お客様の課題解決を
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【要約】
【課題】
　効率を改善したヘテロ接合型の太陽電池を提供する。
【解決手段】
　太陽電池は、光透過性を有する基板と、前記基板の光入射面とは反対側の面に形成される導電膜と、前記導電膜に積層される正孔ブロック層と、前記正孔ブロック層に積層される、ｐｎヘテロ接合型の光電変換層と、前記光電変換層に積層される電極とを含み、前記光電変換層は、前記正孔ブロック層の光入射側とは反対側の面から前記光電変換層の厚さ方向に沿って伸延する複数のｎ型ロッドと、前記ｎ型ロッドを被覆する被覆層と、前記複数のｎ型ロッド同士の間、及び、前記複数のｎ型ロッドと前記電極との間に形成されるｐ型量子ドット層とを有し、前記ｎ型ロッドは、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、又はＳｎＯ２製であり、前記被覆層は、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＳ、又はＳｉＯ２製であり、前記ｐ型量子ドット層は、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、又はＣｕＩｎＳ２製である。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　光透過性を有する基板と、前記基板の光入射面とは反対側の面に形成される導電膜と、前記導電膜に積層される正孔ブロック層と、前記正孔ブロック層に積層される、ｐｎヘテロ接合型の光電変換層と、前記光電変換層に積層される電極とを含み、前記光電変換層は、前記正孔ブロック層の光入射側とは反対側の面から前記光電変換層の厚さ方向に沿って伸延する複数のｎ型ロッドと、前記ｎ型ロッドを被覆する被覆層と、前記複数のｎ型ロッド同士の間、及び、前記複数のｎ型ロッドと前記電極との間に形成されるｐ型量子ドット層とを有し、前記ｎ型ロッドは、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、又はＳｎＯ２製であり、前記被覆層は、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＳ、又はＳｉＯ２製であり、前記ｐ型量子ドット層は、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、又はＣｕＩｎＳ２製である、太陽電池。
【請求項２】
　前記被覆層の厚さは、１０ｎｍ以下である、請求項１記載の太陽電池。

【要約】
【課題】本発明は、熱膨張係数の異なる材料の基板を用いた場合であっても、悪影響を生じることなく、大面積且つ高品質の単結晶ダイヤモンド膜を形成できる、単結晶ダイヤモンドの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するべく、本発明は、基板２０上に複数の原子状Siを分散吸着させ、前記原子状Siを発生中心としたダイヤモンド結晶核１０を形成する工程と、前記基板２０上に、前記ダイヤモンド結晶核１０からなるダイヤモンド結晶核郡パターン１１を形成する工程と、前記ダイヤモンド結晶核郡パターン１１を形成したダイヤモンド結晶核１０から、ダイヤモンド結晶を選択的に成長させることで、単結晶ダイヤモンド３０を形成する工程と、を備えることを特徴とする。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　基板上に複数の配向した微小単結晶ダイヤモンドを成長する工程と、該微小単結晶ダイヤモンドからなるダイヤモンド結晶核群を選択的に成長及び一体化させる工程と、を備えることを特徴とする単結晶ダイヤモンドの製造方法。
【請求項２】
　基板上に複数の原子状Siを分散吸着させ、少なくとも炭素を含有するプラズマ中で前記基板にバイアス電圧を印加することで、前記基板上に、前記原子状Siを発生中心とし配向したたダイヤモンド結晶核を形成する工程と、前記基板上に、前記ダイヤモンド結晶核からなるダイヤモンド結晶核郡パターンを形成する工程と、前記パターンを形成したダイヤモンド結晶核郡から、ダイヤモンド結晶を選択的に成長及び一体化させることで、単結晶ダイヤモンドを形成する工程と、を備えることを特徴とする単結晶ダイヤモンドの製造方法。
【請求項３】
　前記ダイヤモンド結晶の選択的な成長は、横方向エピタキシャル成長によって行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の単結晶ダイヤモンドの製造方法。
【請求項４】
　前記ダイヤモンド結晶核郡パターンの形成は、前記基板上に複数の前記ダイヤモンド結晶核を形成した後、該ダイヤモンド結晶核の一部を除去することによって行うことを特徴とする請求項２又は３に記載の単結晶ダイヤモンドの製造方法。
【請求項５】
　前記基板として、SOI基板を用いることを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の単結晶ダイヤモンドの製造方法。
【請求項６】
　請求項１～５のいずれか１項に記載の単結晶ダイヤモンドの製造方法によって得られた単結晶ダイヤモンド。
【請求項７】
　請求項６に記載の単結晶ダイヤモンドを同一基板上に複数配置し、それぞれ選択的に成長及び一体化させることを特徴とする単結晶ダイヤモンド基板の製造方法。
【請求項８】
　前記基板として、SOI基板を用いることを特徴とする請求項７に記載の単結晶ダイヤモンド基板の製造方法。
【請求項９】
　請求項７又は８に記載の単結晶ダイヤモンド基板の製造方法によって得られた単結晶ダイヤモンド基板。
【請求項１０】
　請求項６に記載の単結晶ダイヤモンド又は請求項９に記載の単結晶ダイヤモンド基板を用いた半導体デバイス。
【請求項１１】
　ダイヤモンド単結晶を縦型のハイパワーデバイス活性領域として用い、基板上には信号制御及び前記パワーデバイスのドライブ回路を集積することを特徴とする半導体デバイス。

【要約】
【課題】　光周波数コムを利用した距離測定で、光路長差の可変範囲を拡張して高精度の測定を実現する。
【解決手段】　距離測定装置は、周波数領域で一定間隔の縦モードを発生させるパルス光源と、パルス光源の繰り返し周波数を変化させる周波数制御部と、パルス光源から出力されるパルス光を基準光と測定光に分割するスプリッタと、前記基準光と測定対象物の測定面で反射された前記測定光とを検出する光検出器と、前記検出された光から前記測定面までの距離を算出する信号処理部と、を有し、周波数制御部は、前記パルス光源の前記繰り返し周波数を変化させることで、基準光と測定光の間の光路長差を実効的に変化させ、信号処理部は、前記実効的に変化された光路長差において測定面までの距離を算出する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　周波数領域で一定間隔の縦モードを発生させるパルス光源と、前記パルス光源の繰り返し周波数を変化させる周波数制御部と、前記パルス光源から出力されるパルス光を基準光と測定光に分割するスプリッタと、前記基準光と、測定対象物の測定面で反射された前記測定光とを検出する光検出器と、前記検出された光から、前記測定面までの距離を算出する信号処理部と、を有し、前記周波数制御部は、前記前記パルス光源の前記繰り返し周波数を変化させることで、前記基準光と前記測定光の光路長差を実効的に変化させ、前記信号処理部は、前記実効的に変化された光路長差において前記測定面までの距離を算出することを特徴とする距離測定装置。
【請求項２】
　前記基準光を反射させる基準面、をさらに有し、前記光検出器は、前記基準面で反射された第１パルス光と、前記測定面で反射された第２パルス光を検出し、前記周波数制御部は、前記第１パルス光と前記第２パルス光の干渉が観察される位置へ前記パルス光源の前記繰り返し周波数を変化させることで、前記光路長差を実効的に変化させ、前記信号処理部は、前記実効的に変化された光路長差において互いに干渉する前記第１パルス光と前記第２パルス光の間のパルス数に基づいて、前記測定面までの距離を算出することを特徴とする距離測定装置。
【請求項３】
　前記実効光路長差をＬ、前記縦モードの繰り返し周波数をｆrep、前記繰り返し周波数の変化量をΔｆrep、前記第１パルス光と前記第２パルス光の間のパルス数をｍ（ｍは整数）、パルス光伝搬媒体の屈折率をｎとすると、前記光路長差の変化量は、
　　　ΔｎＬ＝ｍ×（ｃ／ｆrep）×（Δｆrep／ｆrep）
で表されることを特徴とする請求項２に記載の距離測定装置。
【請求項４】
　前記スプリッタから前記測定面までの距離をＬ１、前記スプリッタから前記基準面までの距離をＬ２とすると、Ｌ２＞＞Ｌ１であることを特徴とする請求項２に記載の距離測定装置。
【請求項５】
　前記スプリッタから前記基準面までの光路を光ファイバで構成することを特徴とする請求項４に記載の距離測定装置。
【請求項６】
　前記周波数制御部は、前記パルス光源の前記繰り返し周波数を変化させることで、前記実効的な光路長差を変化させてビート周波数における前記基準光と前記測定光の位相差を変化させ、　前記信号処理部は、前記繰り返し周波数の変化量と前記位相差の変化量の相関関係に基づいて前記測定面までの距離を算出する、ことを特徴とする請求項１に記載の距離測定装置。

【課題】　サブトラクション超解像法で機械的要素を低減または排除して、信頼性の高い超解像イメージングを実現する。
【解決手段】　光源からの光を２つに分割し、一方のビームをそのままガウスビームとして用いて第１の変調周波数で変調し、他方のビームを第２の変調周波数で変調するとともにドーナツビームにモード変換し、第１の変調周波数で変調されたガウスビームと、第２の変調周変調で変調されたドーナツビームを重畳して試料を照射し、試料からの蛍光のうち、ガウスビームの照射による第１の蛍光成分とドーナツビームの照射による第２の蛍光成分を、前記第１の変調周波数と前記第２の変調周波数のそれぞれで同時に復調し、第１の蛍光成分と第２の蛍光成分の差分を算出することで迅速かつ信頼性の高い超高解像の光学測定を実現する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　光源と、
　前記光源から出射される光を第１ビームと第２ビームに分割するビームスプリッタと、前記第１ビームを第１の変調周波数で変調する第１の光変調器と、前記第２ビームを第２の変調周波数で変調する第２の光変調器と、前記第２ビームを、焦点面でドーナツ型の強度分布を有するドーナツモードのビームに変換するモード変換素子と、前記第１の変調周波数で変調された前記第１ビームと、前記第２の変調周変調で変調され、かつ前記ドーナツモードに変換された前記第２ビームを重畳して試料に導く光学素子と、前記試料からの蛍光を前記第１の変調周波数で復調する第１のロックイン増幅器と、前記試料からの蛍光を前記第２の変調周波数で復調する第２のロックイン増幅器と、前記第１のロックイン増幅器で復調された蛍光成分と、前記第２のロックイン増幅器で復調された蛍光成分の差分を測定結果として算出する演算装置と、を有することを特徴とする光学測定装置。
【請求項２】
　前記第１及び第２の光変調器は電気光学変調器であり、前記モード変換器は、前記第２の光変調器の後段に配置されることを特徴とする請求項１に記載の光学測定装置。
【請求項３】
　前記第１及び第２の光変調器は光チョッパーであり、前記モード変換器は、前記第２の光変調器の前段に挿入されることを特徴とする請求項１に記載の光学測定装置。
【請求項４】
　前記試料からの蛍光を検出する蛍光検出器、をさらに有し、前記蛍光検出器で検出された蛍光が、前記第１のロックイン増幅器と前記第２のロックイン増幅器に入力されることを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の光学測定装置。
【請求項５】
　前記試料を１次元的、２次元的、または３次元的に駆動する駆動メカニズム、をさらに有し、前記演算装置は、前記第１の蛍光成分と前記第２の蛍光成分の差分を前記重畳されたビームのスポット位置ごとに算出することを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の光学測定装置。
【請求項６】
　光源からの光を第１ビームと第２ビームに分割し、前記第１ビームを第１の変調周波数で変調し、前記第２ビームを第２の変調周波数で変調するとともに、焦点面でドーナツ型の強度分布を有するドーナツモードのビームに変換し、前記第１の変調周波数で変調された前記第１ビームと、前記第２の変調周変調で変調され、かつ前記ドーナツモードに変換された前記第２ビームを重畳して試料を照射し、前記試料からの蛍光のうち、前記第１ビームにより励起され放出された第１の蛍光成分を前記第１の変調周波数で復調し、前記試料からの蛍光のうち、前記ドーナツモードのビームに変換された前記第２ビームにより励起され放出された第２の蛍光成分を前記第２の変調周波数で復調し、前記第１の蛍光成分と前記第２の蛍光成分の差分を算出する、工程を有することを特徴とする光学測定方法。
【請求項７】
　前記第１の変調周波数による変調と、前記第２の変調周波数による変調を電気光学変調器によって行い、前記第２ビームを前記第２の変調周波数で変調した後に、前記ドーナツモードのビームに変換する、ことを特徴とする請求項６に記載の光学測定方法。
【請求項８】
　前記第１の変調周波数による変調と、前記第２の変調周波数による変調を光チョッパーによって行い、前記第２ビームを前記ドーナツモードのビームに変換した後に、前記第２の変調周波数で変調する、ことを特徴とする請求項６に記載の光学測定方法。
【請求項９】
　前記試料からの蛍光を検出し、前記検出された蛍光を、第１のロックイン増幅器と第２のロックイン増幅器に入力し、前記第１のロックイン増幅器で前記第１の蛍光成分を復調し、前記第２のロックイン増幅器で前記第２の蛍光成分を復調する、ことを特徴とする請求６～８のいずれか１項に記載の光学測定方法。
（以下省略）

【要約】
【課題】音象徴語に対して解釈表現の候補を提示し、解釈表現により真意を確認できるようにすることで、音象徴語を用いたコミュニケーションを支援する。
【解決手段】音象徴語を入力する入力部と、入力部により入力された音象徴語を複数の形容詞評価尺度について定量評価する定量評価部１２３と、定量評価部の定量評価結果と、複数の解釈表現について複数の形容詞評価尺度に対する重要度を保持した解釈表現データとの類似度を算出し、類似度が高い所定数の解釈表現の候補を抽出する抽出部と、抽出部により抽出された所定数の解釈表現の候補を提示する提示部とを備える。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
　音象徴語を入力する入力部と、前記入力部により入力された音象徴語を複数の形容詞評価尺度について定量評価する定量評価部と、前記定量評価部の定量評価結果と、複数の解釈表現について複数の形容詞評価尺度に対する重要度を保持した解釈表現データとの類似度を算出し、類似度が高い所定数の解釈表現の候補を抽出する抽出部と、前記抽出部により抽出された所定数の解釈表現の候補を提示する提示部とを備えたことを特徴とする音象徴語によるコミュニケーション支援装置。
【請求項２】
　請求項１に記載の音象徴語によるコミュニケーション支援装置において、前記提示部は、解釈表現の候補とともに、または、選択された解釈表現の候補について
、解釈表現についての詳細情報を併せて提示することを特徴とする音象徴語によるコミュニケーション支援装置。
【請求項３】
　請求項１または２のいずれか一項に記載の音象徴語によるコミュニケーション支援装置において、前記提示部は、過去の正解履歴に基づき、入力された音象徴語に対応する可能性の高い解釈表現を優先して抽出することを特徴とする音象徴語によるコミュニケーション支援装置。
【請求項４】
　請求項１乃至３のいずれか一項に記載の音象徴語によるコミュニケーション支援装置において、前記解釈表現データの重要度を外部情報を参照して付与する重要度付与部を備えたことを特徴とする音象徴語によるコミュニケーション支援装置。
【請求項５】
　請求項１乃至４のいずれか一項に記載の音象徴語によるコミュニケーション支援装置において、解釈表現を入力する解釈表現入力部と、入力した解釈表現に類似する音象徴語を生成する生成部と生成した音象徴語を提示する音象徴語提示部とを備えたことを特徴とする音象徴語によるコミュニケーション支援装置。
【請求項６】
　コンピュータが実行する方法であって、音象徴語を入力する入力工程と、前記入力工程により入力された音象徴語を複数の形容詞評価尺度について定量評価する
定量評価工程と、前記定量評価工程の定量評価結果と、複数の解釈表現について複数の形容詞評価尺度に対する重要度を保持した解釈表現データとの類似度を算出し、類似度が高い所定数の解釈表現の候補を抽出する抽出工程と、前記抽出工程により抽出された所定数の解釈表現の候補を提示する提示工程とを備えたことを特徴とする音象徴語によるコミュニケーション支援方法。
【請求項７】
　コンピュータを、音象徴語を入力する入力手段、前記入力手段により入力された音象徴語を複数の形容詞評価尺度について定量評価する定量評価手段、前記定量評価手段の定量評価結果と、複数の解釈表現について複数の形容詞評価尺度に対する重要度を保持した解釈表現データとの類似度を算出し、類似度が高い所定数の解釈表現の候補を抽出する抽出手段、前記抽出手段により抽出された所定数の解釈表現の候補を提示する提示手段として機能させる音象徴語によるコミュニケーション支援プログラム。