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【特許請求の範囲】

【請求項１】
互いに位相が逆の１対の信号がそれぞれに入力される第１及び第２ノードと、
キャリア増幅器と、
前記キャリア増幅器の入力と前記第１ノードとの間に接続された第１伝送線路と、
前記第２ノードに入力が接続されたピーク増幅器と、
伝送線路バランと、
第２伝送線路
とを備え、
前記伝送線路バランは、
負荷が接続される第１及び第２非平衡ポートと、
第１及び第２平衡ポートと、
前記第１非平衡ポートと前記第１平衡ポートの間に接続された、電気長が４分の１波長である第１バラン内伝送線路と、
前記第２非平衡ポートと前記第２平衡ポートの間に接続された、電気長が４分の１波長である第２バラン内伝送線路
とを含み、
前記第１平衡ポートが、前記キャリア増幅器の出力に接続され、
前記第２平衡ポートが、前記第２伝送線路を介して前記ピーク増幅器の出力に接続され、
前記第１伝送線路と前記第２伝送線路の電気長は、前記第１平衡ポートに入力される信号と前記第２平衡ポートに入力される信号とが、互いに位相が反転した１対の平衡信号を構成するように決定され、
前記キャリア増幅器と前記ピーク増幅器の出力インピーダンスが、前記第１及び第２非平衡ポートに接続される前記負荷のインピーダンスの２分の１である
ドハティ増幅回路。

【請求項２】
請求項１に記載のドハティ増幅回路であって、
前記第１伝送線路及び前記第２伝送線路の電気長が、４分の１波長である
ドハティ増幅回路。

【請求項３】
請求項１に記載のドハティ増幅回路であって、
前記第２伝送線路の電気長は、前記ピーク増幅器が動作していないときに前記第２平衡ポートから前記ピーク増幅器の出力を見たインピーダンスが最小であるように調節されて
いる
ドハティ増幅回路。

【請求項４】
請求項１に記載のドハティ増幅回路であって、
更に、
前記第１ノードと前記キャリア増幅器の入力の間に、前記第１伝送線路に直列に接続された第３伝送線路と、
前記ピーク増幅器の出力と前記第２平衡ポートの間に、前記第２伝送線路に直列に接続され、前記第３伝送線路と同一の電気長を有する第４伝送線路
とを具備し、
前記第１伝送線路及び前記第２伝送線路の電気長が４分の１波長であり、
前記第４伝送線路の電気長は、前記ピーク増幅器が動作していないときに前記第２平衡ポートから前記ピーク増幅器の出力を見たインピーダンスが最小であるように調節されて
いる
ドハティ増幅回路。

【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のドハティ増幅回路であって、
更に、
前記キャリア増幅器の出力と前記第１平衡ポートとの間に接続された第５伝送線路と、
前記第２ノードと前記ピーク増幅器の入力との間に接続された、前記第５伝送線路と同一の電気長を有する第６伝送線路
とを具備する
ドハティ増幅回路。

【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のドハティ増幅回路であって
更に、
信号源から受け取った入力信号から前記１対の信号を生成する分配回路を備える
ドハティ増幅回路。

【請求項７】
請求項６に記載のドハティ増幅回路であって、
前記分配回路が、バラン、ラットレースリング、１８０度方向性結合器、又は、９０度方向性結合器と１／４波長伝送線路の組み合わせのいずれかで構成された
ドハティ増幅回路。

【要約】

【課題】
円盤形状の強磁性体から成り、磁気構造が磁気渦構造を取る強磁性ドットにおけるコアの向きを反転させる簡便な方法を提供する。

【解決手段】
強磁性ドットの径方向に、該強磁性ドットの共振周波数の周期の半分と略等しい長さのパルス電流を複数回供給する。望ましくは、各パルス電流を強磁性ドットの径方向の両端部から交互に供給すると良い。パルス電流を複数回を供給することにより、比較的低い電流密度でコアを反転させることができるから、素子の破損を防止することができる。電流密度、パルス長を適宜に決定しておくことによって、コアの向きを一回だけ反転させることができる。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
円盤形状の強磁性体から成り磁気構造が磁気渦構造を取る強磁性ドットのコアの向きを反転させる方法であって、
強磁性ドットの径方向に該強磁性ドットの共振周波数の周期の半分と略等しい長さのパルス電流を複数回供給することにより、強磁性ドットのコアの向きを反転させる
ことを特徴とする強磁性ドットのコア反転方法。

【請求項２】
前記各パルス電流を、前記強磁性ドットの径方向の両端部から交互に供給する
ことを特徴とする請求項１に記載のコア反転方法。

【請求項３】
円盤形状の強磁性体から成り磁気構造が磁気渦構造を取る強磁性ドットにおけるコアの向きを制御する方法であって、
該強磁性ドットの周囲において該周囲を略三等分する各位置に、第一電流供給部、第二電流供給部、及び接地部を設けておき、
該第一電流供給部より該強磁性ドットの共振周波数と略等しい周波数の交流電流を供給するとともに、
該第二電流供給部より該強磁性ドットの共振周波数と略等しい周波数を有し、該第一電流供給部から供給される交流電流に対して位相が120°又は-120°ずれた交流電流を供給することにより、該位相のずれに応じた方向にコアの向きを決定する
ことを特徴とする、強磁性ドットのコアの向き制御方法。

【請求項４】
円盤形状の強磁性体から成り磁気構造が磁気渦構造を取る強磁性ドットと、
該強磁性ドットの径方向に、該強磁性ドットの共振周波数の周期の半分と略等しい長さのパルス電流を複数回供給するパルス電流供給部と、
を備えることを特徴とする強磁性ドットのコア利用素子。

【請求項５】
円盤形状の強磁性体から成り磁気構造が磁気渦構造を取る強磁性ドットと、
該強磁性ドットの周囲を三等分する各位置に、
該強磁性ドットの共振周波数と略等しい周波数の交流電流を供給する第一電流供給部と、
該強磁性ドットの共振周波数と等しい周波数を有し、該第一電流供給部から供給される交流電流に対して位相が120°又は-120°ずれた交流電流を供給する第二電流供給部と、
接地部と、
を備えることを特徴とする強磁性ドットのコア利用素子。

【請求項６】
前記強磁性ドットが、平面形状が直径50μm以下の略円形であって厚みが1μm以下である円盤形状であることを特徴とする請求項４又は５に記載の強磁性ドットのコア利用素子。

【請求項７】
コアの向きを読み出す読出し部を更に備えたことを特徴とする請求項４～６のいずれかに記載の強磁性ドットのコア利用素子。

【請求項８】
請求項７に記載の強磁性ドットのコア利用素子を複数並べたことを特徴とする情報記録素子。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
５ポート接合や６ポート接合などの２つの入力ポートと３つ以上の出力ポートを備える線形回路であって各出力ポートから出てくる波が前記２つの入力ポートに入る波の線形式で表される線形回路（以下、「線形マルチポート」と記す）に関して、前記線形マルチポートに固有の値であるシステムパラメータを測定する方法であって、
互いに位相が異なる第１の波、第２の波及び第３の波を用意し、前記線形マルチポートの一方の入力ポート１に予め定められた波（以下、「基準波ａ1」と記す）を入れ、他方の入力ポート２に前記第１の波、第２の波又は第３の波のいずれか（以下、「測定波ａ2」と記す）を入れたときの、前記基準波ａ1に対する前記第１の波、第２の波、第３の波の複素振幅比をそれぞれＷ0、Ｗ1、Ｗ2（ただし、Ｗ＝ａ2／ａ1）に設定する位相設定ステップと、
前記線形マルチポートの一方の入力ポート１に前記基準波ａ1を入れるとともに、他方の入力ポート２を整合終端する基準電力測定準備ステップと、
前記線形マルチポートの各出力ポートの電力を測定し、それらを基準電力Ｐ3r、Ｐ4r、Ｐ5r・・・とする基準電力測定ステップと、
前記他方の入力ポート２の整合終端を外し、前記他方の入力ポート２に前記第１の波、第２の波、第３の波を順次加え、それぞれの波に対応する各出力ポートの電力｛Ｐ30、Ｐ40、Ｐ50・・・｝｛Ｐ31、Ｐ41、Ｐ51・・・｝｛Ｐ32、Ｐ42、Ｐ52・・・｝を順次測定する電力測定ステップと、
前記第１の波、第２の波、第３の波に対応して測定された前記各出力ポートの電力｛Ｐ30、Ｐ40、Ｐ50・・・｝｛Ｐ31、Ｐ41、Ｐ51・・・｝｛Ｐ32、Ｐ42、Ｐ52・・・｝を前記基準電力Ｐ3r、Ｐ4r、Ｐ5r・・・で正規化する正規化ステップと、
正規化された前記各出力ポートの電力、及び、前記複素振幅比Ｗ0、Ｗ1、Ｗ2に基づき前記システムパラメータｋhを計算するか、又は、正規化された前記各出力ポートの電力、前記第１の波と第２の波の位相差ψ01及び前記第１の波と第３の波の位相差ψ02に基づき前記システムパラメータｋhの比hｋiを計算することのいずれかを行うシステムパラメータ計算ステップと、を備える線形マルチポートのシステムパラメータ測定方法。

【請求項２】
線形マルチポートに固有の値であるシステムパラメータを測定する方法であって、
前記線形マルチポートの一方の入力ポート１に基準波ａ1を入れるとともに、他方の入力ポート２を整合終端する基準電力測定準備ステップと、
前記線形マルチポートの各出力ポートの電力を測定し、それらを基準電力Ｐ3r、Ｐ4r、Ｐ5r・・・とする基準電力測定ステップと、
前記他方の入力ポート２の整合終端を外し、前記他方の入力ポート２にショートの標準器を接続し、そのときの第１の反射波に対する各出力ポートの電力｛Ｐ30、Ｐ40、Ｐ50・・・｝を測定するとともに、測定された当該電力を前記基準電力Ｐ3r、Ｐ4r、Ｐ5r・・・で正規化する第１電力測定正規化ステップと、
前記他方の入力ポート２に第１固定移相器を接続し、さらにこれにショートの標準器を接続し、そのときの第２の反射波に対する各出力ポートの電力｛Ｐ31、Ｐ41、Ｐ51・・・｝を測定するとともに、測定された当該電力を前記基準電力Ｐ3r、Ｐ4r、Ｐ5r・・・で正規化する第２電力測定正規化ステップと、
前記他方の入力ポート２に第１固定移相器及びこれに直列に接続された第２固定移相器を接続し、さらにこれにショートの標準器を接続し、そのときの第３の反射波に対する各出力ポートの電力｛Ｐ32、Ｐ42、Ｐ52・・・｝を測定するとともに、測定された当該電力を前記基準電力Ｐ3r、Ｐ4r、Ｐ5r・・・で正規化する第３電力測定正規化ステップと、
正規化された前記各出力ポートの電力、及び、前記第１の反射波、第２の反射波、第３の反射波の反射係数Γ0、Γ1、Γ2に基づき前記システムパラメータｋhを計算するか、又は、正規化された前記各出力ポートの電力、前記第１の反射波と前記第２の反射波の位相差ψ01及び前記第１の反射波と前記第３の反射波の位相差ψ02に基づき前記システムパラメータｋhの比hｋiを計算することのいずれかを行うシステムパラメータ計算ステップと、を備える線形マルチポートのシステムパラメータ測定方法。

【請求項３】
前記システムパラメータ計算ステップは、下記の式（１９）により前記システムパラメータｋhを計算することを特徴とする請求項１記載の線形マルチポートのシステムパラメータ測定方法。

（以下、詳細は特許公報をご参照ください）

【特許請求の範囲】

【請求項１】
バンドギャップＥｇが、
３．８７ｅＶ≦Ｅｇ≦４．１３ｅＶ
であることを特徴とするアナターゼ型酸化チタン微粒子。

【請求項２】
液体中のルチル型酸化チタンからなる原料にパルスレーザー光を照射することにより生成されたことを特徴とする請求項１に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子。

【請求項３】
直径が２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子。

【請求項４】
液体中に載置されたルチル型酸化チタン単結晶からなる原料にパルスレーザー光を照射する工程を備え、
前記原料に照射されるレーザーフルエンスｆが、
ｆ≧０．２５Ｊ／ｃｍ２
であることを特徴とするアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

【請求項５】
レーザーフルエンスｆの大きさに基づいて生成されるアナターゼ型酸化チタン微粒子の量を調整することを特徴とする請求項４に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

【請求項６】
ｌｏｇ１０Ｙ＝ａ×ｆ＋ｂ
ａ，ｂ：定数
に基づいて、パルスレーザー光１パルスで生成されるチタンイオンの量Ｙを制御することにより、アナターゼ型酸化チタン微粒子の量を調整することを特徴とする請求項５に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

【請求項７】
原料と液体の液面との距離Ｄに基づいて生成されるアナターゼ型酸化チタン微粒子の量を調整することを特徴とする請求項４に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。
【請求項８】
ｌｏｇ１０Ｘ＝ｃ×Ｄ＋Ａ
ｃ：定数
Ａ：誤差
に基づいて、単位レーザーフルエンス（＝１Ｊ／ｃｍ２）当たりで生成されるチタンイオンの量Ｘを制御することにより、アナターゼ型酸化チタン微粒子の量を調整することを特徴とする請求項７に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

【請求項９】
前記液体は、蒸留水であることを特徴とする請求項４～請求項８のいずれか１項に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

【請求項１０】
前記液体は、アンモニア水であることを特徴とする請求項４～請求項８のいずれか１項に記載のアナターゼ型酸化チタン微粒子の製造方法。

【要約】

【課題】プログラムをより安定して維持・改良すること。

【解決手段】対象プログラムを実行する実行手段（２０）と、所定の記憶手段に記憶された削除待ち行列に従って対象プログラムを削除する削除手段（２２）と、実行終了した対象プログラムについて、数値化された実行結果が目標値と合致した場合に最大値を評価値として出力すると共に数値化された実行結果が目標値から離れるに従って小さくなる値を評価値として出力する傾向を有する評価関数によって、評価を行なう評価手段（２４）と、評価手段による評価値に基づいて、対象プログラムの前記削除待ち行列における削除順位を変更する削除順位変更手段（２６）と、評価手段による評価値に基づいて、対象プログラムを複製する複製手段（２８）と、を備えるプログラムの維持・改良システム（１）。

【特許請求の範囲】

【請求項１】
対象プログラムを実行する実行手段と、
所定の記憶手段に記憶された削除待ち行列に従って前記対象プログラムを削除する削除手段と、
実行終了した前記対象プログラムについて、数値化された実行結果が目標値と合致した場合に最大値を評価値として出力すると共に数値化された実行結果が目標値から離れるに従って小さくなる値を評価値として出力する傾向を有する評価関数によって、評価を行なう評価手段と、
前記評価手段による評価値に基づいて、前記対象プログラムの前記削除待ち行列における削除順位を変更する削除順位変更手段と、
前記評価手段による評価値に基づいて、前記対象プログラムを複製する複製手段と、
を備えるプログラムの維持・改良システム。

【請求項２】
前記削除順位変更手段は、前記評価手段による評価値が前記最大値である場合に、該評価された対象プログラムの前記削除待ち行列における削除順位が下がるように、前記対象プログラムの前記削除待ち行列における削除順位を変更する手段である、請求項１に記載のプログラムの維持・改良システム。

【請求項３】
前記対象プログラムに変異を生じさせる変異処理手段を備える、請求項１又は２に記載のプログラムの維持・改良システム。

【請求項４】
前記評価関数の設定又は変更に関する外部からの入力を受け付ける評価関数入力受付手段を備える、請求項１ないし３のいずれか１項に記載のプログラムの維持・改良システム。

【請求項５】
前記評価手段の評価値を記憶する評価値記憶手段を備え、
前記複製手段は、前記評価値記憶手段に記憶された評価値の履歴に基づいて、前記対象プログラムを複製する手段である、請求項１ないし４のいずれか１項に記載のプログラムの維持・改良システム。

【請求項６】
前記複製手段は、前記評価値記憶手段に記憶された評価値の累計値に基づく値が所定の複製基準値を超えた場合に対象プログラムを複製する手段である、請求項５に記載のプログラムの維持・改良システム。

【請求項７】
前記評価関数は、最低値として累計可能な値を出力する関数である、請求項６に記載のプログラムの維持・改良システム。

【請求項８】
宇宙空間で使用されることを特徴とする、請求項１ないし７のいずれか１項に記載のプログラムの維持・改良システム。

【請求項９】
前記変異処理手段は、自己の作動に依らない対象プログラムの変異発生率に応じて前記対象プログラムに変異を生じさせる確率を変更する手段である、請求項３、又は請求項３に係る請求項４ないし８のいずれか１項に記載のプログラムの維持・改良システム。

【請求項１０】
コンピュータを、請求項１ないし９のいずれか１項に記載のプログラムの維持・改良システムとして機能させるための、コンピュータ読み取り可能なプログラム