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【課題】ヘッドマウントディスプレイを使用して、インフォメーションベルトのような装着者の周囲の仮想空間に配置された情報の表示が常時適切に行えるようにする。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　表示された画像が装着者の眼で認識可能な表示部と、前記装着者の周囲の仮想空間に配置された複数の表示オブジェクトを描画し、前記表示部に表示させる画像描画部と、前記装着者の動きを検出するモーションセンサと、前記モーションセンサの出力に基づいて、前記装着者が歩行中であることを検出したとき、前記表示部に表示される表示オブジェクトを、前記仮想空間の特定の範囲に配置された表示オブジェクトに固定し、前記装着者が歩行中でないことを検出したとき、前記仮想空間における前記複数の表示オブジェクトの配置座標が固定されるように、前記モーションセンサが検出した前記装着者の頭部の動きに連動して前記表示部に表示される表示オブジェクトを変更するコントローラと、を備えるヘッドマウントディスプレイ。
【請求項２】
　前記表示部は、外界光が透過した状態で画像を表示する請求項１に記載のヘッドマウントディスプレイ。
【請求項３】
　さらに、前記装着者の周囲を撮影するカメラと、前記カメラが撮影した画像から、前記装着者の手又は指の動きによるジェスチャーを検出する画像解析部と、を備え、前記コントローラは、前記画像解析部が検出したジェスチャーに応じて、そのジェスチャーに割り当てられた機能を実行することで、記表示部に表示される表示オブジェクトの選択又は変更を指示すると共に、前記モーションセンサの出力に基づいて、前記装着者が歩行中であることを検出したとき、前記ジェスチャーによる表示オブジェクトの選択又は変更を制限する請求項１又は２に記載のヘッドマウントディスプレイ。
【請求項４】
　前記コントローラは、前記画像の選択又は変更を制限する処理として、前記画像解析部が検出したジェスチャーの内で、特定のジェスチャーに割り当てられた機能だけを実行し、特定のジェスチャー以外のジェスチャーに割り当てられた機能を実行しないようにした請求項３に記載のヘッドマウントディスプレイ。
【請求項５】
　前記コントローラは、前記装着者が歩行中であることを検出したとき、前記表示部に表示される表示オブジェクトは、歩行中の前記装着者を支援する案内画像の表示オブジェクトとした請求項１～４のいずれか１項に記載のヘッドマウントディスプレイ。
【請求項６】
　装着者の眼で認識可能な画像を表示するヘッドマウントディスプレイを使用して画像表示を行う画像表示方法において、前記装着者の周囲の仮想空間に配置された複数の表示オブジェクトを描画し、描画した画像を前記ヘッドマウントディスプレイで表示させる描画処理ステップと、前記装着者の動きを検出する動き検出処理ステップと、前記動き検出処理で前記装着者が歩行中であることを検出したとき、表示部に表示される表示オブジェクトを、前記仮想空間の特定の範囲に配置された表示オブジェクトに固定し、前記装着者が歩行中でないことを検出したとき、前記仮想空間における前記複数の表示オブジェクトの配置座標が固定されるように、前記動き検出処理ステップで検出した前記装着者の頭部の動きに連動して前記表示部に表示される表示オブジェクトを変更する制御処理ステップと、を含む画像表示方法。
【請求項７】
装着者の眼で認識可能な画像を表示するヘッドマウントディスプレイに、画像を表示させる処理を情報処理装置に実行させるプログラムであって、前記装着者の周囲の仮想空間に配置された複数の表示オブジェクトを描画し、描画した画像を前記ヘッドマウントディスプレイで表示させる手順と、前記装着者の動きを検出する手順と、前記動きを検出する手順で前記装着者が歩行中であることを検出したとき、表示部に表示される表示オブジェクトを、前記仮想空間の特定の範囲に配置された表示オブジェクトに固定し、前記装着者が歩行中でないことを検出したとき、前記仮想空間における前記複数の表示オブジェクトの配置座標が固定されるように、前記動きを検出する手順で検出した前記装着者の頭部の動きに連動して前記表示部に表示される表示オブジェクトを変更する手順と、を情報処理装置に実行させるプログラム。

【要約】
【課題】アナログ変調を用いる低価格な無線端末を多数用いて、混信を除去して無線通信を可能とする、無線通信システムを提供する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　副搬送波を生成する一定の周波数で振動する副搬送波源と、アンテナから受信した主搬送波に対し、前記副搬送波を加えて反射するためのスイッチと、信号源と、前記副搬送波に前記信号源の信号で所定の変調を行う変調部とを具備する、複数のセンサ端末と、前記複数のセンサ端末に対し、一意な周波数の副搬送波を割り当てるインテロゲータと前記複数のセンサ端末に対し、無変調波を発信して、前記複数のセンサ端末から反射波を発生させる無変調波源と、前記複数のセンサ端末の副搬送波の周波数を格納する副搬送波周波数フィールドと、前記複数のセンサ端末の復調の順番を格納する復調順フィールドとを備えるセンサ端末リストと、前記複数のセンサ端末から送信された反射波を受信した受信データを一旦格納する入力バッファと、前記センサ端末リストの前記復調順フィールドの値に基いて、前記入力バッファ内のデータから前記副搬送波周波数フィールドに格納されている前記副搬送波の周波数を用いて復調して復調データを得る復調演算部と、前記入力バッファ内のデータから前記副搬送波周波数の割り当てデータと前記復調データを用いて干渉を除去して逐次干渉除去データを作成する逐次干渉除去部と、前記逐次干渉除去データを前記入力バッファに上書きコピーして、前記センサ端末リストの前記復調順フィールドの値に基づいて、前記復調演算部と前記逐次干渉除去部を制御する復調シーケンス制御部とを具備する受信機とを有する、無線通信システム。
【請求項２】
　前記センサ端末リストは、前記複数のセンサ端末の前記変調部に異なる変調方式を採用するものが存在する場合に、前記変調方式を格納する変調方式フィールドを更に有する、請求項１に記載の無線通信システム。
【請求項３】
　前記復調順フィールドは、前記複数のセンサ端末から得られる前記反射波の電界強度に基づいて決定する、請求項１に記載の無線通信システム。

【要約】
【課題】系列データを、分類子により分類する場合において、その分類子を最適化する。
【解決手段】入力した系列データに基づいて、分類子記憶部が記憶した分類子から選択した照合集合を得る。照合集合内の分類子の行動部の値に基づいて行動集合を得る。行動集合内の分類子のフィットネス値を学習で更新し、行動集合内の複数の分類子が１つの分類子に包摂できる場合に包摂し、その包摂された分類子に対して、一定の条件に基づいた選択又は変形を行い、さらに分類子が持つ条件部を縮小し、縮小した分類子で記憶部が記憶した分類子を更新させる。さらに、適切な分類子が存在しない場合に、新たな分類子を作成して記憶部に記憶させる。

【要約】
【課題】
　効率を改善したヘテロ接合型の太陽電池を提供する。
【解決手段】
　太陽電池は、光透過性を有する基板と、前記基板の光入射面とは反対側の面に形成される導電膜と、前記導電膜に積層される正孔ブロック層と、前記正孔ブロック層に積層される、ｐｎヘテロ接合型の光電変換層と、前記光電変換層に積層される電極とを含み、前記光電変換層は、前記正孔ブロック層の光入射側とは反対側の面から前記光電変換層の厚さ方向に沿って伸延する複数のｎ型ロッドと、前記ｎ型ロッドを被覆する被覆層と、前記複数のｎ型ロッド同士の間、及び、前記複数のｎ型ロッドと前記電極との間に形成されるｐ型量子ドット層とを有し、前記ｎ型ロッドは、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、又はＳｎＯ２製であり、前記被覆層は、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＳ、又はＳｉＯ２製であり、前記ｐ型量子ドット層は、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、又はＣｕＩｎＳ２製である。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　光透過性を有する基板と、前記基板の光入射面とは反対側の面に形成される導電膜と、前記導電膜に積層される正孔ブロック層と、前記正孔ブロック層に積層される、ｐｎヘテロ接合型の光電変換層と、前記光電変換層に積層される電極とを含み、前記光電変換層は、前記正孔ブロック層の光入射側とは反対側の面から前記光電変換層の厚さ方向に沿って伸延する複数のｎ型ロッドと、前記ｎ型ロッドを被覆する被覆層と、前記複数のｎ型ロッド同士の間、及び、前記複数のｎ型ロッドと前記電極との間に形成されるｐ型量子ドット層とを有し、前記ｎ型ロッドは、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、又はＳｎＯ２製であり、前記被覆層は、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＳ、又はＳｉＯ２製であり、前記ｐ型量子ドット層は、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、又はＣｕＩｎＳ２製である、太陽電池。
【請求項２】
　前記被覆層の厚さは、１０ｎｍ以下である、請求項１記載の太陽電池。

【要約】
【課題】本発明は、熱膨張係数の異なる材料の基板を用いた場合であっても、悪影響を生じることなく、大面積且つ高品質の単結晶ダイヤモンド膜を形成できる、単結晶ダイヤモンドの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するべく、本発明は、基板２０上に複数の原子状Siを分散吸着させ、前記原子状Siを発生中心としたダイヤモンド結晶核１０を形成する工程と、前記基板２０上に、前記ダイヤモンド結晶核１０からなるダイヤモンド結晶核郡パターン１１を形成する工程と、前記ダイヤモンド結晶核郡パターン１１を形成したダイヤモンド結晶核１０から、ダイヤモンド結晶を選択的に成長させることで、単結晶ダイヤモンド３０を形成する工程と、を備えることを特徴とする。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　基板上に複数の配向した微小単結晶ダイヤモンドを成長する工程と、該微小単結晶ダイヤモンドからなるダイヤモンド結晶核群を選択的に成長及び一体化させる工程と、を備えることを特徴とする単結晶ダイヤモンドの製造方法。
【請求項２】
　基板上に複数の原子状Siを分散吸着させ、少なくとも炭素を含有するプラズマ中で前記基板にバイアス電圧を印加することで、前記基板上に、前記原子状Siを発生中心とし配向したたダイヤモンド結晶核を形成する工程と、前記基板上に、前記ダイヤモンド結晶核からなるダイヤモンド結晶核郡パターンを形成する工程と、前記パターンを形成したダイヤモンド結晶核郡から、ダイヤモンド結晶を選択的に成長及び一体化させることで、単結晶ダイヤモンドを形成する工程と、を備えることを特徴とする単結晶ダイヤモンドの製造方法。
【請求項３】
　前記ダイヤモンド結晶の選択的な成長は、横方向エピタキシャル成長によって行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の単結晶ダイヤモンドの製造方法。
【請求項４】
　前記ダイヤモンド結晶核郡パターンの形成は、前記基板上に複数の前記ダイヤモンド結晶核を形成した後、該ダイヤモンド結晶核の一部を除去することによって行うことを特徴とする請求項２又は３に記載の単結晶ダイヤモンドの製造方法。
【請求項５】
　前記基板として、SOI基板を用いることを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の単結晶ダイヤモンドの製造方法。
【請求項６】
　請求項１～５のいずれか１項に記載の単結晶ダイヤモンドの製造方法によって得られた単結晶ダイヤモンド。
【請求項７】
　請求項６に記載の単結晶ダイヤモンドを同一基板上に複数配置し、それぞれ選択的に成長及び一体化させることを特徴とする単結晶ダイヤモンド基板の製造方法。
【請求項８】
　前記基板として、SOI基板を用いることを特徴とする請求項７に記載の単結晶ダイヤモンド基板の製造方法。
【請求項９】
　請求項７又は８に記載の単結晶ダイヤモンド基板の製造方法によって得られた単結晶ダイヤモンド基板。
【請求項１０】
　請求項６に記載の単結晶ダイヤモンド又は請求項９に記載の単結晶ダイヤモンド基板を用いた半導体デバイス。
【請求項１１】
　ダイヤモンド単結晶を縦型のハイパワーデバイス活性領域として用い、基板上には信号制御及び前記パワーデバイスのドライブ回路を集積することを特徴とする半導体デバイス。