お客様の課題解決を
産学官連携・オープンイノベーションで実践する広域TLO

【特許請求の範囲】

【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に位置する第１の量子ドットと、
前記第１の量子ドットを埋め込む第１の半導体結晶層と、
前記第１の半導体結晶層上に位置するコンタクト用の第２の量子ドットと、
前記第２の量子ドットを埋め込む第２の半導体結晶層と、
前記第２の半導体結晶層において、前記第２の量子ドットに接続する自己形成ナノホール内に形成されるナノホール電極と
を有することを特徴とする量子半導体装置。

【請求項２】
前記ナノホール電極の直径は、２０～３０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の量子半導体装置。

【請求項３】
前記第２の半導体結晶層の膜厚は、８～１５ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の量子半導体装置。

【請求項４】
前記第１および第２の量子ドットはＩｎＡｓであり、前記第１および第２の半導体結晶層はＧａＡｓであることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の量子半導体装置。

【請求項５】
半導体基板上に、第１の量子ドットと、前記第１の量子ドットを埋め込む第１の半導体結晶層を形成するステップと、
前記第１の半導体結晶層上に、コンタクト用の第２の量子ドットと、第２の量子ドットを埋め込む第２の半導体結晶層を形成するステップと、
前記第２の半導体結晶層を所定の条件でアニールして、前記第２の量子ドットの直上にのみナノホールを自己形成するステップと、
前記ナノホールを導電体で埋め込むステップと
を含むことを特徴とする量子半導体装置の製造方法。

【請求項６】
前記アニールは、基板温度４５０～５５０℃で、３～１０分間行うことを特徴とする請求項５に記載の量子半導体装置の製造方法。

【請求項１】
可飽和吸収特性を示す半導体薄膜を有する半導体素子であって、前記半導体薄膜を加圧する加圧手段を有することを特徴とする半導体素子。

【請求項２】
前記加圧手段は、前記半導体薄膜を０Ｐａより大きく、１ＧＰａより小さい圧力で加圧することを特徴とする請求項１記載の半導体素子。

【請求項３】
前記半導体薄膜は、Ｂｅ又はＣが１×１０１９ｃｍ－３以下の濃度で添加されていることを特徴とする請求項１記載の半導体素子。

【請求項４】
前記半導体薄膜は１００ｎｍ以上の厚さを有する請求項１記載の半導体素子。

【請求項５】
前記半導体薄膜は、砒化インジウムガリウムを含んでなることを特徴とする請求項１記載の半導体素子。

【請求項６】
前記半導体薄膜は、多重量子井戸型構造の薄膜であることを特徴とする請求項１記載の半導体薄膜。

【請求項７】
基板と、該基板上に配置される複数の光入力部と、該複数の光入力部から入力される光に基づいて光の透過、不透過を制御する可飽和吸収特性を示す半導体薄膜と、該半導体薄膜が光を透過した場合に光を外部に導く出力部と、該半導体薄膜を加圧する加圧手段と、を有することを特徴とする半導体素子。

【請求項８】
前記加圧手段は、前記半導体薄膜を０Ｐａより大きく、１ＧＰａより小さい圧力で加圧することを特徴とする請求項７記載の半導体素子。

【請求項９】
前記半導体薄膜は、Ｂｅ又はＣが１×１０１９ｃｍ－３以下の濃度で添加されていることを特徴とする請求項７記載の半導体素子。

【請求項１０】
前記半導体薄膜は１００ｎｍ以上の厚さを有する請求項７記載の半導体素子。

【請求項１１】
前記半導体薄膜は、砒化インジウムガリウムを含んでなることを特徴とする請求項７記載の半導体素子。

【請求項１２】
前記半導体薄膜は、多重量子井戸構造の薄膜であることを特徴とする請求項７記載の半導体素子。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動する被写体の露光画像を変調用拡散信号によって変調してなる撮像画像データを撮像画像メモリに記憶することにより、移動時の上記被写体の画像成分を上記被写体の移動軌跡に沿って分散させた撮像画像データを得、
上記撮像画像メモリから読み出した上記撮像画像データを上記移動軌跡に沿って上記被写体の移動方向又はその逆方向に移動させながら、復調用拡散信号を用いて再変調することにより、上記分散された画像成分を露光開始点位置又は露光終了点位置に凝縮させてなる静止画像を得る
ことを特徴とする静止画像形成方法。
【請求項２】
移動する被写体の露光画像を変調用拡散信号によって変調してなる撮像画像データを撮像画像メモリに記憶することにより、移動時の上記被写体の画像成分を上記被写体の移動軌跡に沿って分散させた撮像画像データを得る撮像データ変調部と、
上記撮像画像メモリから読み出した上記撮像画像データを上記移動軌跡に沿って上記被写体の移動方向又はその逆方向に移動させながら、復調用拡散信号を用いて再変調することにより、上記分散された画像成分を露光開始点位置又は露光終了点位置に凝縮させてなる静止画像を得る静止画データ復調部と
を具えることを特徴とする静止画記録装置。
【請求項３】
上記変調用拡散信号及び上記復調用拡散信号はチャープ信号又はＭ系列符号である
ことを特徴とする請求項２に記載の静止画記録装置。
【請求項４】
上記撮像データ変調部は、撮像素子の利得を上記変調用拡散信号によって制御することにより当該変調用拡散信号によって変調された上記撮像画像データを得る
ことを特徴とする請求項２に記載の静止画記録装置。
【請求項５】
上記撮像データ変調部は、撮像素子に上記被写体からの撮像光を通すシャッタ手段の透過率を上記変調用拡散信号によって制御することにより当該変調用拡散信号によって変調された上記撮像画像データを得る
ことを特徴とする請求項２に記載の静止画記録装置。
【請求項６】
上記撮像データ変調部は、上記被写体に対する照明具の照度を上記変調用拡散信号によって制御することにより当該変調用拡散信号によって変調された上記撮像画像データを得る
ことを特徴とする請求項２に記載の静止画記録装置。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
コンピュータを用いて実行される次のステップを備えたことを特徴とする設計支援方法：
（１）設計変数範囲と、前記設計変数の入力選好度と、要求性能変数範囲と、前記要求性能の選好度とを設定するための命令を前記コンピュータが受け付けるステップ；
（２）前記コンピュータが、前記設計変数範囲を分割するための命令を受け付けるステップ；
（３）前記分割された設計変数範囲における性能の期待値およびロバスト性を統合的に評価するために、分割された各設計変数範囲について、以下の式に基づいて、前記コンピュータにおける算出手段がPRIを算出するステップ：
PRI=NDPI*NPSI
ここで、
NDPI：正規化されたDPI；
DPI：前記要求性能変数範囲における前記要求性能の選好度（ｐ（ｘ））と、前記設計変数範囲と前記設計変数の入力選好度とから得られる前記要求性能の可能性分布（ｑ（ｘ））とから算出される、性能の期待値；
NPSI：正規化されたPSI；
PSI：前記要求性能の可能性分布（ｑ（ｘ））の精度と安定性とを示す測度
である。

【請求項２】
さらに、コンピュータにより実行される次のステップを備えたことを特徴とする、請求項１記載の設計支援方法；
（４）前記PRIが０である場合には、該当する分割された設計変数範囲を、前記コンピュータにおける計算手段が、設計検討の対象から除外するステップ。

【請求項３】
請求項１における前記可能性分布を算出するために、コンピュータにより実行される次のステップを備えたことを特徴とする可能性分布の算出方法：
（１）前記設計変数の入力選好度が０の場合における、設計対象についての性能値の可能性分布を示す計算モデルを、前記コンピュータの算出手段が算出するステップ；
（２）前記コンピュータにおける算出手段が、任意の入力選好度における設計変数に対応する性能値を、前記計算モデルを用いて内挿により算出することにより、前記可能性分布を取得するステップ。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
管理対象における流入量データと流出量データと確定注文データ（先行データ）とを時間に対応するデータとして取得し、次期の確定注文量と今期の確定注文量と今期の流出量とから次期流出量の予測値を算出する予測値算出手段と、
前記流入量データと流出量データを基に各期の在庫量を求め、在庫量に関する総ペナルティー費用が最小となる移動基準在庫量を算出する移動基準在庫量算出手段と、
算出された前記移動基準在庫量が管理状態にあるか否かを管理図によりシンボリックに判定する移動基準在庫量管理手段と、
前記予測値と前記流出量データの累積とから、流出量に関する総ペナルティー費用が最小となる次期流出量を求め、求めた次期流出量を次期の投入量として算定する投入量算定手段と、
算定された前記投入量が管理状態にあるか否かを流動数図表の管理限界線により判定する投入量管理手段と、
前記移動基準在庫量管理手段による判定結果あるいは前記投入量管理手段による判定結果に基づいて、算定された前記投入量の累積が前記管理限界線以下になるように改善する投入量改善手段と
を備えることを特徴とする流動数管理システム。

【請求項２】
前記在庫量に関する総ペナルティー費用及び前記流出量に関する総ペナルティー費用は、次期以降の予測値、現在前後の在庫量及び流出量の変動に応じて変位させること
を特徴とする請求項１に記載の流動数管理システム。

【請求項３】
管理対象における流動数を管理するためにコンピュータを、
前記管理対象における流入量データと流出量データと確定注文データ（先行データ）とを時間に対応するデータとして取得し、次期の確定注文量と今期の確定注文量と今期の流出量とから次期流出量の予測値を算出する予測値算出手段と、
前記流入量データと流出量データを基に各期の在庫量を求め、在庫量に関する総ペナルティー費用が最小となる移動基準在庫量を算出する移動基準在庫量算出手段と、
算出された前記移動基準在庫量が管理状態にあるか否かを管理図によりシンボリックに判定する移動基準在庫量管理手段と、
前記予測値と前記流出量データの累積とから、流出量に関する総ペナルティー費用が最小となる次期流出量を求め、求めた次期流出量を次期の投入量として算定する投入量算定手段と、
算定された前記投入量が管理状態にあるか否かを流動数図表の管理限界線により判定する投入量管理手段と、
前記移動基準在庫量管理手段による判定結果あるいは前記投入量管理手段による判定結果に基づいて、算定された前記投入量の累積が前記管理限界線以下になるように改善する投入量改善手段と
して機能させることを特徴とする前記コンピュータが読み取り可能な流動数管理プログラム。

【請求項４】
予測値算出手段が、管理対象における流入量データと流出量データと確定注文データ（先行データ）とを時間に対応するデータとして取得し、次期の確定注文量と今期の確定注文量と今期の流出量とから次期流出量の予測値を算出するステップと、
移動基準在庫量算出手段が、前記流入量データと流出量データを基に各期の在庫量を求め、在庫量に関する総ペナルティー費用が最小となる移動基準在庫量を算出するステップと、
移動基準在庫量管理手段が、算出された前記移動基準在庫量が管理状態にあるか否かを管理図によりシンボリックに判定するステップと、
投入量算定手段が、前記予測値と前記流出量データの累積とから、流出量に関する総ペナルティー費用が最小となる次期流出量を求め、求めた次期流出量を次期の投入量として算定するステップと、
投入量管理手段が、算定された前記投入量が管理状態にあるか否かを流動数図表の管理限界線により判定するステップと、
投入量改善手段が、前記移動基準在庫量管理手段による判定結果あるいは前記投入量管理手段による判定結果に基づいて、算定された前記投入量の累積が前記管理限界線以下になるように改善するステップと
をコンピュータに実行させることを特徴とする流動数管理方法。