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【要約】
【課題】成膜に要する時間を短縮することができ、且つ膜品質を向上させることが可能なダイヤモンドライクカーボン膜の成膜装置およびその形成方法を提供する。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　ダイヤモンドライクカーボン膜を成膜する成膜対象物を配置し、成膜用ガスおよび前記成膜用ガス以外のガスを流動させる流動経路と、水素ガス、窒素ガスまたはアルゴンガスの何れかを含むキャリアガスを所定流量で前記流動経路に供給するキャリアガス供給源と、ケトン体、アルコール類またはカルボン酸の何れかのガスから成る炭素源を所定流量で前記流動経路に供給する炭素源ガス供給源と、前記キャリアガス供給源および前記炭素源ガス供給源から前記流量経路へのガス流量を制御するガス制御部と、前記流動経路の温度を上昇させる加温部と、前記流動経路内の温度が所定温度となるように前記加温部を制御する温度制御部と、を備え、前記ガス制御部は、前記流動経路が成膜温度に達するまで、前記キャリアガスを前記キ
ャリアガス供給源から前記流動経路に供給するように制御すると共に、前記流動経路が成膜温度に達した際に、炭素源が所定濃度で含まれるように、前記成膜用ガスを前記キャリアガス供給源および前記炭化水素ガス供給源から前記流動経路に所定流量で供給するように制御することを特徴とするダイヤモンドライクカーボン膜の成膜装置。
【請求項２】
　前記ガス制御部は、成膜完了後において、前記キャリアガス供給源から供給されるキャリアガスを前記流動経路に供給するように制御することを特徴とする請求項１に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の成膜装置。
【請求項３】
　前記ガス制御部は、成膜前と成膜後とで、前記キャリアガスの種類を変更するように制御することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の成膜装置。
【請求項４】
　前記成膜温度は、１０００～１４００℃であることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の成膜装置。
【請求項５】
　前記成膜用ガスの前記炭素源と前記成膜用ガス以外のモル比が０．１８～０．３０：１．０であることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか１項に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の成膜装置。
【請求項６】
　前記ケトン体は、アセトンであることを特徴とする請求項１から請求項５の何れか１項に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の成膜装置。
【請求項７】
　前記キャリアガス供給源およびガス制御部によるガスの供給は、バブリングを経由して行われることを特徴とする請求項１から請求項６の何れか１項に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の成膜装置。
【請求項８】
　前記成膜対象物は、所定のセラミックまたは所定の金属で構成されることを特徴とする請求項１から請求項７の何れか１項に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の成膜装置。
【請求項９】
　水素ガスを流動させる流動経路に、ダイヤモンドライクカーボン膜を成膜する成膜対象物を配置する工程と、前記水素ガスを所定流量で前記流動経路に流すと共に前記成膜対象物を室温から所定温度まで上昇させる工程と、前記所定温度に達した際に、前記水素ガスをキャリアガスとして炭素源であるケトン体、アルコール類またはカルボン酸の何れかを所定の濃度で含む成膜用ガスを前記流動経路に所定時間にわたって流動させる工程と、前記所定温度の状態を所定時間にわたって保持する工程とを有することを特徴とするダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法。
【請求項１０】
　前記炭素源としてのケトン体は、アセトンであることを特徴とする請求項９に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法。
【請求項１１】
　前記成膜対象物は、セラミックまたは金属で構成されることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法。
【請求項１２】
　前記成膜用ガスを流す前に、前記水素ガスを流動させることにより、前記成膜対象物の表面について前記水素ガスの還元作用により不純物除去を行うことを特徴とする請求項９から請求項１１の何れか１項に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法。
【請求項１３】
　前記成膜対象物の表面には、金属からなる触媒が塗布されていることを特徴とする請求項９から請求項１２の何れか１項に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法。
【請求項１４】
　前記金属からなる触媒は、セラミックで構成されることを特徴とする請求項１３に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法。
（以下省略）

【課題】水溶性に優れ、ホタル生物発光系における発光基質として利用可能な新規物質の提供。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
　本発明は、ハロゲン化水素塩、特には、水溶性に優れ、ホタル生物発光系における発光基質として利用可能なハロゲン化水素塩に関するものである。
【背景技術】
　生物発光系の中でも、ホタルの発光系は、発光効率に優れた系として知られている。該ホタルの発光系においては、発光基質であるホタルルシフェリンが、発光酵素のホタルル
シフェラーゼと、アデノシン三リン酸（ＡＴＰ）及びマグネシウムイオン（Ｍｇ2+）の存在下、励起状態のオキシルシフェリンに変換され、該オキシルシフェリンが基底状態へと失活する際に波長が約５６０ｎｍの黄緑色の蛍光が発せられる。
【０００３】
　また、昨今、かかるホタルの発光系の発光基質の類似体として、多彩な発光波長を実現する化合物が合成されている。例えば、下記特許文献１には、ホタルルシフェリンのフェノール性水酸基を２級又は３級アミノ基で置換したルシフェリン誘導体が開示されている。また、下記特許文献２及び３には、ホタルルシフェリンと類似の分子構造を有するルシフェラーゼの発光基質が開示されている。
【０００４】
　これらのホタルルシフェリン類似体の中でも、長波長の光、特には、波長が６５０ｎｍ以上の赤色の光を発する発光基質は、長波長光は生体内での透過率が高いため、生体内深部の病巣を可視化するための標識材料として有望であり、例えば、和光純薬工業株式会社から商品名「アカルミネ」として、長波長光を発するホタルルシフェリン類似体が市販されている。
　また、本発明者らは、更に検討を進め、ホタルルシフェリンと類似の分子構造を有しつつ、分子構造内に２つの芳香環を有する化合物がホタル生物発光系における発光基質とし
て機能し、更に、長波長の光を発することを見出している。
　しかしながら、上記ホタル発光系の発光基質類似体は、多彩な発光波長を実現できるものの、水溶性が低く、特に、生体内深部の可視化に有用な６５０ｎｍ以上の波長の光を発する発光基質で顕著である。一般に、マウスやラット等の実験動物の生体内への投与においては、発光基質は１０～１５ｍｇ／ｍｌ程度の溶解度を有することが必要であるが、上記の長波長光を発する発光基質は、水への溶解度が約０．１ｍｇ／ｍｌであり、実用性に問題が有った。
　そこで、本発明の目的は、上記従来技術の問題を解決し、水溶性に優れ、ホタル生物発光系における発光基質として利用可能な新規物質を提供することにある。

【課題】複数枚の撮影画像を用いて、より自然な合成画像を容易に生成する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　連続して撮影された複数枚の撮影画像の中から、画像の置き換えが行われる側の被置換撮影画像と、前記画像を置き換える側の置換側撮影画像とを選択する撮影画像選択部と、前記置換側撮影画像内の置換領域の外周周辺の領域である置換領域外周周辺領域を少なくとも含む第１の領域と、前記被置換撮影画像内の被置換領域の外周周辺の領域である被置換領域外周周辺領域を少なくとも含む第２の領域とを多重解像度に分解する多重解像度分解部と、前記多重解像度分解部で分解して得られた各周波数成分において、前記第２の領域の少なくとも一部の領域を、前記第１の領域の少なくとも一部の領域で置き換える置換処理部と、前記置換処理部で置き換えが行われた前記各周波数成分を再構成する第１の処理、又は前記第１の処理で得られた再構成画像と前記置換領域内の画像とを合成する第２の処理によって、合成画像を生成する合成画像生成部とを備えた画像処理装置。
【請求項２】
　前記被置換領域外周周辺領域、及び前記置換領域外周周辺領域とは、前記被置換領域の外周と前記置換領域の外周を中心としてその内周側及び外周側に形成される領域であり、前記内周側に形成される内周側領域と前記外周側に形成される外周側領域とは、それぞれ、前記多重解像度分解部で用いられるフィルタのフィルタ長の少なくとも１．５倍の長さを幅として有する請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
　前記多重解像度分解部は、離散ウェーブレット変換によって、前記第１の領域と前記第２の領域とを多重解像度に分解する請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
　前記複数枚の撮影画像の中から、人物の顔の部分、及び前記顔の部位の部分を検出する顔検出部と、前記顔検出部が検出した前記顔の部位の画像を解析してその表情を推定する表情推定部とをさらに備え、前記撮影画像選択部は、前記表情推定部によって前記表情が良いと推定された前記顔の部分を少なくとも含む前記撮影画像を前記置換側撮影画像として選択し、前記置換側撮影画像として選択されていない前記撮影画像の中から、前記被置換撮影画像を選択する請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
　前記置換側撮影画像の中から、前記置換領域として抽出する範囲を決定する置換領域範囲決定部をさらに備え、前記置換領域範囲決定部は、前記顔検出部で検出された前記顔部分全体を含み、かつ前記顔部分全体より広い所定の範囲を、前記置換領域として抽出する範囲と決定する請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
　前記置換領域範囲決定部は、前記顔検出部が検出した前記顔の両目の部分の間隔に基づいて算出された顔の横幅と縦幅を、それぞれ少なくとも１．５倍して得られる短径と長径
とを有する楕円で囲われる範囲を、前記置換領域として抽出する範囲に決定する請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
　前記多重解像度分解部は、前記第１の領域としての前記置換領域外周周辺領域と、前記第２の領域としての前記被置換領域外周周辺領域とをそれぞれ多重解像度に分解し、前記置換処理部は、前記多重解像度分解部で分解して得られた各周波数成分において、前記被置換領域外周周辺領域の前記内周側領域を前記置換領域外周周辺領域の前記外周側領域で置き換え、前記合成画像生成部は、前記第２の処理によって前記合成画像を生成する請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項８】
　前記多重解像度分解部は、前記第１の領域としての置換側撮影画像全体と、前記第２の領域としての被置換撮影画像全体とを多重解像度に分解し、前記置換処理部は、前記多重解像度分解部で分解して得られた各周波数成分に対して、前記被置換領域を前記置換領域で置き換え、前記合成画像生成部は、前記第１の処理によって前記合成画像を生成する請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項９】
　前記多重解像度分解部は、非間引きウェーブレット変換によって、前記第１の領域と前記第２の領域とを多重解像度に分解する請求項５に記載の画像処理装置。
（以下省略）

【要約】
【課題】皮膜密着性に優れた水素透過防止機能膜を有するクロム含有金属材料を提供すること。
【解決手段】ステンレス鋼又はクロムモリブデン鋼の金属材料と、前記金属材料の表面の少なくとも一部を被覆するクロム酸窒化物膜と、前記クロム酸窒化物の表面の少なくとも一部を被覆するセラミック膜と、を有し、前記クロム酸窒化物膜の膜厚は、０．０１μｍ～１μｍの範囲内にあり、前記セラミック膜の膜厚は、０．１μｍ～１０μｍの範囲内にある、クロム含有金属材料。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　ステンレス鋼又はクロムモリブデン鋼の金属材料と、前記金属材料の表面の少なくとも一部を被覆するクロム酸窒化物膜と、前記クロム酸窒化物の表面の少なくとも一部を被覆するセラミック膜と、を有し、前記クロム酸窒化物膜の膜厚は、０．０１μｍ～１μｍの範囲内にあり、前記セラミック膜の膜厚は、０．１μｍ～１０μｍの範囲内にある、クロム含有金属材料。
【請求項２】
　前記クロム酸窒化物膜中の酸素含有量は、１０ｍｏｌ％以下である、請求項１に記載のクロム含有金属材料。
【請求項３】
　前記セラミック膜は、クロム窒化物、ボロン窒化物、アルミニウム酸化物、チタン窒化物及びケイ素炭化物の群から選択されるセラミックを含む、請求項１又は２に記載のクロム含有金属材料。
【請求項４】
　前記クロム酸窒化物膜及び前記セラミック膜は、各々、結晶質であり、かつ、結晶粒径が２００ｎｍ以下である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のクロム含有金属材料。
【請求項５】
　前記金属材料はステンレス鋼であり、前記ステンレス鋼は、ＳＵＳ３１６Ｌである、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のクロム含有金属材料。
【請求項６】
　ステンレス鋼又はクロムモリブデン鋼の金属材料の表面の少なくとも一部にクロム酸窒化物膜を成膜する、第１の成膜工程と、前記クロム酸窒化物膜の少なくとも一部にセラミック膜を成膜する、第２の成膜工程と、を含み、前記クロム酸窒化物膜の膜厚は、０．０１μｍ～１μｍの範囲内にあり、前記セラミック膜の膜厚は、０．１μｍ～１０μｍの範囲内にある、クロム含有金属材料の製造方法。
【請求項７】
　前記第１の成膜工程及び前記第２の成膜工程の少なくとも一方は、物理的蒸着法により実施される、請求項６に記載のクロム含有金属材料の製造方法。
【請求項８】
　前記物理的蒸着法は、イオンプレーティング法である、請求項７に記載のクロム含有金属材料の製造方法。
【請求項９】
　前記クロム酸窒化物膜中の酸素含有量は、１０ｍｏｌ％以下である、請求項６乃至８のいずれか一項に記載のクロム含有金属材料の製造方法。
【請求項１０】
　前記セラミック膜は、クロム窒化物、ボロン窒化物、アルミニウム酸化物、チタン窒化物及びケイ素炭化物の群から選択されるセラミックを含む、請求項６乃至９のいずれか一項に記載のクロム含有金属材料の製造方法。
【請求項１１】
　前記クロム酸窒化物膜及び前記セラミック膜は、各々、結晶質であり、かつ、結晶粒径が２００ｎｍ以下である、請求項６乃至１０のいずれか一項に記載のクロム含有金属材料の製造方法。
【請求項１２】
　前記金属材料はステンレス鋼であり、前記ステンレス鋼は、ＳＵＳ３１６Ｌである、請求項６乃至１１のいずれか一項に記載のクロム含有金属材料の製造方法

【要約】
【課題】簡易な構成及び／又は処理でタッチパネルに対する操作入力を行いやすくする。
【解決手段】タッチパネル７は、表示部とタッチセンサとを有する。表示部は、操作入力子を画像で表示する。タッチセンサは、表示部に積層又は表示部と一体に形成され、その操作面に対するユーザの指の接触を検知する。入力補助シート７ａは、タッチパネル７の上面に積層又はタッチパネルと一体に形成される透明のシートである。そして、表示部に表示される操作入力子の表示位置と対応する位置に、人間の触覚の閾値近傍の高さを有する段差が設けられている。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　操作入力子を画像で表示する表示部と、前記表示部に積層又は前記表示部と一体に形成され、その操作面に対するユーザの指の接触を検知するタッチセンサとを有するタッチパネルと、前記タッチパネルの上面に積層又は前記タッチパネルと一体に形成される透明のシートであり、前記表示部に表示される前記操作入力子の表示位置と対応する位置に、人間の触
覚の閾値近傍の高さを有する段差が設けられた入力補助シートとを備えた端末装置。
【請求項２】
　前記人間の触覚の閾値近傍の高さとは、２μｍから１００μｍの範囲の高さである請求項１に記載の端末装置。
【請求項３】
　前記入力補助シート上の前記段差の形成位置と対応する前記表示部の画面上の位置に、視覚的手掛かりとしての線を表示させる表示制御部をさらに備える請求項２に記載の端末装置。
【請求項４】
　前記表示制御部は、前記視覚的手掛かりとしての線を、前記表示部の画面に前記操作入力子が表示される間のみ表示させる請求項３に記載の端末装置。
【請求項５】
　前記入力補助シートの前記段差は、前記操作入力子としてのキーボードの各キーの境界部分に沿って、線状に形成される請求項４に記載の端末装置。
【請求項６】
　前記入力補助シートの前記段差は、前記操作入力子が表示される複数の表示形態と対応する複数の位置に設けられ、前記表示制御部は、前記操作入力子の前記表示部の画面上での表示位置が変化した場合には、前記視覚的手掛かりとしての線を、前記変化した操作入力子の表示位置と対応する位置に表示させる請求項４に記載の端末装置。
【請求項７】
　前記入力補助シートの前記段差は、前記入力補助シートの全面に渡って形成され、前記表示制御部は、前記操作入力子の前記表示部の画面上での表示位置が変化した場合には、前記視覚的手掛かりとしての線を、前記変化した操作入力子の表示位置と対応する位置に表示させる請求項４に記載の端末装置。
【請求項８】
　操作入力子を画像で表示する表示部と、前記表示部に積層又は前記表示部と一体に形成され、その操作面に対するユーザの指の接触を検知するタッチセンサとを有するタッチパネルの上面に積層又は前記タッチパネルと一体に形成される透明のシートであり、前記表示部に表示される前記操作入力子の表示位置と対応する位置に、人間の触覚の閾値近傍の高さを有する段差が設けられた入力補助シート。
【請求項９】
　前記人間の触覚の閾値近傍の高さとは、２μｍから１００μｍの範囲の高さである　請求項８に記載の入力補助シート。