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【特許請求の範囲】

【請求項１】
増幅用トランジスタの出力端子と負荷抵抗との間に接続されて、前記トランジスタの出力端子に現れる高調波を処理するための回路であって、前記増幅用トランジスタの出力が入力され、かつ、前記増幅用トランジスタの出力における基本波の波長（λ）の１／４の長さを有する第１伝送線路と、前記第１伝送線路の出力端子に互いに並列に接続された複数の第１スタブとを有し、
前記複数の第１スタブは、
Ｌ＝λ／４ｍ （ただし、ｍ＝２，３，４，…，ｎ）
で表される伝送線路長Ｌを各々有しており、
かつ、
ｍ'＝ｐｋ （ただし、ｐは３以上の奇数、ｋは、前記ｍのうちで現に設けられている第１スタブにおけるｍ）で表されるｍ'に対応する伝送線路長を有する前記第１スタブのいずれかまたはすべての設置は省略されており、 さらに合成補償スタブを備え、前記合成補償スタブは、前記第１伝送線路の出力端子に接続されており、基本波に対する前記合成補償スタブのアドミタンスは、前記第１スタブの合成入力アドミタンスと大きさが等しくかつ逆符号とされていることを特徴とする高調波処理回路。

【請求項２】
前記合成補償スタブは、先端開放であることを特徴とする請求項１記載の高調波処理回路。

【請求項３】
前記合成補償スタブは、先端短絡であることを特徴とする請求項１記載の高調波処理回路。

【請求項４】
前記第１の伝送線路の出力端子と前記負荷抵抗との間に接続され、かつ、前記基本波の波長（λ）の１／４の長さを有する第２伝送線路をさらに備えたことを特徴とする請求項１～３のいずれか１項記載の高調波処理回路。

【請求項５】
前記増幅用トランジスタに代えて、負性抵抗２端子増幅素子が用いられていることを特徴とする請求項１～４のいずれか１項記載の高調波処理回路。

【請求項６】
増幅用トランジスタの出力端子と負荷抵抗との間に接続されて、前記トランジスタの出力端子に現れる高調波を処理するための回路であって、前記増幅用トランジスタの出力が入力される入力端子と、前記増幅用トランジスタの出力における基本波の波長（λ）の１／４の長さを有する第１伝送線路と、前記第１の伝送線路の出力端子に互いに並列に接続された複数の第１スタブとを有し、
前記複数の第１スタブは、
Ｌ＝λ／４ｍ （ただし、ｍ＝２，３，４，…，ｎ）
で表される伝送線路長Ｌを各々有するものであり、
さらに合成補償スタブを備え、前記合成補償スタブは、前記第１伝送線路の出力端子に接続されており、基本波に対する前記合成補償スタブのアドミタンスは、前記第１スタブの合成入力アドミタンスと大きさが等しくかつ逆符号とされていることを特徴とする高調波処理回路。

【請求項７】
前記合成補償スタブに代えて、前記第１の伝送線路の出力端子に接続され、かつ、前記第１スタブの合成入力アドミタンスと大きさが等しくかつ逆符号であるリアクタンス素子を有することを特徴とする請求項１に記載の高調波処理回路。

【請求項８】
請求項１～７のいずれか１項に記載の高調波処理回路における前記第１の伝送線路の入力端子が、前記増幅用トランジスタの出力端子に接続されていることを特徴とする増幅回路。

【特許請求の範囲】

【請求項１】

　陽極及び導電性を有する支持体を含んで成る陰極を用いてパラジウムイオンを含む溶液を電解することにより得られた、導電性支持体上に担持されたパラジウムブラックの存在下、Ａ）炭素－炭素一置換二重結合、炭素－炭素二置換二重結合及び炭素－炭素三重結合から選ばれた少なくとも１つと炭素－炭素三置換二重結合及び／又は炭素－炭素四置換二重結合を有する化合物、Ｂ）炭素－炭素一置換二重結合、炭素－炭素二置換二重結合及び炭素－炭素三重結合から選ばれた少なくとも１つを有する化合物及びＣ）炭素－炭素三置換二重結合及び／又は炭素－炭素四置換二重結合を有する化合物から成る群より、炭素－炭素一置換二重結合、炭素－炭素二置換二重結合及び炭素－炭素三重結合から選ばれた少なくとも１つと炭素－炭素三置換二重結合及び／又は炭素－炭素四置換二重結合とが共存するように選択された化合物若しくはその組み合わせと、水素とを接触させることを特徴とする、当該炭素－炭素一置換二重結合、炭素－炭素二置換二重結合及び／又は炭素－炭素三重結合の選択的水素添加反応方法。

【請求項２】

　陽極及び導電性を有する支持体を含んで成る陰極を用いてパラジウムイオンを含む溶液を電解することにより得られた導電性を含んで成る支持体上に担持されたパラジウムブラックから成る、炭素－炭素三置換二重結合及び炭素－炭素四置換二重結合への水素添加反応を伴うことのない、炭素－炭素一置換二重結合、炭素－炭素二置換二重結合及び／又は炭素－炭素三重結合の選択的水素添加反応用触媒。

【要約】

【課題】樹脂成形品において加熱による残留分子配向の除去を短時間で行い、高い処理効率で製品の表面平坦度を向上させる。

【解決手段】成形品金型１の一部に少なくとも１個の赤外線透過窓３を形成し、該透過窓３にその表面が対面するごとくに樹脂成形品Ｐを金型１内に挿入してその姿勢を固定し、該透過窓を指向するごとくに少なくとも１個の赤外線照射源を配置して、該照射源から透過窓を介して成形品の表面に赤外線を照射する。

【特許請求の範囲】

【請求項１】 一部に少なくとも１個の赤外線透過窓を形成した成形品金型を用意し、該透過窓にその表面が対面するごとくに樹脂成形品を金型内に挿入してその姿勢を固定し、該透過窓を介して成形品の表面に赤外線を照射することを特徴とする樹脂成形品の分子配向除去方法。

【請求項２】 樹脂成形品の片面に赤外線を照射することを特徴とする請求項１に記載の方法。

【請求項３】 樹脂成形品の両面に赤外線を照射することを特徴とする請求項１に記載の方法。

【請求項４】 被照射面中心が成形品材料の変形温度以上となる温度まで赤外線照射を行うことを特徴とする請求項１～３のいずれかひとつに記載の方法。

【請求項５】 挿入されるべき成形品の表面に対応する部位に形成された少なくとも１個の赤外線透過材料からなる透過窓を有した金型と該透過窓を指向する少なくとも１個の赤外線照射源を有することを特徴とする樹脂成形品の分子配向除去装置。