想的に挿入し、前記キューに対応づけられた到達予想時間を、前記セグメント毎に再計算し、前記再計算により、前記輻輳またはパケットロスの発生したサブフロー以外のサブフローに対応するキューのそれぞれに対応づけられた到達予想時間のうち、最大の到達予想時間を超える到達予想時間が得られた場合、そのセグメントより送信順が後のセグメントを、前記輻輳またはパケットロスの発生したサブフロー以外のサブフローに対応するキューに分配する請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
　前記複数のサブフローは、それぞれ伝送遅延が異なるネットワーク上でのデータの送受信により生成されたＴＣＰコネクションに対応する請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
　前記複数のＴＣＰコネクションのうちの少なくともいずれか１つは、広域無線通信によるネットワークを利用する請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項５】
複数のＴＣＰコネクションをまとめた単一のコネクションを確立し、ＡＰＩ（Application Program Interface）により、アプリケーションプログラムに提供する情報処理装置の情報処理方法であって、キュー選択部が、前記複数のＴＣＰコネクションのそれぞれに対応するサブフローを介して送信されるセグメントを蓄積するキューに対応づけられた到達予想時間に基づいて、送信バッファから取り出したセグメントを挿入するキューを選択し、ウィンドウサイズ予測部が、前記キューから前記セグメントが送出されるときの輻輳ウィンドウサイズを予測し、送出予想時間算出部が、前記サブフローの遅延時間、および、前記輻輳ウィンドウサイズに基づいて、前記キューに挿入されたセグメントが前記キューから送出されるまでに要すると推測される送出予想時間を算出し、更新部が、前記送出予想時間に基づいて、前記キューに対応づけられた到達予想時間を更新し、輻輳時キュー制御部が、前記サブフローのいずれかにおいて輻輳またはパケットロスが発生した場合、少なくとも前記輻輳またはパケットロスの発生したサブフローに対応するキューに対応付けられた到達予想時間を再計算するとともに、前記輻輳またはパケットロスの発生したサブフローに対応するキューに蓄積されたセグメントの少なくとも一部を、他のサブフローに対応するキューに分配するステップを含む情報処理方法。
（以下省略）

【要約】
【課題】高輝度及び高効率であり、化学的安定性が高い蛍光体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）：（Ｌｎ１‐ｘＲＥｘ）４（ＳｉＳ４）３で表され、ＬｎはＳｃ、Ｙ、Ｇｄ及びＬｕからなる群より選ばれる１種以上であり、ＲＥはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｂｉ及びＭｎからなる群より選ばれる一種以上であり、ｘは０．００１≦ｘ≦０．６である、蛍光体である。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　一般式（１）：（Ｌｎ１‐ｘＲＥｘ）４（ＳｉＳ４）３で表され、ＬｎはＳｃ、Ｙ、Ｇｄ及びＬｕからなる群より選ばれる１種以上であり、ＲＥはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｂｉ及びＭｎからなる群より選ばれる一種以上であり、ｘは０．００１≦ｘ≦０．６である、蛍光体。
【請求項２】
　結晶構造が単斜晶（空間群Ｐ２１／ｎ、Ｎｏ．１４）である、請求項１に記載の蛍光体。
【請求項３】
　一般式（１）において前記ＬｎがＹ及び／またはＧｄを含み、前記ＲＥがＣｅを含み、波長３００ｎｍ～５００ｎｍにピークを有する光で励起する場合に、波長４５０ｎｍ～６５０ｎｍに発光ピークを有する、請求項１または２に記載の蛍光体。
【請求項４】
　一般式（１）において前記ＬｎがＹ及び／またはＧｄを含み、前記ＲＥがＴｂを含み、波長３００ｎｍ～５００ｎｍにピークを有する光で励起する場合に、波長５３０ｎｍ～５５０ｎｍに半値全幅１～５０ｎｍの発光ピークを有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の蛍光体。
【請求項５】
　一般式（２）：（Ｒ１‐ｙＲＥｙ）６Ｓｉ４Ｓ１７で表され、ＲはＬａであり、ＲＥはＳｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｂｉ及びＭｎからなる群より選ばれる一種以上であり、ｙは０．００１≦ｙ≦０．１である、蛍光体。
【請求項６】
　結晶構造が三斜晶（空間群Ｐ‐１、Ｎｏ．２）である、請求項５に記載の蛍光体。
【請求項７】
　一般式（２）において前記ＲＥがＣｅを含み、波長３００ｎｍ～５００ｎｍにピークを有する光で励起する場合に、波長４００ｎｍ～６５０ｎｍに発光ピークを有する、請求項
５または６に記載の蛍光体。
【請求項８】
　請求項１から４のいずれか１項に記載の蛍光体と、請求項５から７のいずれか１項に記載の蛍光体とを含む、蛍光体。
【請求項９】
　Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ及びＬｕからなる群より選ばれる一種類以上の化合物と、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｂｉ及びＭｎからなる群より選ばれる一種類以上の化合物と、Ｓｉ及び／またはＳｉ化合物と、Ｓ及び／またはＳ化合物とを含む原料を混合する工程、及び前記原料を１０００℃から１１５０℃で焼成する工程を含み、前記Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ及びＬｕからなる群より選ばれる一種類以上の化合物と前記Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｂｉ及びＭｎからなる群より選ばれる一種類以上の化合物との混合物中の化学量論比が０．９９９：０．００１～０．４：０．６である、蛍光体の製造方法。
【請求項１０】
　前記焼成後、冷却速度１５０℃／分以上で冷却する工程をさらに含む、請求項９に記載の蛍光体の製造方法。
【請求項１１】
　前記Ｓ及び／またはＳ化合物がＳ粉末及び／または硫化シリコン粉末であり、前記焼成を真空、不活性ガス雰囲気または還元雰囲気の閉管内で行う、請求項９または１０に記載の蛍光体の製造方法。
【請求項１２】
　前記Ｓ及び／またはＳ化合物が硫化水素及び二硫化炭素からなる群から選択させる１種以上のガスを含む、請求項９から１１のいずれか１項に記載の蛍光体の製造方法。
【請求項１３】
　請求項１から８のいずれか１項に記載の蛍光体を有する、発光装置。